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热化学气相沉积法制备定向碳纳米管薄膜被引量：5: 2005年; 采用热化学气相沉积法(CVD),以乙炔为碳源,在单晶硅上制备了定向碳纳米管薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)观察了碳管薄膜及衬底表面形貌。结果表明,以多孔硅为衬底生长的碳纳米管管径均匀且离散分布,定向性良好。生长前氨对催化剂膜的预处理具有刻蚀作用,可显著提高碳管的生长密度,从而获得碳纳米管阵列膜。; 刘长虹程国安艾云龙; 关键词：碳纳米管薄膜

Synthesis of vertically aligned carbon nanotube arrays on silicon substrates被引量：4: 2004年; The growth of well-aligned carbon nanotube (CNT) arrays using a heat chemical vapor deposition system on silicon substrates is reported. The growth properties of CNT arrays are studied as a function of synthesis conditions. It is found that 750°C and 10 nm Fe film are suitable conditions for the growth of well-aligned CNT arrays. CNT arrays with a uniform diameter, thick tube wall and firm cohesion to the Si substrate can be grown for C2H2 concentration of 27%. Based on the experiment, the processes of improving the alignment of CNT arrays and cohesion between CNT arrays and Si substrates are discussed.; ZHENG Ruiting1, CHENG Guoan1, PENG Yibin1, 2, ZHAO Yong1, 3, LIU Huaping1 & LIANG Changlin1 1. Key Laboratory of Radiation Beam Technology and Materials Modification of Ministry of Education, Department of Materials Science and Engineering, Beijing Normal University, Beijing 100875, China; 关键词：CARBON CHEMICAL

单晶硅基底上制备定向生长碳纳米管阵列的研究被引量：11: 2004年; 采用热化学气相沉积技术在单晶硅基底上制备出了定向性好、与基底结合牢固的碳纳米管阵列,研究了制备工艺对定向生长碳纳米管阵列薄膜的影响.研究发现:生长温度在750℃,催化剂厚度在10 nm左右易于形成定向生长的碳纳米管薄膜.在混合气中乙炔的浓度为27％(体积百分比)时,可以获得管型准直、管壁较厚、与基体结合牢固的碳纳米管阵列.另外,对于碳纳米管的定向生长机制及提高其与基体之间的结合力的方法进行了初步探讨.; 郑瑞廷程国安彭宜斌赵勇刘华平梁昌林; 关键词：碳纳米管阵列化学气相沉积

硅中稀土掺杂层的光致发光研究及其关键问题被引量：3: 2005年; 利用离子注入技术 ,对稀土掺杂到半导体单晶硅中的光致发光行为进行了研究。室温下得到了La ,Ce和Nd稀土掺杂层的蓝紫色光致发光光谱 ,并首次观测到硅中稀土掺杂层室温下的光致上转换发光现象。光致发光强度随着稀土掺杂量的增加和热处理温度的上升急剧增强。在紫外光激发下 ,发光强度随着激发光波长的减小而增大 ;在光致上转换过程中 ,发光强度随着激发波长的增加而上升。这表明光致发光强度与稀土元素的掺杂量、掺杂层的结构与热处理温度有密切的关系。文章对在室温下这些稀土掺杂层的光致发光行为进行了分析 ,并提出了硅中稀土掺杂层光致发光行为研究今后需要重点解决的几个主要问题。; 程国安; 关键词：光致发光光谱激发波长热处理温度光波长

乙炔催化裂解制备碳纳米带及其结构表征被引量：8: 2005年; 以乙炔(C2H2)为碳源,铁为催化剂,通过化学气相沉积技术在单晶硅衬底上制备了碳纳米带。采用场发射SEM、TEM、激光Ram an光谱等先进分析手段对其形态和结构进行了表征。研究发现:碳纳米带是一种准二维材料,厚度约30nm,宽度在几百纳米,长度在100μm量级。碳纳米带的碳层沿着与其生长轴方向一致的(002)晶向排列,碳层的边缘都弯曲折叠成封闭结构。碳纳米带中碳层的排列不很平直,其中存在大量的层错。由此认为碳纳米带可用于能源等领域。; 郑瑞廷程国安赵勇刘华平梁昌林; 关键词：化学气相沉积微观结构

