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西北工业大学研究生创业种子基金(200762)

作品数：2 被引量：4H指数：2
相关作者：施易军陈景东王六定安博更多>>
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相关领域：一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电子发射
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管

机构

  • 2篇西北工业大学

作者

  • 2篇王六定
  • 2篇陈景东
  • 2篇施易军
  • 1篇安博

传媒

  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
开口碳纳米管电子发射场增强因子的研究被引量：2
2008年
利用镜像电荷模型计算了处于外加电场中开口碳纳米管顶端的电势和场强,得到电子发射场增强因子为γ=2(2h/ρ+1)/[ln16(1+16R2/ρ2)]-1。结果表明:外加电场与纳米管的几何参数会影响其顶端的局域电场,从而影响电子场发射;γ与长厚比h/ρ和径厚比R/ρ有关。特别,当管长h一定时,管壁厚度ρ比管的有效半径R对γ的影响更加显著。
施易军王六定陈景东
碳纳米管场增强因子计算模型的研究被引量：2
2008年
场增强因子(β)是评价碳纳米管场发射性能的重要参数之一。本文介绍了几种计算β的模型,分析了各种因素对β的影响。通过对所得β表达式进行比较,总结了不同模型中影响场增强因子的主要因素。
安博王六定施易军陈景东
关键词：碳纳米管
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共1页<1>
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