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国家自然科学基金(60076027)

作品数：6 被引量：19H指数：4
相关作者：温殿忠赵晓锋田凤军穆长生赵晓峰更多>>
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 4篇MEMS
  • 3篇MEMS技术
  • 1篇电路
  • 1篇引线
  • 1篇振荡
  • 1篇振荡特性
  • 1篇双注入
  • 1篇内引线
  • 1篇硼扩散
  • 1篇微机电系统
  • 1篇线槽
  • 1篇刻蚀
  • 1篇机电系统
  • 1篇激光
  • 1篇激光打孔
  • 1篇激光技术
  • 1篇激光刻蚀
  • 1篇各向异性腐蚀
  • 1篇光技术
  • 1篇光刻

机构

  • 6篇黑龙江大学

作者

  • 6篇温殿忠
  • 2篇赵晓锋
  • 2篇田凤军
  • 1篇李点美
  • 1篇王璐
  • 1篇赵晓峰
  • 1篇穆长生
  • 1篇杨志

传媒

  • 3篇传感器技术
  • 1篇黑龙江大学自...
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2001
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
基于SOI硅片研制新型P^+-I-N^+双注入磁敏差分电路被引量：1
2005年
阐述基于SOI硅片制造新型P+ I N+双注入磁敏差分电路的设计原理和制造工艺。构成新型P+ I N+双注入磁敏差分电路的磁敏三极管的复合区采用MEMS中的各向异性腐蚀技术进行设置,给出了这种复合区的复合机理。实验结果表明:此种三极管具有磁灵敏度高、噪声低和可靠性高的特点。因此,由这种新型磁敏三极管构成的差分电路具有温度漂移小的优点。
田凤军温殿忠
关键词：微机电系统各向异性腐蚀
采用MEMS制作新型硅磁敏三极管特性研究被引量：4
2004年
给出采用MEMS技术在硅片表面制作矩形板状立体结构新型硅磁敏三极管的基本结构及灵敏度特性、电压-电流特性、磁电特性和温度特性,对新型硅磁敏三极管样品基本特性进行研究的结果表明:该新型硅磁敏三极管的集电极电流相对磁灵敏度较高,最大可达227%/T,具有负温度系数且温度系数较小。同时,给出影响新型硅磁敏三极管特性的基本因素。
赵晓锋田凤军温殿忠
关键词：MEMS技术
激光刻蚀硅磁敏三极管发射区引线槽的研究被引量：7
2003年
提出了一种激光与微电子机械加工系统 (MEMS)相结合刻蚀硅磁敏三极管发射区引线槽的方法。实验结果表明 ,利用这种新方法刻蚀的硅磁敏三极管发射区引线槽具有刻蚀速率大、质量好的优点 ,并且可以实现对 ,〈111〉晶向硅片无掩膜加工。
温殿忠
关键词：激光技术激光刻蚀
基于MEMS技术新型硅磁敏三极管负阻-振荡特性被引量：4
2005年
介绍了一种新型硅磁电负阻振荡器件———S型负阻振荡硅磁敏三极管.该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件,采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线的制作.实验结果表明,集电极电流随外加磁场的变化而变化;在基极注入电流一定时,出现集电极电流受外加偏压VCE调制的负阻振荡特性,且集电极电流振荡随外加磁场而变化.对该器件负阻振荡特性的形成机理进行了讨论,结果表明,在集电区n+π结和基区与π区形成的p+π结均处于反偏条件下,当π区满足雪崩倍增效应产生的条件时,该磁敏三极管伏安特性曲线中的Vp+π偏压相对应的基极注入条件下的集电极电流出现S型负阻振荡特性.在发射极和基极间的n+π结和p+π结附近存在的大量深能级杂质将对负阻振荡特性进行调制.
赵晓锋温殿忠
关键词：MEMS
采用MEMS技术制造硅磁敏三极管被引量：10
2001年
阐述了采用MEMS技术与反外延技术相结合在硅片表面制造具有矩形板状立体结构的硅磁敏三极管的设计原理、结构和工艺。结果表明 ,设计的硅磁敏三极管制造技术不但能与IC工艺相兼容 ,而且便于集成化 ,将有广泛的应用领域。
温殿忠穆长生赵晓峰
关键词：MEMS技术
硅基微电感的研究
2006年
阐述了一种在硅杯表面采用浓硼扩散区与镀金属膜形成的欧姆接触电极作为内引线的硅基电感的新制造方法,提出了在硅杯背面用激光器打孔以减薄衬底厚度,从而使电感的Q值得到提高的一种方案,并应用目前普遍采用的电感模型,利用Ansys有限元软件中的电磁分析模块模拟了电感几何参数与磁感应强度、电感值的关系。结果表明,该方法具有制造工艺简单、与IC工艺相兼容的优点,有广泛的应用领域。
李点美王璐杨志温殿忠
关键词：MEMS内引线激光打孔
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