C-N化合物薄膜的PE-HFCVD合成研究被引量：2: 2004年; 对等离子体增强热丝化学气相沉积 (PE HFCVD)Si衬底上合成的C N薄膜进行了研究 .利用X射线衍射 (XRD)、反射式高能电子衍射 (RHEED)、扫描电子显微镜 (SEM)等对C N薄膜的物相、形貌以及沉积层结构进行了分析 .结果证实 :在Si衬底上能形成了α C3N4 和 β C3N4 混合相 ,且气流中V(NH3)∶V(CH4 )的比值直接影响C N薄膜中混合相的含量 .由于α C3N4 和 β C3N4 相之间存在的竞相生长 ,导致晶粒很难长大 ,从而形成聚晶结构 ,每个聚晶由大量的纳米晶组成 .; 程国安刘洪刚郑瑞廷赵勇刘华平

碳纳米管负载Ni催化剂制备碳纳米管的研究被引量：3: 2005年; 将硝酸回流预处理过的碳纳米管载体直接浸入镀Ni溶液中,通过化学镀在其表面上沉积出Ni纳米颗粒,并将所制备的Ni/CNTs催化剂用于制备新的高纯度碳纳米管.实验结果表明,碳纳米管载体的酸预处理时间对Ni/CNTs 催化剂在碳纳米管制备过程中的催化性能有很大的影响,从而影响所制备的碳纳米管的形态.当碳纳米管载体在稀硝酸中回流预处理0.5h后,所对应的Ni/CNTs催化剂催化制备的碳纳米管存在严重的缺陷,其主要结构为竹节状和鱼骨型,同时部分碳纳米管在生长过程中分叉,成Y形结构;当碳纳米管载体经稀硝酸回流预处理6h后,其对应的Ni/CNTs 催化剂催化生长的碳纳米管粉体中,碳纳米管的形态均匀,中空,无任何隔膜,因此碳纳米管载体较长时间的酸回流预处理对催化剂的性能有明显的改善.而且相比纯的纳米Ni,Co以及Ni/SiO2催化剂,Ni/CNTs催化剂在碳纳米管的制备过程中,具有更高的催化活性.; 刘华平程国安彭宜斌郑瑞廷赵勇; 关键词：碳纳米管化学镀

MEVVA磁过滤等离子技术制备的Fe纳米颗粒薄膜结构: 2005年; 利用MEVVA磁过滤等离子沉积技术制备了纳米厚度的Fe颗粒薄膜,并利用原子力显微镜和场发射扫描电子显微镜对其结构进行了系统分析。分析结果表明,由于磁过滤的作用,所制备的Fe纳米薄膜结构均匀,不存在由于电弧蒸发引起的大颗粒沉积现象。等离子体不同沉积角度直接影响纳米薄膜的微观结构,随着沉积角度从90°下降到30°,纳米薄膜的结构由起伏变化的纳米聚晶结构逐渐转变为尺度和表面分布均匀的纳米晶结构。经过高温热处理,相比于垂直沉积的纳米薄膜,30°倾斜沉积制备的薄膜微观结构中大晶粒的数量显著下降,形成颗粒分布较好的纳米颗粒薄膜。; 程国安刘华平赵勇郑瑞廷梁昌林陈亮

铁催化薄膜的微观结构对碳纳米管阵列生长的影响被引量：1: 2005年; 本文利用热化学气相沉积法(TCVD),系统地研究了NH3预处理对硅基底上沉积的催化剂铁膜的结构及所制备的碳纳米管形态的影响。研究结果表明,利用氨气对硅基底上的催化剂铁膜进行适当的预处理不仅可以将催化剂颗粒细化,还可以使催化剂在碳纳米管的制备过程中保持较高的催化活性,促进分解出的活性碳原子在催化剂中扩散和析出,增强碳纳米管的成核和生长,从而合成出纯度较高、定向性好的碳纳米管阵列。; 刘华平程国安赵勇郑瑞廷梁昌林; 关键词：碳纳米管阵列催化剂

碳纳米管阵列拉曼光谱的对比研究被引量：23: 2006年; 利用热化学气相沉积技术制备碳纳米管阵列,并对不同工艺下获得的一系列定向碳纳米管阵列进行了拉曼光谱的对比研究。研究发现:碳纳米管阵列一阶拉曼光谱的G峰中心和D峰中心都会向低波数方向发生红移。并且阵列中碳管的一致性、准直性越好,红移的波数就越多。除了谱峰以外,D线和G线的积分强度比ID/IG也能够反映所研究的碳材料的有序度和完整性。ID/IG越低,说明该碳纳米管阵列的石墨化越好,无定形碳杂质越少。; 郑瑞廷程国安赵勇刘华平; 关键词：碳纳米管阵列化学气相沉积拉曼光谱

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