国家高技术研究发展计划(2006AA032219)
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 相关作者：沈鸿烈尹玉刚祝红芳鲁林峰李丹更多>>
- 相关机构：南京航空航天大学江西工业职业技术学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划长江学者和创新团队发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- Mn掺杂ZnO纳米材料的制备与性能研究
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上沉积过渡族金属Mn掺杂的ZnO薄膜。将5％及7％原子比的MnO，与ZnO粉末充分混合后，加压制成靶材，通过改变溅射过程中的气氛和衬底温度沉积了Zn1-xMnxO薄膜。x射线衍射和场发射扫描电镜的分析表明：掺入≤7％的Mn原子不会改变薄膜的晶体结构，薄膜呈高度（002）晶面择优取向；薄膜表面均匀致密，颗粒尺寸约为30hm；Mn的掺入使薄膜的电学性能明显改善，但氧分压的使用或者Mn含量过大又会使薄膜的电阻率增加。
- 楼晓波沈鸿烈张惠
- 关键词：磁控溅射ZNO薄膜MN掺杂电学特性
- Mn、Co掺杂SiC薄膜结构与光致发光性能研究被引量：1
- 2008年
- 采用射频磁控溅射技术和复合靶材方法制备了掺Mn,掺Co和Co、Mn共掺的SiC薄膜,经高温退火后进行了光致发光(PL)谱的测量,还用X射线衍射(XRD),傅立叶变换红外光谱(FTIR),扫描电镜(SEM)等表征手段分析了薄膜的相结构和表面形貌,并与光致发光的结果进行了对比研究。结果表明,掺Mn、Co使SiC晶格发生畸变,X射线衍射峰强度下降,Si-C吸收谱变宽,Si—C键振动减弱,Si-O基团的振动增强。样品在室温条件下均呈现出强的紫光发射特性,发光峰均位于414nm(3.0eV),认为414nm处的光致发光峰对应于光激发产生的电子从导带底到Si空位浅受主能级之间的辐射跃迁,其强度取决于Si空位的浓度。
- 宋曙光沈鸿烈李丹蔡红唐正霞
- 关键词：SIC薄膜磁控溅射掺杂荧光性能
- β-FeSi_2薄膜的结构与光电特性被引量：2
- 2008年
- 用磁控溅射法沉积了Fe/Si多层膜和Fe单层膜,在真空和Ar气中热退火2 h后制备了β-FeSi2半导体光电薄膜。发现Fe/Si多层膜在880℃温度下热退火后,制备的β-FeSi2薄膜的XRD结果均呈现β(220)/(202)择优取向,而Fe单层膜制备的β-FeSi2样品则呈无规则取向。原子力显微镜分析表明,Ar气退火的样品表面粗糙度大于真空退火的样品。根据光吸收谱测量,Fe/Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜的禁带宽度室温下为0.88 eV。由Fe/Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜具有明显的光电导效应,这种效应在真空退火样品中更为显著,在40W光源照射下,光电导效应大于30%。
- 祝红芳沈鸿烈尹玉刚鲁林峰
- 关键词：磁控溅射
- 真空热处理制备β-FeSi2光电薄膜的研究被引量：1
- 2007年
- 磁控溅射法沉积的Fe／Si多层膜和Fe单层膜经真空热处理后制备了β-FeSi2薄膜。[Fe1nm／Si3.2nm]60多层膜在〈880℃温度下真空热处理2h后，样品均呈现β（220）／（202）择优取向，而Fe单层膜制备的样品则易形成β-FeSi2与ε-FeSi相的混合物，且取向杂乱。在920℃真空热处理后，两种样品都形成了α-FeSi2薄膜。原子力显微镜分析表明，样品表面粗糙度随热处理温度升高而变大，最大表面均方根粗糙度约为16nm。卢瑟福背散射分析发现，Fe／Si多层膜样品热处理过程中元素再分布很小。根据光吸收谱测量，Fe／Si多层膜制备的β-Fesi2薄膜的禁带宽度为0．88eV。
- 沈鸿烈高超黄海宾
- 关键词：光电薄膜Β-FESI2真空热处理磁控溅射
