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国家自然科学基金(69676016)
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
相关作者:
海灏
海宇涵
张蔷
奚中和
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相关机构:
北京联合大学
北京大学
中国科学院电子学研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
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作者
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奚中和
1篇
张蔷
1篇
海宇涵
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海灏
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1篇
电子科学学刊
年份
1篇
1999
共
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用光电灵敏度法研究a-Si:H中的电荷放大效应
被引量:1
1999年
测量了缝电极和梳形电极a-Si:H样品的光伏安特性和光电灵敏度,撮由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法,由此法测现的a-Si:H的电荷放大增益,在10^5V/cm电场下,高达4.3×10^3、本文从能态图讨论了a-Si:H中电荷放大效应的产生过程。由测量的增产佃值计算了电子迁移率与寿命之积。
海宇涵
海灏
奚中和
张蔷
关键词:
非晶硅
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