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LDO稳压器对嵌入式系统掉电保护作用的研究被引量：4: 2016年; 针对嵌入式系统掉电保护的问题,对低压差(LDO)线性稳压器对系统掉电保护的作用进行了研究。实验以基于LPC2138的嵌入式系统为例,测试了压降不同的3款稳压器对系统掉电后工作时间的影响。通过分析实验数据,得出结论:低压降的LDO线性稳压器相对普通的稳压器具有显著的优势,系统掉电后,它能够为系统提供更加充足的时间向外部存储设备写入重要信息。; 程万前阮慧郭少艾郭月俊王彪; 关键词：LDO稳压器掉电保护嵌入式系统 LPC2138

RAS在线监测AlGaAs的MOCVD生长(英文)被引量：1: 2011年; 通过瞬态反射各向异性谱和瞬态反射谱在线监测和研究了AlxGa1-xAs的生长过程,利用金属有机化合物汽相淀积技术在GaAs(001)衬底上生长了多层AlxGa1-xAs结构。选择最适合在线监测生长过程的探测光能量,在此探测光能量处所得到的反射各向异性谱和反射谱的信号在生长过程中有很明显的振荡行为产生。研究发现,通过瞬态反射各向异性谱可以很好地分辨出由表面引起的光学各向异性和由界面处引起的光学各向异性,能够得到界面处形成缺陷的信息,并且发现了反射各向异性谱和反射谱的信号随着铝组分的不同而发生有规律的变化。; 徐华伟张金龙宁永强曾玉刚张星

微型铷原子钟专用795nm垂直腔表面发射激光器被引量：10: 2014年; 针对铷(87 Rb)原子钟激励光源微型化和高温工作的特殊需求,设计并制备了对应铷原子能级跃迁的795nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。首先,根据k·p理论计算了InAlGaAs/AlGaAs量子阱的价带能级和材料增益,得到最优的量子阱组分和厚度;然后,采用一维传输矩阵方法设计了795nm波段的布拉格反射器(DBR),根据完整结构VCSEL器件的驻波场分布设计了掺杂分布;最后,采用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了优化的795nm VCSEL外延结构,并制备了氧化限制型非闭合台面结构的795nm顶发射器件。实验显示:封装后的75μm口径器件可在室温至85℃范围内连续工作,最高功率为17mW,激光光束呈圆形,发散角为15°,激射波长的温漂系数为0.064nm/℃;在温度为52℃、注入电流为100mA时,激射波长位于794.7nm(对应铷原子钟需要的波长),基本满足铷原子钟激励光源对波长稳定和高温工作的要求。; 张建宁永强张建伟张星曾玉刚王立军; 关键词：垂直腔面发射激光器高温

多层AlGaAs的时间分辨归一化反射率及各向异性反射率谱在线监测及分析被引量：1: 2012年; 通过光学在线监测技术对多层AlxGa1-xAs样品生长过程中的生长速率与表面结构进行了分析。描述了选取合适探测光子能量的方法并在线监测了样品生长过程中表面归一化反射率(Normalized Reflectance,NR)和各向异性反射率(Reflectance Anisotropy,RA)随生长时间的变化,得到了样品的时间分辨NR及RA曲线,利用光学干涉原理解释了NR曲线的振荡衰减特性。不同AlxGa1-xAs层NR曲线收敛值随Al组分的单调变化被认为是材料的折射率变化引起的,而RA值随Al组分的增加而增加说明Al原子的并入对表面光学各向异性有影响。通过拟合每一层材料的归一化反射谱振荡曲线得到了各层生长速率,与扫描电镜测试结果差别小于0.02 nm/s。对时间分辨RA曲线分析发现,生长温度对GaAs表面原子结构产生了影响。; 张建伟宁永强张星张建徐华伟张金龙曾玉刚王立军; 关键词：在线监测技术 MOCVD

1060nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区设计(英文)被引量：4: 2012年; 对1 060 nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区进行了理论计算和设计。对比了GaAsP、GaAs和AlGaAs三种不同材料的垒层所组成的高应变InGaAs量子阱的性能。为了确定有源区阱层和垒层的参数,考虑了自热效应对功率的影响,使得模型更加精确可靠。发现所设计的In0.28Ga0.72As量子阱的阱宽和阱数的最佳值分别为9 nm和3个,输出功率可以达到瓦级。另外,对比了三种不同垒层的温度特性,结果显示,使用GaAsP垒层的器件在高温下具有更高的功率和更好的温度稳定性。最后,利用MOCVD生长了InGaAs/GaAsP量子阱并测试了其PL谱,实验数据与理论结果符合得很好。; 张立森宁永强曾玉刚张艳秦莉刘云王立军曹军胜梁雪梅; 关键词：垂直腔面发射激光器瓦级 INGAAS

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国家自然科学基金(61106047)