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国家自然科学基金(60878063)

作品数:11 被引量:39H指数:4
相关作者:陈长水刘颂豪李国斌孟耀勇张平丽更多>>
相关机构:华南师范大学赣南师范大学总参谋部更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省中医药管理局基金更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程医药卫生更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇理学
  • 4篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 1篇生物学
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇政治法律

主题

  • 4篇光电
  • 3篇微构造
  • 3篇激光
  • 3篇红外
  • 2篇中红外
  • 2篇探测器
  • 2篇光谱
  • 2篇
  • 2篇INGAN/...
  • 1篇单量子阱
  • 1篇蛋白
  • 1篇电池
  • 1篇电特性
  • 1篇电子学
  • 1篇形貌
  • 1篇血红
  • 1篇血红蛋白
  • 1篇血迹
  • 1篇氧合
  • 1篇氧合血

机构

  • 11篇华南师范大学
  • 1篇赣南师范大学
  • 1篇总参谋部

作者

  • 8篇陈长水
  • 7篇刘颂豪
  • 3篇何慧丽
  • 3篇李国斌
  • 2篇张平丽
  • 2篇孟耀勇
  • 2篇王芳
  • 1篇廖昱博
  • 1篇韦俊雄
  • 1篇文玮
  • 1篇董永芳
  • 1篇肖军
  • 1篇李江华
  • 1篇李娜
  • 1篇刘荣挺
  • 1篇张大庆

