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国家高技术研究发展计划(2002AA421190)

作品数:3 被引量:18H指数:3
相关作者:熊良才柳海鹏史铁林周月豪马龙更多>>
相关机构:华中科技大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇金属学及工艺

主题

  • 3篇准分子
  • 3篇准分子激光
  • 3篇激光
  • 3篇分子
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学刻蚀
  • 1篇电铸
  • 1篇微电铸
  • 1篇刻蚀
  • 1篇激光技术
  • 1篇光电化学
  • 1篇光技术
  • 1篇PMMA
  • 1篇
  • 1篇LIGA

机构

  • 3篇华中科技大学

作者

  • 3篇史铁林
  • 3篇柳海鹏
  • 3篇熊良才
  • 2篇周月豪
  • 1篇龙芋宏
  • 1篇马龙

传媒

  • 3篇激光技术

年份

  • 2篇2006
  • 1篇2005
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
LIGA工艺中微电铸工艺研究被引量:8
2006年
为了得到微米级的微型结构,先用准分子激光加工高深宽比的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微孔结构,并以此和光刻成型的微结构作为模具,进行了微电铸试验,通过对电镀参数方法进行调整和优化,改善了微结构加工中镀液难以进入孔隙、浓差极化严重、结晶粒子不能得到及时补充等缺点,得到了线宽为10μm级的微型结构。为进一步的微结构加工奠定了基础。
马龙周月豪熊良才柳海鹏史铁林
关键词:微电铸LIGA准分子激光PMMA
准分子激光直刻横向影响区实验研究被引量:5
2005年
采用248nmKrF准分子激光直接刻蚀金属和半导体,在加工后的试件表面上观察到了横向影响区。将其定义为两个部分,通过各部分的大小和颜色变化情况来描述横向影响的程度,研究了它们与激光参数之间的关系。在实验结果的基础上,提出了减小横向影响区的措施和方法。
柳海鹏周月豪熊良才史铁林
关键词:准分子激光
准分子激光电化学刻蚀硅的刻蚀质量研究被引量:5
2006年
为了解决现有硅刻蚀工艺中存在的刻蚀质量等问题,采用激光加工技术和电化学加工技术相结合的工艺对硅进行了刻蚀,研究了该复合工艺的工艺特性。实验中采用248nm KrF准分子激光作光源聚焦照射浸在KOH溶液中的阳极n-S i上,实现激光诱导电化学刻蚀。在实验的基础上,研究了激光电化学刻蚀S i的刻蚀孔的基本形貌,并对横向刻蚀和背面冲击等质量问题进行了分析。结果表明,该工艺刻蚀的孔表面质量好、垂直度高;解决了碱液中S i各向异性刻蚀的自停止问题,具有加工大深宽比微结构的能力;也具有不需光刻显影就能进行图形加工的优越性。
龙芋宏熊良才史铁林柳海鹏
关键词:激光技术光电化学准分子激光刻蚀
共1页<1>
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