吉林省科技发展计划基金(20080170)
- 作品数：4 被引量：11H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 氧化铝缓冲层对ZnO薄膜性质的影响被引量：2
- 2009年
- 采用反应磁控溅射的方法在石英衬底上制备了一层Al2O3薄膜,并将其作为后续ZnO薄膜生长的缓冲层。然后,采用反应磁控溅射的方法在Al2O3缓冲层上制备了ZnO薄膜。对比研究了引入Al2O3缓冲层前后,ZnO薄膜的结构和光学特性。通过引入Al2O3缓冲层,发现ZnO薄膜样品的(002)方向x射线衍射峰的半峰宽(FWHM)明显减小,光致发光谱中与缺陷相关的可见发光峰强度明显减弱,吸收光谱中的吸收边变得更加陡峭。这些结果表明引入Al2O3缓冲层后,ZnO薄膜的结构和光学特性得到了很大改善,为制备高质量ZnO薄膜提供了参考。
- 王新向嵘陈立姜德龙李野王国政
- 关键词：ZNO薄膜X射线衍射发光光谱吸收光谱
- 磁控溅射制备氧化硅薄膜生长速率(英文)被引量：3
- 2009年
- 氧化硅薄膜是半导体工业中常见的薄膜材料,通常采用化学气相沉积方法制备。但是这种制备方法存在缺欠。采用磁控溅射的方法首先在石英衬底上制备了氧化硅薄膜。研究了射频功率、氧气含量和溅射压强对氧化硅薄膜沉积速率的影响。发现沉积速率随着射频功率的增加而增加;随着氧气含量的增加,先减小后增大;当溅射压强在0.4～0.8Pa之间变化时,沉积速率变化很小,当溅射压强超过0.8Pa时沉积速率迅速下降。讨论了不同生长条件下造成氧化硅薄膜生长速率变化的原因。
- 姜德龙王新向嵘王国政田景全
- 关键词：氧化硅磁控溅射
- 热退火对氧化镓薄膜性质的影响被引量：3
- 2008年
- 采用真空蒸发技术在蓝宝石衬底上制备了氧化镓透明半导体薄膜;研究了热退火对氧化镓薄膜结构、电学和光学等特性的影响。在退火前,氧化镓薄膜是一种无定型的、高阻薄膜。经过退火后转变成多晶薄膜,但薄膜的电学特性变化较小。随着退火温度的升高,氧化镓薄膜逐渐形成了(401)择优取向,薄膜的光学带隙也随之变大,在750℃退火时得到了最大的光学带隙为4.79eV。
- 王新向嵘田景全姜德龙李野王国政端木庆铎
- 关键词：热退火结构特性光学特性
- 基于氧化铝缓冲层的Si基ZnO薄膜研究被引量：5
- 2010年
- 高质量的ZnO薄膜通常生长在蓝宝石等晶格匹配好的衬底上,在晶格失配较大的Si衬底上很难得到高质量的ZnO薄膜,而在Si衬底上制备高质量的ZnO薄膜更具有广泛应用前景。本文采用反应磁控溅射的方法,在Si衬底上,通过引入Al2O3缓冲层,在不同氧气和氩气比例下制备了高质量的ZnO薄膜。研究了引入Al2O3缓冲层后,对ZnO薄膜结构和光学特性的影响。发现对于不同氧气和氩气比例下生长的ZnO薄膜样品,其(002)方向的X射线衍射峰的半峰宽(FWHM)明显减小,光致发光谱中紫外发光与可见发光峰值强度比明显增强。表明引入Al2O3缓冲层后,ZnO薄膜的结构和光学特性得到了很大改善,从而为在Si衬底上制备高质量ZnO薄膜提供了参考。
- 向嵘王新姜德龙李野田景全
- 关键词：半导体技术ZNO薄膜X射线衍射发光光谱
