国家高技术研究发展计划(2004AA302042)
- 作品数：8 被引量：19H指数：2
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- 三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究被引量：2
- 2006年
- 采用MEMS技术在玻璃基片上制备了三明治结构FeNi／Cu／FeNi多层膜，在1—40MHz范围内研究了FeNi／Cu／FeNi多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场日。施加在薄膜的长方向时，巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加，在某一磁场下达到最大值，然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。在频率为5MHz时，巨磁阻抗效应在磁场以：800A／m时达到最大值26．6％。巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关。另外，当磁场施加在薄膜的短方向时，薄膜表现出负的巨磁阻抗效应，在频率5MHz、磁场Ha=9600A／m时，巨磁阻抗效应可达-15．6％。
- 周勇丁文曹莹商干兵周志敏高孝裕余先育
- 关键词：巨磁阻抗效应MEMS技术
- 采用MEMS技术制作的螺线管电感(英文)被引量：1
- 2005年
- 采用微机电系统技术制作了螺线管电感.为了获得高电感量和Q值,采用UV-LIGA、干法刻蚀、抛光和电镀技术,研制的电感大小为1500μm×900μm×70μm,线圈匝数为41匝,宽度为20μm,线圈之间的间隙为20μm,高深宽比为3.5∶1.测试结果表明电感量最大值为6.17nH,Q值约为6.
- 高孝裕周勇王西宁雷冲陈吉安赵小林
- 关键词：电感量微机电系统品质因子
- CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜的巨磁阻抗效应研究被引量：1
- 2006年
- 利用射频磁控溅射技术及微细加工技术制备了三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在频率l～40MHz下研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应,结果表明曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应比单层膜有较大的提高。在交流电流频率5MHz,外加直流磁场100Oe下巨磁阻抗变化率达17.3%。
- 张桂林周勇周志敏
- 关键词：巨磁阻抗微机电系统
- MEMS磁芯螺线管微电感的制作工艺研究被引量：5
- 2005年
- 采用微机电系统(MEMS)技术制作了磁芯螺线管微电感,该技术包括UV-LIGA、干法刻蚀技术、抛光和电镀技术等。研制的微电感大小为1500μm×900μm×100μm,线圈匝数为41匝,宽度为20μm,线圈之间的间隙为20μm,高深宽比为5∶1。测试结果表明:在1～10MHz频率下,其电感量为0.408～0.326μH,Q值为1.6～4.2。
- 高孝裕周勇雷冲陈吉安倪智平毛海平王志民
- 关键词：微电感电感量品质因子微机电系统
- 不同磁芯材料在微电感中的应用被引量：8
- 2005年
- 叙述了坡莫合金,铁氧体和非晶、纳米晶软磁等材料用作微电感磁芯的磁性材料的特性及其对微电感性能的影响,如电感量和Q值。并介绍了螺线管型微电感的制作工艺过程。
- 高孝裕周勇陈吉安毛海平雷冲张亚民王明军
- 关键词：磁芯材料微电感电感量Q值
- 曲折状CoFeSiB三明治薄膜及其巨磁阻抗效应
- 2007年
- 利用射频磁控溅射技术及MEMS技术,制备了曲折状三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在l～40 MHz频率下,研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应以及相应的电阻、电抗变化率。结果表明:曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应,比单层膜有较大的提高,纵向和横向最大GMI效应分别为12.2%和–18.6%。
- 张桂林周勇周志敏
- 关键词：电子技术巨磁阻抗MEMS
- 弯曲形FeSiB/Cu/FeSiB多层膜的应力阻抗效应被引量：2
- 2006年
- 用磁控溅射法制备弯曲形FeSiB／Cu／FeSiB多层膜，在1～40MHz范围内研究FeSiB膜和Cu膜厚度对多层膜结构应力阻抗效应的影响。结果表明：多层膜的应力阻抗效应随着其形变位移的增加近似线性增加，在自由端变形1mm、电流频率5MHz时，应力阻抗效应达-17.3％，在新型力敏传感器方面具有广阔的应用前景。
- 丁文周勇茅昕辉陈吉安曹莹
- 关键词：无机非金属材料磁控溅射
- 曲折形三层等宽FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB多层膜巨磁阻抗效应研究
- 2006年
- 采用磁控溅射方法，在玻璃基片上制备了曲折形三层等宽FeCuNbSiB／Cu／FeCuNbSiB多层膜。在1．40MHz下，研究了多层膜材料的巨磁阻抗（GMI）效应随外加磁场的变化关系。结果表明：在频率为5MHz、磁场强度为12kA／m下，横向和纵向GMI效应分别达-23．5％和-16．8％。薄膜材料的纵向、横向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后降，而纵向表现尤为明显。
- 余先育曹莹周勇丁文商干兵周志敏高孝裕
- 关键词：巨磁阻抗效应微细加工技术
