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国家高技术研究发展计划(2001AA312060)

作品数：9 被引量：27H指数：3
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文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇噪声
  • 3篇电路
  • 3篇振荡器
  • 3篇相位
  • 3篇相位噪声
  • 3篇放大器
  • 3篇CMOS
  • 2篇压控
  • 2篇锁存
  • 2篇锁存器
  • 2篇跨阻放大器
  • 2篇环形振荡器
  • 2篇光纤
  • 2篇PHEMT
  • 2篇CMOS工艺
  • 1篇低相位噪声
  • 1篇电压控制振荡...
  • 1篇压控振荡器
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇英文

机构

  • 9篇东南大学

作者

  • 9篇王志功
  • 8篇朱恩
  • 6篇熊明珍
  • 5篇冯军
  • 4篇章丽
  • 2篇蔡水成
  • 2篇陈莹梅
  • 1篇夏春晓
  • 1篇陈海涛
  • 1篇王欢
  • 1篇刘丽
  • 1篇陆建华
  • 1篇仇应华
  • 1篇王雪艳
  • 1篇胡艳
  • 1篇高建军
  • 1篇谢婷婷

传媒

  • 4篇Journa...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇光通信研究

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2003
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
16GHz CMOS4∶1分频器被引量：5
2006年
采用TSM C 0.18μm标准CM O S工艺实现了一种4∶1分频器。测试结果表明,电源电压1.8 V,核心功耗18 mW。该分频器最高工作频率达到16 GH z。当单端输入信号为-10 dBm时,具有5.8 GH z的工作范围。该分频器可以应用于超高速光纤通信以及其它高速数据传输系统。
刘丽王志功朱恩熊明珍章丽
关键词：分频器锁存器互补金属氧化物半导体光纤通讯系统
一种高工作频率、低相位噪声的CMOS环形振荡器被引量：6
2004年
采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器。环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90°的正交输出时钟,芯片采用台湾TSMC0.18μmCMOS工艺。测试结果表明,振荡器在5GHz的工作频率上,在偏离主频10MHz处相位噪声可达-89.3dB/Hz。采用1.8V电源电压时,电路的功耗为50mW,振荡器核芯面积为60μm×60μm。
陈莹梅王志功朱恩冯军章丽熊明珍
关键词：低相位噪声环形振荡器CMOS工艺TSMC主频环路
12Gb/s0.25μm CMOS数据判决和1∶2数据分接电路
2004年
采用 TSMC 0 .2 5μm CMOS工艺成功实现了用于光纤传输系统的 12 Gb/s数据判决和 1∶ 2数据分接电路 .测试结果显示 ,在 3.3V电源供电情况下 ,功耗为 6 0 0 m W,其中包括 3路输出缓冲 .输入信号单端峰峰值为 2 5 0 m V时 ,该芯片的工作速率超过 12 Gb/s,相位裕度超过 10 0°.芯片面积为 1.0 7mm× 0 .99m m.
王欢王志功冯军朱恩陆建华陈海涛谢婷婷熊明珍章丽
关键词：数据判决CMOS光纤传输系统D触发器锁存器
10Gb/s,0·2μm GaAs PHEMT跨阻放大器分析与设计被引量：1
2006年
对基于0·2μmGaAsPHEMT工艺设计的10Gb/s低噪声前置放大器进行了理论分析与仿真,并且进行了流片测量验证.电路采用共源结构,噪声小,灵敏度高.测量结果表明该前置放大器在3·3V单电源、50Ω输出负载的条件下,跨阻为57·8dB·Ω,带宽可达到11GHz,芯片面积为0·5mm×0·4mm.测试结果与理论分析和仿真结果比较符合,此前置放大器可以工作在10Gb/s速率.
蔡水成王志功高建军朱恩
关键词：PHEMT噪声
2.5Gbit/s PHEMT前置放大器噪声分析与验证
2007年
根据OMMIC公司通过测量得到的0.2μm GaAs PHEMT器件参数模型和噪声模型,设计了2.5Gbit/s的共源跨阻前置放大器.并根据PHEMT晶体管Y参数下的噪声模型,结合Y参数和ABCD参数下的噪声密度矩阵,分析了电路在带有晶体管噪声源情况下整个电路的噪声电压,得出了共源跨阻前置放大器等效输入噪声电流密度的理论公式.实现了芯片制作,并且对芯片进行了噪声参数的测量,测量结果、仿真结果和理论分析结论在6GHz的频率范围内基本符合.
蔡水成王志功朱恩
关键词：PHEMT跨阻放大器噪声
5GHz0.18μm CMOS工艺正交输出VCO被引量：1
2004年
文章采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器.环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90℃的正交输出时钟.采用TSMC0.18μmCMOS工艺进行流片,电压控制振荡器(VCO)的频率范围为4.9～5.5GHz,模拟的相位噪声为-119.3dBc/Hz@5M,采用1.8V电源电压,核芯电路的功耗为30mW,振荡器核芯面积为60μm×60μm.
陈莹梅王志功朱恩冯军章丽
关键词：相位噪声环形振荡器电压控制振荡器VCO正交输出
11GHz CMOS环形压控振荡器设计被引量：12
2005年
设计了一种全差分高速环形压控振荡器 (VCO) .该VCO有三级 ,每一级的增益是快慢通路增益的矢量叠加和 ,快慢通路的增益由底部电流源决定 ,差分控制电压通过镜像电流源控制快慢通路的各自电流 ,最终实现对振荡频率的调节 .分析了VCO的工作原理及其相位噪声 .电路采用TSMC公司 0 18μm标准CMOS工艺制作 .测试结果显示 :芯片工作频率为 10 88～ 11 72GHz ,相位噪声为 - 10 1dBc/Hz@10MHz,输出信号抖动为 3 8psrms,在 1 8V电源电压下的直流功耗约为 75mW .
王雪艳朱恩熊明珍王志功
关键词：压控振荡器相位噪声射频电路
5Gb/s 0.25μm CMOS限幅放大器(英文)被引量：1
2003年
采用 TSMC 0 .2 5μm CMOS技术设计实现了高速低功耗光纤通信用限幅放大器 .该放大器采用有源电感负载技术和放大器直接耦合技术以提高增益 ,拓展带宽 ,降低功耗并保持了良好的噪声性能 .电路采用 3.3V单电源供电 ,电路增益可达 5 0 d B,输入动态范围小于 5 m Vpp,最高工作速率可达 7Gb/ s,均方根抖动小于 0 .0 3UI.此外核心电路功耗小于 4 0 m W,芯片面积仅为 0 .70 mm× 0 .70 m m.可满足 2 .5 ,3.12 5和 5 Gb/ s三个速率级的光纤通信系统的要求 .
胡艳王志功冯军熊明珍
关键词：限幅放大器有源电感CMOS
10Gb/sNRZ码时钟信息提取电路被引量：1
2005年
利用法国OMM IC公司的0.2μm G aA s PHEM T工艺,设计实现了10 G b/s NRZ码时钟信息提取电路。该电路采用改进型双平衡G ilbert单元的结构,引进了容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路,大大提高了电路的性能。测试表明:在输入速率为9.953 28 G b/s长度为223-1伪随机序列的情况下,提取出的时钟的均方根抖动是1.18 ps,峰峰值抖动是8.44 ps。芯片面积为0.5 mm×1 mm,采用-5 V电源供电,功耗约为100 mW。
仇应华王志功朱恩冯军熊明珍夏春晓
关键词：非归零码砷化镓
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