国家自然科学基金(50572001)
- 作品数：13 被引量：11H指数：2
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- 相关机构：北京大学宾州州立大学空军航空大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 高质量的干净极限与脏极限MgB2超导薄膜
- 2008年
- 利用混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition),在0001取向的SiC和Al2O3上原位制备了高质量的c轴外延MgB2薄膜,样品具有高于41K的零转变温度,超导剩余电阻率ρ(42K)<0.5μΩcm,很好地吻合第一原理计算的干净极限行为。X射线相分析图谱上没有MgO的衍射峰出现说明这种方法极大程度上避免了MgB2制备过程最易出现的"氧污染"。较高的磁电阻和低温低场条件下不存在磁通跳跃都说明了样品非常干净。借助一种改进的双加热丝装置,我们在干净MgB2样品基础上实现了可控的碳掺杂,掺碳后的样品超导临界温度下降,剩余电阻率升高,电子平均自由程由于杂质散射作用的增强而得到显著抑制,为符合脏极限的超导样品。
- 庄承钢孟胜张从尧杨欢贾颖闻海虎郗小星冯庆荣甘子钊
- 关键词：碳掺杂
- MgB2超薄膜的制备和性质研究被引量：2
- 2011年
- 利用混合物理化学气相沉积法在6H-SiC(001)衬底上制备干净的MgB2超导超薄膜.在本底气体压强、载气氢气流量等条件一定的情况下,改变B2H6流量及沉积时间,制备得到不同厚度的系列MgB2超薄膜样品,并研究了超导转变温度Tc、剩余电阻率ρ(42K)、上临界磁场Hc2等与膜厚的关系.该系列超薄膜沿c轴外延生长,随膜厚度的变小,Tc(0)降低,ρ(42K)升高.膜在衬底上的生长遵循Volmer-Weber岛状生长模式.对于厚度为7.5nm的MgB2超薄膜,Tc(0)=32.8K,ρ(42K)=118μΩcm,是迄今为止所观测到的厚度为7.5nm的MgB2超薄膜最高的Tc值;对于厚度为10nm的MgB2膜,Tc(0)=35.5K,ρ(42K)=17.7μΩcm,上临界磁场μ0Hc2估算为12T左右,零磁场、4K时的临界电流密度Jc=1.0×107A/cm2,是迄今为止10nm厚MgB2超薄膜的最高Jc值,且其表面连接性良好,均方根粗糙度为0.731nm.这预示MgB2超薄膜在超导纳米器件上具有广阔的应用前景.
- 孙玄黄煦王亚洲冯庆荣
- 关键词：薄膜生长
- Cu衬底MgB_2超导晶须的制备及性质
- 2008年
- 通过混合物理化学气相沉积法,在Cu衬底上制备出长有MgB2超导晶须的厚膜。MgB2晶须顶端直径在1μm左右,根部直径约200nm,长约4μm,整体呈现出六角锥状。通过实验条件的分析,知道衬底表面上方MgB2饱和度不一致,中间较周边低,可能导致了MgB2晶须生长在衬底周边区域。
- 王亚洲庄承钢冯庆荣
