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应用于Bluetooth频率合成器的可编程分频器设计: 2009年; 设计了一种应用于Bluetooth整数频率合成器的可编程分频器。电路设计采用SMIC0．18μmCMOS工艺和Cadence Spectre仿真器。整个分频电路由基于SCL（Source-Coupled Logic）结构实现的16／17双模预分频电路和基于标准数字逻辑单元实现的可编程计数器组成。频率合成器的信道间隔设为1MHz。通过对可编程计数器进行预置数，分频器覆盖整个ISM信号频段（2400-2478MHz）。; 程知群周云芳周苏萍朱雪芳高俊君; 关键词：蓝牙分频器可编程计数器

低功耗单端输入差分输出低噪声放大器被引量：1: 2012年; 该文设计了应用于无线局域网2.4GHz低噪声放大器(LNA),采用了SMIC0.18μm CMOS工艺技术和单端输入差分输出的电路结构。电路同时采用了双支路的电流复用技术,实现了低功耗、低噪声和高增益的性能;通过在输出级增加一级共栅级放大电路,有效地增加了电路的对称性;共源支路串联电感,解决了差分信号相位偏差问题。仿真结果表明,设计的LNA的噪声系数为1.76dB,增益为20.9dB,在1.8V电源电压下,功耗为8.5mW。; 程知群林隆乾; 关键词：无线局域网电流复用低噪声放大器

高增益高线性度CMOS偶次谐波混频器设计被引量：1: 2010年; 设计了一种能应用于GPS接收机的偶次谐波混频器,在RF输入端采用了电流复用电路提高混频器的转换增益和线性度,在LO输入端采用了倍频技术。同时,该拓扑结构还具有低功耗的优点。仿真结果表明:在1.8V电源电压下,RF频率1.575GHz,LO频率0.7895 GHz,LO功率为-5 dBm时,该混频器的转换增益为20.848 dB,三阶交调截至点为-2.297 dBm。表现出了高增益、高线性度的性能。; 程知群高俊君朱雪芳徐胜军; 关键词：倍频技术 CMOS

Design of Wideband LC VCO with small Kvco fluctuation for RFID Synthesizer Application: In this paper,a wideband LC VCO with small Kvco fluctuation for RFID synthesizer application is designed using...; Kaihong Fu

一种采用新型复合沟道GaN HEMTs低噪声分布式放大器(英文)被引量：2: 2008年; 设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器，采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N／Al0.05Ga0.95N／GaNHEMT（CC-HEMT）。给出了低噪声分布式放大器的仿真和测试结果。测试结果显示低噪声分布式放大器在2～10GHz频率范围内，输入和输出端口驻波比均小于2．0，相关增益大于7．0dB，带内增益波纹小于1dB．在2～6GHz频率范围内，噪声系数小于5dB；在2～10GHz频率范围内，噪声系数小于6．5dB；测试结果与仿真结果较吻合。; 程知群周肖鹏陈敬; 关键词：低噪声分布式放大器复合沟道 GAN HEMTS

基于CMOS工艺的改进型电流注入混频器被引量：2: 2009年; 设计了一种改进型电流注入混频器。通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极引入电感形成谐振电路,消除了开关管源极寄生电容的影响,降低了混频器电路的闪烁噪声,增大了混频器电路的增益。混频器电路的设计采用SMIC 0.35μm CMOS工艺库,本振功率为-3 dBm。仿真结果表明,与改进前的混频器电路相比,当本振功率为-3 dBm时,改进型电流注入混频器电路的增益提高了1.76 dB,IIP3提高2.1 dBm,噪声系数降低了0.5 dB。; 程知群李进傅开红周云芳徐胜军张胜; 关键词：电流注入闪烁噪声增益

Design of CMOS Mixer with Complementary Transconductance: 2010年; A current bleeding CMOS mixer with complementary transconductance stage is presented in this paper.The conversion gain of the mixer is increased and the flick noise of the mixer is reduced by inserting the PMOS to form current bleeding circuit in Gilbert mixer.The circuit is designed through SMIC 0.18um CMOS process,the LO frequency is 1.571GHz,RF frequency is 1.575GHz,simulation results show the conversion gain of the mixer is 18.5 dB,SSB NF is about 9.59dB,and third-order input intercept point(IIP3) is-4.6dBm.The mixer consumes 7.8 mA at 1.8 V power supply and the size of the whole layout is 0.73mm×0.68 mm.; ZHANG Sheng CHENG Zhiqun LI Jin ZHOU Pengfei XU Shenjun; 关键词：混频器跨导

一种新型结构AlGaN/GaN HEMT设计: 对新型复合沟道AlGaN/AlGaN/GaN HEMT进行了优化设计;从半导体能带理论与量子阱理论出发自洽求解了器件层结构参数对器件导带能级以及二维电子气(2DEG)中载流子浓度和横向电场影响;用TCAD软件仿真得到器件...; 周肖鹏程知群周伟坚胡莎张胜; 关键词：复合沟道线性度; 文献传递

900MHz低噪声放大器的分析与设计: 2009年; 利用ADS完成了900MHz低噪声放大器的设计。该文重点分析了偏置电路的设计和稳定性的分析。另外对微带线的高频寄生效应等进行了分析,并针对这些因素利用ADS进行了电磁场仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终电路及测试结果。采用ATF35143器件设计,达到了预定的技术指标。; 周鹏飞程知群李进张胜徐胜军; 关键词：低噪声放大器噪声系数阻抗匹配

Design and Linearity Analysis of Current Bleeding CMOS Mixer for GPS Application: this paper describes 3.3V silicon down conversion mixer with a current bleeding Gilbert multiplier and also co...; Jin Li

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