国家自然科学基金(660437030)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 相关作者：李娟吴春亚张芳孟志国熊绍珍更多>>
- 相关机构：科技部南开大学香港科技大学更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 金属单向诱导横向晶化激光修饰多晶硅薄膜晶体管
- 2006年
- 对采用金属诱导单一方向横向晶化(metalinducedunilaterallycrystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC薄膜晶体管,其场效应迁移率则可提高近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与所用修饰性的激光处理条件密切相关,具有规律性,故而是可控的,这为工业化技术的掌控提供了基础.
- 孟志国王文吴春亚李娟郭海成熊绍珍张芳
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管
- 底栅微晶硅薄膜晶体管被引量：1
- 2006年
- 对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20%).沉积底栅TFT的微晶硅有源层时,必须计入该影响.因此为了获得良好的I-V特性,选用的硅烷浓度不宜低于3%.由硅基薄膜晶化体积比与系列沉积工艺条件关系和TFT所得薄膜晶化体积比的对比,可清晰证实SiNx对晶化的促进作用.
- 李娟张晓丹刘建平赵淑云吴春亚孟志国张芳熊绍珍
- 关键词：微晶硅
