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国家高技术研究发展计划(2006AA03A106)

作品数：2 被引量：0H指数：0
相关作者：郭丽伟贾海强丁国建邢志刚徐培强更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子产品
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇照明
  • 1篇照明市场
  • 1篇势垒
  • 1篇势垒层
  • 1篇迁移率
  • 1篇子产
  • 1篇晶体管
  • 1篇功率
  • 1篇功率发光二极...
  • 1篇二极管
  • 1篇二维电子
  • 1篇二维电子气
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇白光
  • 1篇白光LED

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇周均铭
  • 1篇陈弘
  • 1篇陈耀
  • 1篇徐培强
  • 1篇邢志刚
  • 1篇丁国建
  • 1篇贾海强
  • 1篇郭丽伟

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科技成果

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构
2010年
在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251Ω/□的薄层电阻.
丁国建郭丽伟邢志刚陈耀徐培强贾海强周均铭陈弘
关键词：二维电子气高电子迁移率晶体管
大功率发光二极管外延材料生长技术
2011年
GaN基LED在照明市场的前景备受全球瞩目，它将成为21世纪的新一代光源。白光LED与白炽灯相比可节省80％～90％的电能，且寿命可超过10万小时。目前主要问题是芯片成本高，但从电子产品性价比发展规律看，半导体灯进入普通家庭已为期不远。
关键词：大功率发光二极管GAN基LED白光LED照明市场电子产品半导体灯
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