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BiFeO_3掺杂K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3-LiSbO_3无铅压电陶瓷的相变及退极化性能研究被引量：2: 2010年; 采用传统陶瓷常压烧结工艺,制备了BiFeO3掺杂0.95K0.5Na0.5NbO3-0.05LiSbO3(0.95KNN-0.05LS)无铅压电陶瓷,研究了该陶瓷的相转变、热滞与退极化性能。未掺杂和掺杂0.4mol%BiFeO3的0.95KNN-0.05LS陶瓷在室温下分别为正交相结构和正交相与四方相共存结构。掺杂后的陶瓷样品具有明显的热滞现象,热滞的温区约为300～380℃,对应陶瓷四方相与立方相共存的温区。所有陶瓷样品的平面机电耦合系数kp随温度的升高均减小,在300℃以下均有kp≥0.30。掺杂与未掺杂的KNN-LS陶瓷的退极化温度分别为360℃和370℃。; 江民红刘心宇龚晓斌成钧; 关键词：无铅压电陶瓷相变退极化机电耦合系数

(1-x)Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3-xBiNiO_3无铅压电陶瓷的制备与性能被引量：4: 2010年; 利用传统固相合成法制备了(1-x)Na0.5K0.5NbO3-xBiNiO3((1-x)NKN-xBN)无铅压电陶瓷。采用X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对其显微结构与性能进行研究。结果表明,该体系所研究组分范围内均能形成典型的ABO3型钙钛矿结构,在x=0.006～0.008间存在准同型相界(MPB)。体系主要压电性能在x=0.008左右获得优化,其压电常数d33和机电耦合系数kp均达到极大值(分别为135pC/N和44%),机械品质因数Qm为122,正交-四方转变温度T和居里温度T分别为155℃和385℃。; 刘超英刘心宇江民红; 关键词：无铅陶瓷铌酸钾钠压电性能

BiCrO_3掺杂Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3压电陶瓷的制备与性能: 2010年; 采用传统固相合成法制备了BiCrO3掺杂Na0.5K0.5NbO3无铅压电陶瓷。借助XRD、SEM等手段对该陶瓷的显微结构与电性能进行了研究。结果表明,当BiCrO3掺杂量为0.2%～1.0%(摩尔分数),样品均为ABO3型钙钛矿结构。当BiCrO3掺杂量为0.4%(摩尔分数)时,所得陶瓷样品具有最优综合电性能,其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因素Qm、斜方–四方相变温度tO-T和居里温度tC分别为138pC/N,0.32,30,175℃和410℃。; 刘超英刘心宇江民红刘久元马家峰; 关键词：无铅压电陶瓷压电性能

真空退火时间对ZAO薄膜的结构与性能的影响被引量：1: 2009年; 采用射频磁控溅射法制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究了真空退火对其组织结构和光电性能的影响规律。结果表明,所制备的ZAO薄膜厚度均匀、组织致密,具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构,400℃真空退火后,薄膜晶粒粗大,(002)晶面择优取向性进一步加强。延长退火时间对薄膜的相结构、组织形貌及晶粒大小没有明显的影响。随着退火时间的增加,薄膜的电阻率呈降低趋势,退火3 h时电阻率最低,为2.25×10-3Ω.cm,但长时间退火,电阻率变化不大。薄膜样品的透光率随真空退火时间的延长先降低,后升高,再降低;样品在真空退火4 h时对可见光的平均透过率最佳,在80%以上。退火后,ZAO薄膜的吸收边发生了蓝移现象,光学禁带宽度增大。; 江民红刘心宇成钧周秀娟李海麒; 关键词：真空退火透明导电薄膜

无铅压电陶瓷K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3-BiFeO_3的烧结工艺与压电性能研究被引量：4: 2009年; 采用传统常压固相烧结工艺制备了掺杂0.8at%BiFeO3(BF)的K0.5Na0.5NbO3(KNN)无铅压电陶瓷,着重研究了烧结温度与保温时间对陶瓷的晶体结构、相转变、致密度与压电、介电性能的影响.研究结果表明,所有陶瓷样品都为单一的钙钛矿结构,烧结温度与保温时间对陶瓷样品的室温晶体结构与相转变温度几乎没有影响,但对陶瓷的表面形貌、密度和压电性能有较大的影响.当保温时间为3h,在1100℃至1150℃范围内,随烧结温度的升高,陶瓷的压电常数d33、平面机电耦合系数Kp及机械品质因数Qm均一直升高,介电损耗tanδ则显著降低.当烧结温度为1150℃时,随保温时间的增加,陶瓷的压电性能先显著提高后基本保持不变.1150℃保温2h烧结的陶瓷获得良好的性能:密度ρ=4.50g/cm3(致密度为95.63%),d33=132pC/N,Kp=45%,Qm=333.73,tanδ=2.39%.; 江民红陈何欣刘心宇杨理清周昌荣; 关键词：无铅压电陶瓷 K0.5NA0.5NBO3 烧结温度压电性能

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广西教育厅科研项目(200807LX121)