国家高技术研究发展计划(无)
- 作品数：1 被引量：4H指数：1
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- 相关机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 单片集成压力传感器及弱信号处理电路的设计被引量：4
- 2011年
- 通过分析硅压敏电阻与晶向的关系,找到力敏电阻在硅膜片上的最佳位置。经测量,在10～400kPa范围内,压阻电桥的灵敏度约为0.36mV/kPa。提出一种由惠斯登电桥双端输出和双级放大器组成的电路结构,以对称的输入结构和全摆幅输出,解决了传感器输出小、易产生零点漂移的问题。用Cadence软件对电路进行模拟,在5V电源电压下,该放大电路的输出范围为0.036～4.953V,开环增益为110dB,CMRR为105.8dB,相位裕度为63.68°,可满足压力传感器的要求。
- 周旭华徐世六张正元
- 关键词：压力传感器压敏电阻单片集成电路
