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中央高校基本科研业务费专项资金(2012QN150)

作品数：1 被引量：12H指数：1
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇重复频率
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲功率
  • 1篇开关
  • 1篇半导体

机构

  • 1篇华中科技大学

作者

  • 1篇余岳辉
  • 1篇梁琳

传媒

  • 1篇电力电子技术

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
半导体脉冲功率开关发展综述被引量：12
2012年
介绍了近年来半导体脉冲功率开关的发展和应用情况,具体包括反向开关晶体管(RSD)、半导体断路歼关(SOS)、脉冲晶闸管、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和SiC-JFET。描述了专门用于脉冲功率领域的RSD和SOS开关的结构和工作原理,报道了国内外在脉冲晶闸管方面的工程研究及达到的参数,介绍了基于常见电力电子开关功率MOSFET和IGBT制成的脉冲功率装置,并简介了基于宽禁带半导体材料SiC制成的JFET器件的高温封装技术。
梁琳余岳辉
关键词：半导体开关脉冲功率重复频率
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