传媒

  • 2篇量子电子学报
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇发光学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇光学学报
  • 1篇Chines...
  • 1篇Chines...
  • 1篇大气与环境光...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
微构造硅及其应用研究进展和展望
<正>在特定的气体氛围下,用一定能量密度的超短脉冲激光连续照射单晶硅片表面,可在硅表面得到具有奇特光电性质的微米量级尖锥结构,该微锥结构被称为黑硅(图1)。这一新材料有奇特的光电性质,如对0.25μm到近16μm波长的光...
陈长水何慧丽王芳
文献传递
超快激光微构造硅的研究与应用被引量:4
2012年
在特定的气体氛围下,用一定能量密度的超短脉冲激光连续照射单晶硅片表面,或者离子注入在硅中引入硫族元素等方法,可在硅表面得到具有奇特光电性质的微米量级尖锥结构,该微锥结构被称为黑硅。这一新材料有奇特的光电性质,如对0.25~17μm波长的光有强烈的吸收,具有良好的场致发射特性等,为硅提供许多新的功能。Mazur教授预言这种新材料相当于60年前的半导体,在探测器、传感器、显示技术及微电子等领域都有重要的潜在应用价值,尤其在高效太阳能电池领域具有其他材料无可比拟的优越性。本文介绍了超快激光微构造硅的形成机理,研究进展、光电特性以及应用前景。
陈长水何慧丽李江华刘颂豪
关键词:光电探测器太阳能电池超快激光
中红外光源技术和痕量物质检测研究
<正>主要介绍中红外技术的发展情况,重点介绍窄线宽(或单频率)中红外激光光源情况和单频中红外技术在痕量气体、同位素气体等的检查分析研究情况等。在现在研究的基础上,对新的光源技术和痕量物质检测在生物工程、环境、医疗、军事、...
陈长水刘颂豪
文献传递
显微拉曼光谱法定量检测碳氧血红蛋白饱和度被引量:5
2012年
采用显微拉曼光谱技术对不同饱和度碳氧血红蛋白(HbCO)进行测定,通过偏最小二乘法(PLS)和间隔偏最小二乘法(IPLS)建立模型,得出线性回归方程.结果表明,经过筛选变量信息所建立的间隔偏最小二乘模型(IPLS),当血红蛋白系列样品中碳氧血红蛋白含量为0~100%时,线性相关系数的平方为0.99,检测限为5.37%,完全能满足临床和法医学上CO中毒程度的检测.此方法具有快速、简便、直接、对样品无损等优点,有望成为检测碳氧血红蛋白饱和度的新方法.
张平丽孟耀勇肖军廖昱博
关键词:拉曼光谱碳氧血红蛋白氧合血红蛋白偏最小二乘法
差频产生中红外光源的线宽分析被引量:3
2012年
差频法具有无需复杂腔型调整、输出激光调谐范围宽、效率较高等综合优点,是获得3~5μm中红外激光光源的重要手段。推导了差频产生中红外激光的输出光波长、线宽以及功率的公式,重点讨论了输出激光线宽与抽运光波长和线宽、信号光线宽以及温度等因素的关系。结果表明,输出激光线宽主要由抽运光和信号光的线宽决定。
陈长水韦俊雄刘颂豪
关键词:激光器中红外激光差频产生准相位匹配
微构造硅表面形貌的陷光特性研究被引量:3
2011年
在特定的气体氛围下,用一定能量密度的飞秒激光连续照射单晶硅片表面,可制备出表面具有准规则排列微米量级锥形尖峰结构的黑硅材料。利用几何光学中光的传输理论,研究了黑硅材料的陷光特性,以及黑硅表面准规则排列的微米量级锥形尖峰结构的形状和密度对反射次数的影响。得到黑硅的表面准规则排列的微米量级锥形尖峰结构的高度越高、间距越小和底角越大,它的陷光效果就越好的结论。
何慧丽陈长水王芳刘颂豪
关键词:激光技术飞秒激光
基于可见反射光谱和遗传区间偏最小二乘法的血迹年龄预测研究被引量:6
2015年
精确的血迹年龄预测具有重大的法医学价值。利用可见反射光谱技术与偏最小二乘法(PLS)相结合分析预测血迹年龄。遗传算法与偏最小二乘法相结合被用来选择有效光谱区间。与全光谱PLS模型相比较,建立在优化光谱区间的遗传区间偏最小二乘法(GA-i PLS)模型具有更好的预测能力。结果表明GA-i PLS能合理地选择有效光谱区间,提高预测能力。在考虑取自不同个体血迹特异性的情况下,建立在2.00~48.00 h时间段和48.00~1080.00 h时间段的GA-i PLS模型的相关系数(Rp)、预测标准误差(RMSEP)和剩余预测偏差(RPD)分别为0.9949/0.9924、1.59 h/43.56 h、10.32/8.42。两个GA-i PLS模型的结合可代替建立在2.00~1080.00 h时间段的GA-i PLS模型精确预测2.00~1080.00 h时间段的血迹年龄。结果表明可见反射光谱与GA-i PLS模型在法医学领域可成为一种可靠的精确预测血迹年龄的方法。
董永芳孟耀勇张平丽文玮李娜
关键词:光谱学法医学
In含量对InGaN/GaN LED光电性能的影响被引量:4
2013年
运用软件模拟和理论计算的方法分析了In含量对发光二极管光电性能的影响,研究了In含量与光谱功率密度、量子阱中载流子的浓度、辐射速率、发光功率等之间的关系。分析结果表明:电子泄漏与能带填充是影响光电性能的主要原因。当In含量较低时,随着电流密度增大(<8 kA/cm2),光谱发生蓝移程度相对较小,但电流密度太大(>8 kA/cm2)会造成电子泄漏,发光功率降低;而当In含量较高时,随着电流密度增大,光谱发生蓝移程度相对较大,但在电流密度较大时,会获得较高的发光功率。因此,为了使InGaN/GaN发光二极管获得最大量子效率与发光效率,应该根据电流密度的大小(8 kA/cm2)来选择In含量的高低。
李国斌陈长水刘颂豪
关键词:数值模拟
Size Effect on the Raman Spectra and Electronic Structure of the Glycine-alanine Oligopeptide Chains
2016年
A theoretical study on oligopeptide chains of glycine-alanine by density functional theory(DFT) is given in this paper. Raman spectra of the oligopeptide chains are examined. The geometric structures, frontier orbital, energy gap, atomic charge distribution, density of states and chemical activity of the side chain are studied at the B3LYP/6-31G(d) level. Results show that, with the number of residues increasing, vibrations of typical functional groups present Raman frequency shift, and the energy gap is gradually reduced. The HOMO and LUMO focus on the amino and carboxyl at the ends of oligopeptides. It is helpful for oligopeptides to self-assemble into chains. In addition, different residues(glycine or alanine) at the ends of chains result in the even-odd effect of orbital energy in the growth process. The size effects of physical and chemical properties only exist when the oligopeptides are shorter, and the phenomenon disappeared as the chain continues to grow.
余敏孟耀勇
单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究被引量:4
2014年
通过对In_xGa_(1-x)N掺杂不同组份的In来改变In_xGa_(1-x)N的禁带宽度,从而改变量子阱势垒高度,并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间的关系、通过仿真模拟实验研究了不同量子阱势垒高度与InGaN/GaN量子阱发光二极管的功率光谱密度、内量子效率、发光功率及复合率之间的关系、分析结果表明:1)In含量与发光二极管的光电性能并非成线性关系。2)在电流密度较低时,In组份越小,光谱密度峰值越大,发光功率越大、3)在电流密度较大时,In组份越大,光谱密度峰值越大,发光功率越大、4)光谱蓝移与电流密度大小紧密相关,电流密度大的蓝移程度大,反之越小、因此,应根据不同的电流密度来选择In组份的大小,从而提高发光效率、
张大庆李国斌陈长水
关键词:光电子学INGANGAN发光二极管
共2页<12>
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