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国家自然科学基金(10804095)

作品数:6 被引量:2H指数:1
相关作者:刘亚丽叶佳宇王靖林何垚王安福更多>>
相关机构:云南大学郧阳师范高等专科学校昆明学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”云南省应用基础研究基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇化学工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 4篇储氢
  • 2篇NA
  • 2篇储氢性能
  • 1篇氮氢化合物
  • 1篇导体
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇氧缺陷
  • 1篇态密度
  • 1篇退火
  • 1篇氢化
  • 1篇氢化合物
  • 1篇脱氢
  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇化合物
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇光学
  • 1篇光学性

机构

  • 5篇云南大学
  • 2篇郧阳师范高等...
  • 1篇昆明学院

作者

  • 3篇王靖林
  • 3篇叶佳宇
  • 3篇刘亚丽
  • 2篇王安福
  • 2篇何垚
  • 1篇任玲

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇真空
  • 1篇郧阳师范高等...
  • 1篇昆明学院学报
  • 1篇凝聚态物理学...
  • 1篇现代物理

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2010
  • 1篇2009
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
新型储氢材料B-N-H化合物储氢性能的理论研究
2013年
本文采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,探究B-N-H储氢材料的储氢性能。首先从NH4BH4出发,陆续通过改变基团结构,由NH3BH3过渡到[BH4][BH2 (NH3)2],先后从晶体结构、电子结构的角度进行详细分析,并分别计算三种结构的脱氢能量,综合对比,为最终实现脱氢能量的降低提供理论依据。研究发现:NH4BH4、NH3BH3和[BH4][BH2 (NH3)2]三者均是从BH4或BH3团簇内脱去H最容易,然而NH4BH4中BH4和NH4团簇局域性非常强,脱氢所需能量较高;NH3BH3中NH3和BH3之间已成键,团簇间相互作用增强,于是B与周围H之间的相互作用减弱,脱氢能量降低;进一步改变基团结构,从[BH4][BH2 (NH3)2]的结构来看,BH4局域性更弱,BH4基团与BH2 (NH3)2基团的原子间轨道交叠更明显,相互作用更强,致使BH4基团内部B与H之间相互作用继续降低,于是脱氢能量进一步降低。
刘蓝琦赵亚芹何垚
关键词:储氢态密度脱氢
Ti催化剂对NaAlH_4和Na_3AlH_6可逆储氢性能的影响
2013年
应用第一性原理对纯净以及掺杂Ti的NaAlH4和Na3AlH6体系晶格结构、脱氢能、电子局域函数(ELF)和电子态密度(DOS)及电荷转移进行计算.比较Ti掺杂对NaAlH4和Na3AlH6分解脱氢的不同催化效果,提出了Na3AlH6体系中非成键的存在是造成掺杂对NaAlH4分解放氢的催化作用明显大于Na3AlH6的原因.
任玲
关键词:储氢性能
笼形水合物储氢材料的研究概述被引量:1
2009年
综述近几十年来国内外笼形水合物储氢材料的研究概况,介绍笼形水合物储氢材料的结构、稳定性,并对不同结构水合物的储氢特性及储氢量进行比较.最后对笼形水合物储氢材料研究中存在的问题及今后的发展方向进行探讨与展望.
王安福刘亚丽叶佳宇王靖林何垚
关键词:储氢材料储氢
Zr催化剂对NaAlH_4和Na_3AlH_6可逆储氢性能的影响被引量:1
2010年
采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,分别计算纯净的以及掺杂Zr的NaAlH4和Na3AlH6的晶格结构常数、能量、电子局域函数和电子态密度.结果表明:NaAlH4和Na3AlH6分别是带隙为4.6和3.1eV的绝缘体;NaAlH4和Na3AlH6中Al—H键是共价键,Na—H键是离子键;Zr原子替代Na原子后,NaAlH4中Zr—H键比原Na—H键强,同时Al—H键变弱;Zr原子替代Al原子后,Zr—H键比原Al—H键弱,使H原子容易脱离.从结合能看,NaAlH4和Na3AlH6掺杂Zr后,结构比原来稳定,脱氢需要的能量降低.
叶佳宇刘亚丽王靖林何垚
关键词:储氢
具有氧缺陷的SrTiO<sub>3</sub>的电子结构和光学性质的第一性原理研究
2014年
近年来,钙钛矿型氧化物由于其具有独特的结构以及丰富的物理化学性质而受到广泛的关注。SrTiO3(以下简称STO)是一种典型钙钛矿型氧化物,具有典型钙钛矿结构所具有的特点,并且其较高的介电常数、低介电损耗及良好的热稳定性使其备受关注。本文针对其结构特性及光学性质运用了第一性原理进行了研究,发现运用LDA + U方法能够更准确地描述其电子结构,获得与实验值更加吻合的禁带宽度。在这基础上,我们能够准确地预言,通过氧缺陷能够引入缺陷态,并在吸收谱中引入新的吸收带,实现对可见光的有效利用。
陈清源何垚
关键词:第一性原理计算光学性质
磁控溅射制备纳米二氧化钒半导体薄膜及表征
2010年
本文采用射频磁控溅射法,结合氩气气氛退火工艺制备了VO2薄膜。通过优化磁控溅射和热退火工艺,结合激光拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、电镜扫描(SEM)对薄膜的相结构、组分和表面形貌进行分析。结果表明:溅射衬底温度为150℃,在450℃氩气气氛退火2.5 h能制备出高质量的VO2薄膜,表面呈米粒状,有一定的取向性。
王安福刘亚丽叶佳宇王靖林
关键词:VO2薄膜磁控溅射退火
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