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国家杰出青年科学基金(60825407): 作品数：31 被引量：103H指数：5; 相关作者：徐征赵谡玲张福俊王永生何大伟更多>>; 相关机构：北京交通大学北京北旭电子玻璃有限公司北京中联科伟达技术股份有限公司更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金北京市自然科学基金更多>>; 相关领域：理学电子电信电气工程机械工程更多>>

铕配合物Eu(UVA)3Phen与PVK掺杂体系发光特性的研究被引量：1: 2011年; 将一种新型稀土铕配合物Eu(UVA)3Phen作为掺杂剂与基质PVK按不同质量比进行掺杂,对混合薄膜的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性进行了研究。实验结果表明,共掺杂体系中存在从PVK到Eu(UVA)3Phen的F rster能量传递。通过优化主客体材料的配比浓度,当掺杂浓度为4%时,得到了色纯度较好地红光器件。; 孙钦军徐征赵谡玲张福俊高利岩; 关键词：铕配合物光致发光电致发光

倾斜式生长ZnS纳米柱状薄膜及其透射性能的研究被引量：2: 2010年; 采用倾斜式生长的方法,在本底真空为3×10-4Pa,生长率为0.2 nm.s-1的条件下,通过改变衬底的法线方向与入射粒子流的夹角α,在ITO导电玻璃衬底上制备了ZnS纳米薄膜。在α=80°和85°时,样品的X射线衍射谱证实了不同倾斜角时所制备薄膜中均有纳米ZnS晶体形成,扫描电子显微镜(SEM)图像显示,所形成的薄膜均呈现出了柱状结构,并且倾斜角为85°时所得到的纳米柱直径大于80°时所得结果;在α=0°时,相应测量结果表明,虽然在不同衬底上也形成了纳米ZnS晶体薄膜,但并未见柱状结构,而是形成了一层均匀且致密的薄膜。对两种薄膜结构的生长动力学过程作了分析。ITO衬底上薄膜的透射光谱表明ZnS柱状薄膜能够提高可见光的透过率,因此对柱状ZnS纳米薄膜的研究将有利于提高电致发光器件的发光效率。; 卢丽芳徐征张福俊赵谡玲宋丹丹厉军明王永生徐叙瑢; 关键词：透射光谱

新型X射线影像存储屏的研究: 2009年; 室温下在Eu2+掺杂的BaBrCl中,发现经X射线辐照后的光激励发光(PSL).光激励谱和差吸收谱(DAS)基本相同,均为峰值波长位于550和675nm处的宽带谱,表明经X射线辐照后F心形成.这使得用半导体激光器代替气体激光器作为读出光源成为可能.PSL强度与X射线辐照剂量呈线性关系,转化效率为BaFBr:Eu富士IP板的29%.; 王永生孟宪国何大伟; 关键词：光激励发光色心电子俘获

混合界面对溶液制备的磷光OLED器件性能的影响: 2011年; 利用混蒸的方法、将空穴阻挡材料2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanhroline及电子传输材料Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium混合,在电子传输层及空穴阻挡层之间制备了薄层的混合界面。在相同驱动电压下,采用混合界面的器件比常规器件的电流密度和亮度都有明显提高,在电压为10 V时,常规器件的电流密度和发光功率分别为5.13 mA.cm-2和1.03μW,而采用混合界面的器件可以分别达到18.1mA.cm-2和3.64μW。通过分析认为,引起这些提高的原因主要来自于混合界面的存在提高了电子在界面附近的传输和注入,也增大了到达发光层的电子数目,从而增大了发光几率,引起了电流密度和发光功率的共同增长。; 宋丹丹赵谡玲徐征张福俊卢丽芳张妍斐孔超闫光; 关键词：磷光电子注入电子传输

非溶剂掺杂完善自组织机理提升高度区域规则的(3-己基噻吩)有机场效应晶体管器件性能的研究: 2011年; 为了保证在低温加工及溶液制备的情况下,能够提升高度区域规则的聚(3-己基噻吩)(RR-P3HT)有机场效应晶体管(OFET)的器件性能,本文研究了室温下乙醇及乙腈非溶剂的掺杂,及其对高分子自组织机理与导致的RR-P3HTOFET电学性能的影响.实验发现,适量进行乙醇及乙腈非溶剂的掺杂,将促进RR-P3HT薄膜形成更多期望的微晶粒薄片结构,完善高分子自组织机理,导致RR-P3HTOFET电学性能的提升.实验表明,在RR-P3HT溶液中进行5%乙腈添加后,其器件场效应迁移率的值由原来的4.04×10-4cm2/V·s增加到3.39×10-3cm2/V·s,RR-P3HTOFET的场效应迁移率增强了大约8倍.而当乙醇及乙腈非溶剂掺杂浓度过量时,二维微晶粒结构的有序度降低,并且产生了明显的沉淀析出现象,薄膜呈现明显的龟裂现象,这样的沉淀物析出物在导电沟道里将作为缺陷存在,降低了RR-P3HT OFET的器件性能.; 田雪雁赵谡玲徐征姚江峰张福俊徐叙瑢; 关键词：场效应迁移率

