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安徽省高等学校优秀青年人才基金(2005kj1031)
作品数:
1
被引量:4
H指数:1
相关作者:
柯导明
代月花
陈军宁
高珊
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相关机构:
安徽大学
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发文基金:
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相关领域:
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高珊
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陈军宁
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代月花
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柯导明
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电子学报
年份
1篇
2007
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基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型
被引量:4
2007年
本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects)和DIBL(drain-inducedbarrier lowering).通过求解二维泊松方程建立了复合多晶硅栅LDMOST的二维阈值电压解析模型.模型考虑了LDMOS沟道杂质浓度分布和复合栅功函数差的共同影响,具有较高的精度.与MEDICI数值模拟结果比较后,模型得以验证.
代月花
高珊
柯导明
陈军宁
关键词:
LDMOS
阈值电压
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