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国家高技术研究发展计划(2014AA032904)

作品数:4 被引量:2H指数:1
相关作者:赵建华朱礼军鲁军更多>>
相关机构:杭州电子科技大学中国科学院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学矿业工程化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇矿业工程

主题

  • 1篇电路
  • 1篇电路系统
  • 1篇电路系统设计
  • 1篇仪表
  • 1篇仪表放大器
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋电子学
  • 1篇温度补偿
  • 1篇系统设计
  • 1篇巨磁阻传感器
  • 1篇放大器
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇感器
  • 1篇ORDERE...
  • 1篇BARRIE...
  • 1篇DOUBLE
  • 1篇FLUCTU...
  • 1篇超薄膜

机构

  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇鲁军
  • 1篇朱礼军
  • 1篇赵建华

传媒

  • 2篇Chines...
  • 1篇电子科技
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Low frequency noise in asymmetric double barrier magnetic tunnel junctions with a top thin MgO layer
2015年
Low frequency noise has been investigated at room temperature for asymmetric double barrier magnetic tunnel junctions(DBMTJs), where the coupling between the top and middle CoFeB layers is antiferromagnetic with a 0.8-nm thin top Mg O barrier of the CoFeB/MgO/CoFe/CoFeB/MgO/CoFe B DBMTJ. At enough large bias, 1/f noise dominates the voltage noise power spectra in the low frequency region, and is conventionally characterized by the Hooge parameter αmag.With increasing external field, the top and bottom ferromagnetic layers are aligned by the field, and then the middle free layer rotates from antiparallel state(antiferromagnetic coupling between top and middle ferromagnetic layers) to parallel state. In this rotation process αmag and magnetoresistance-sensitivity-product show a linear dependence, consistent with the fluctuation dissipation relation. With the magnetic field applied at different angles(θ) to the easy axis of the free layer,the linear dependence persists while the intercept of the linear fit satisfies a cos(θ) dependence, similar to that for the magnetoresistance, suggesting intrinsic relation between magnetic losses and magnetoresistance.
郭会强唐伟跃刘亮危健李大来丰家峰韩秀峰
巨磁阻传感器的温度补偿电路系统设计被引量:2
2017年
巨磁阻传感器具有灵敏度高、易小型化、能耗低、应用前景广泛等特点,但其灵敏度易受温度的影响,在高性能应用中需进行必要的温度补偿。文中设计针对课题组研制的VA100F3自旋阀巨磁阻传感器灵敏度的温度特性,采用CMOS温度传感器来采集温度信号,并通过模数转换器转变为控制信号,进而调节可调增益放大器的增益,以补偿温度变化所导致的GMR传感器灵敏度的变化,巨磁阻传感器温度补偿前后的灵敏度温度系数分别是2 498 ppm/℃和678ppm/℃,达到了较好的补偿效果。系统各电路均基于CSMC 0.5μm Mix-Signal工艺进行设计,可以实现单芯片集成。
滕志刚朱华辰白茹钱正洪
关键词:巨磁阻传感器温度补偿
Multiferroicity in B-site ordered double perovskite Y_2MnCrO_6
2014年
Double perovskite manganite Y2MnCrO6 ceramic Novel multiferroic properties are displayed with respect is synthesized and its multiferroic properties are investigated. to other multiferroics, such as high ferroelectric phase transi- tion temperature, and the coexistence of ferrimagnetism and ferroelectricity. Moreover, the ferroelectric polarization of Y2MnCrO6 below the magnetic phase temperature can be effectively tuned by an external magnetic field, showing a re- markable magnetoelectric effect. These results open an effective avenue to explore magnetic multiferroics with spontaneous magnetization and ferroelectricity, as well as a high ferroelectric transition temperature.
房勇颜士明乔文王伟王敦辉都有为
关键词:MAGNETISMFERROELECTRICITYMULTIFERROICS
垂直磁各向异性L1_0-Mn_(1.67)Ga超薄膜分子束外延生长与磁性研究
2016年
具有超强垂直磁各向异性的L1_0-Mn_xGa薄膜由于其与半导体材料结构及工艺的高度兼容性而受到广泛关注,其超高垂直磁各向异性能和极低的磁阻尼因子预示着L1_0-Mn_xGa薄膜在高热稳定性自旋电子学器件中将发挥重要作用.而L1_0-Mn_xGa超薄膜对于降低L1_0-Mn_xGa基垂直磁各向异性隧道结中的磁矩翻转临界电流密度有着重要的意义.本文采用分子束外延的方法,在半导体GaAs衬底上成功制备出了一系列不同厚度的L10-Mn_(1.67)Ga薄膜,厚度范围为1—5 nm.生长过程中反射式高能电子衍射原位检测以及X射线衍射结果均表明了其良好的单晶相.磁性测量结果表明,厚度在1 nm以上的L1_0-Mn_(1.67)Ga薄膜均可以保持垂直磁各向异性特征,厚度为5 nm的L1_0-Mn_(1.67)Ga薄膜的垂直磁各向异性能可达到14.7 Merg/cm^3.这些结果为基于L1_0-Mn_(1.67)Ga的垂直磁各向异性隧道结在自旋转移扭矩驱动的磁随机存储器等低功耗器件的集成及应用提供了重要的实验支持.
肖嘉星鲁军朱礼军赵建华
关键词:分子束外延自旋电子学磁各向异性超薄膜
共1页<1>
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