高分子有机场效应晶体管中退火引起的自组织微观结构变化的研究: 2011年; 为了进一步洞悉高分子薄膜自组织机理和高分子有机场效应晶体管(OFET)载流子迁移率之间的直接关联性,本工作采用先进的同步辐射掠入射X射线衍射(GIXRD)技术,研究了高分子OFET中高分子半导体高度区域规则的聚(3-己基噻吩)(RR-P3HT)工作层薄膜,由不同退火温度所导致的薄膜自组织微观结构的变化.GIXRD测试实验结果显示了,对于不同高分子薄膜制备方法(旋涂法及滴膜法)及不同溶液浓度(RR-P3HT溶液浓度为2.5mg/ml及3.5mg/ml)制备的RR-P3HT有机半导体工作层,在氮气气氛下,经过150℃热退火后,形成的噻吩环面垂直于基底,π-π堆积方向平行于衬底二维微晶粒薄片结构较多,微晶粒薄片的晶粒结构较好,有利于载流子的传输.GIXRD测试实验结果也验证了,一个合适的退火处理,将更有利于这个自组织过程中"edge-on"的微晶粒薄片结构的形成,结果将导致高分子OFET中场效应迁移率的提高.; 田雪雁赵谡玲徐征姚江峰张福俊贾全杰陈雨龚伟樊星; 关键词：自组织退火

共轭聚合物中掺杂可溶性石墨烯对于OLED和OPV性能的影响: 2013年; 本文重点研究了不同浓度可溶性石墨烯(SPFGO)对于聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)]对苯乙炔(MEHPPV)/SPFGO复合薄膜的光致发光(PL)、有机电致发光(OLED)和有机光伏(OPV)性能的影响.研究发现,在MEH-PPV中掺杂SPFGO之后,MEH-PPV/SPFGO复合薄膜的光致发光发生了非常强烈的猝灭,意味着MEH-PPV和SPFGO之间发生了非常强烈的载流子传输.当SPFGO的浓度较低的时候,能够提高OLED的性能,当SPFGO的浓度为0.2%时,OLED的性能达到最佳,而此时的OPV性能基本没有改变.当掺杂较高浓度的SPFGO之后,OPV的性能有了明显的提升,当浓度为15%时,OPV达到了最佳的性能,而此时的OLED发生了非常强烈的猝灭.通过实验数据可以看出,当SPFGO较低浓度的时候,起到增强载流子注入的作用,提升OLED亮度的同时降低了开路电压.而当SPFGO达到较高浓度时,SPFGO作为电子受体,可以起到改善MEH-PPV/SPFGO界面激子分裂和提高OPV性能的作用.因此,通过调节SPFGO浓度可以起到独立调控OLED性能和OPV性能的作用.; 何家琪何大伟王永生刘智勇; 关键词：OLED OPV

有机薄膜晶体管中接触效应的研究: 2010年; 研究了接触效应对有机薄膜晶体管性能的影响.首先在n型重掺杂Si片上制备了以MOO3修饰的Al电极为源漏电极的Pentacene基OTFTs(organic thin film transistors),器件场效应迁移率μef达到0.42cm2/V·s,阈值电压VT为-9.16V,开关比4.7×103.通过中间探针法,对器件电势分布做了定性判断,发现源漏端电势分布不均匀;沟道电阻RL和接触电阻RC都随着栅压VG增加而减小,并且RL减小的比RC更快;RL随源漏电压VDS增加缓慢变大.随后采用电荷漂移理论对其输出特性进行了分析和理论模拟,发现考虑接触电阻后,由实验结果计算得出的器件场迁移率增加两倍多,达到1.1cm2/V·s.因此如何分析、减小接触电阻是OTFT器件提高性能和实现、扩大应用中要解决的重要问题之一.; 孙钦军徐征赵谡玲张福俊高利岩田雪雁王永生; 关键词：有机薄膜晶体管场效应迁移率

有机薄膜晶体管直流电流-电压模型的研究被引量：2: 2013年; 通过对有机薄膜晶体管(OTFT)电流-电压特性的研究,建立了一种用于电路模拟的仿真程序(SPICE)的OTFT直流电流-电压模型,所用的参数都可从实验特性曲线中提取。对一种基于并五苯(Pentacene)的底栅顶接触(TC)结构的OTFT的实验曲线进行参数提取,并利用所得的参数与建立的模型进行仿真,得到的输出特性和转移特性曲线与实验结果无论在线性区还是在饱和区都具有较强的一致性,验证了本文所建模型及参数的准确性。建立的模型能够准确描述OTFT的直流特性,可用于有机电路的SPICE仿真。; 尹飞飞徐征赵谡玲张福俊陈跃宁徐叙瑢

退火处理提高P3HT:PCBM聚合物太阳能电池光伏性能被引量：17: 2011年; 利用旋转涂膜方法制备了以P3HT:PCBM为有源层的聚合物太阳能电池,器件结构为ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/Al(氧化铟锡导电玻璃/聚二氧乙基噻吩:聚对苯乙烯磺酸/聚三已基噻酚:富勒烯衍生物/铝),研究了退火温度对聚合物太阳能电池性能的影响.实验发现:聚合物薄膜经过120°C退火10min处理后,开路电压(Voc)达到0.64V,短路电流密度(Jsc)为10.25mA·cm-2,填充因子(FF)38.1%,光电转换效率(PCE)达到2.00%.为了讨论其内在机制,对不同退火条件下聚合物薄膜进行了各种表征.从紫外-可见吸收光谱中发现,退火处理使P3HT在可见光范围内吸收加强且吸收峰展宽,特别是在560和610nm处的吸收强度明显增大;X射线衍射(XRD)结果表明,120°C退火后P3HT在(100)晶面上的衍射强度是未退火薄膜的2.8倍,有利于光生载流子的输运;原子力显微镜(AFM)研究结果表明,退火显著增大了P3HT与PCBM的相分离程度,提高了激子解离的几率;傅里叶变换红外(FTIR)光谱验证了退火并没有引起聚合物材料物性的变化.; 卓祖亮张福俊许晓伟王健卢丽芳徐征; 关键词：聚合物太阳能电池激子光电转换效率退火处理

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