公共文化服务平台

共 2 条记录，以下是 1-2

全选清除导出

排序方式：

不同设计参数MOS器件的γ射线总剂量效应被引量：2: 2007年; 采用非加固工艺,通过设计加固手段实现具有辐射容忍性能的器件,可使器件抗辐射加固成本大为降低。本工作研究商用标准0.6,μm体硅CMOS工艺下不同设计参数的MOS晶体管的γ射线总剂量辐照特性。通过对MOS器件在不同偏置情况下的总剂量辐照实验,分别对比了不同宽长比(W/L) NMOS管和PMOS管的总剂量辐照特性。研究表明,总剂量辐照引起阈值电压的漂移量对NMOS及PMOS管的W/L均不敏感;总剂量辐照引起亚阈区漏电流的增加随NMOS管W/L的减小而增加。研究结果可为抗辐射CMOS集成电路设计中晶体管参数的选择提供参考。; 李冬梅皇甫丽英王志华勾秋静; 关键词：MOS晶体管总剂量

NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究被引量：5: 2007年; 采用商用标准0.6μm体硅CMOS工艺设计了不同宽长比、不同沟道长度及不同版图结构的非加固型NMOS晶体管作为测试样品.经高剂量60Coγ射线的总剂量辐照实验,讨论其在不同栅源偏置电压下的总剂量辐照特性.研究表明NMOS总剂量效应对辐照时栅源偏置电压敏感;辐照引起阈值电压的漂移随W/L的变化不明显;沟道长度及版图结构对NMOS管辐照后的源漏极间泄漏电流的影响显著.; 李冬梅王志华皇甫丽英勾秋静雷有华李国林; 关键词：NMOS晶体管辐照效应总剂量

全选清除导出

共1页<1>

国家自然科学基金(60372021F010204)