国家自然科学基金(60976044)
- 作品数：8 被引量：27H指数：4
- 相关作者：曲轶李辉马祥柱刘国军赵博更多>>
- 相关机构：长春理工大学吉林大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”高功率半导体激光国家重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 中红外半导体激光器GaSb基材料的刻蚀研究被引量：6
- 2013年
- 锑化物半导体激光器在中红外波段具有广泛的应用前景。针对目前GaSb基材料的刻蚀工艺存在的问题,对现有的GaSb基材料的湿法刻蚀工艺进行了改进,实验分别用氢氟酸系和磷酸系对GaSb材料进行湿法刻蚀,并在两种酸系溶液中分别加入酒石酸进行对比试验。实验分析表明,这两种腐蚀液对GaSb材料都有较好的刻蚀效果,腐蚀速率稳定,适当调整腐蚀液组分可以调控腐蚀速率,刻蚀后形貌良好,材料表面平整光滑。其中氢氟酸系加入酒石酸后随着溶液稀释比的增加,刻蚀速率下降先快后慢,最后几乎不变化;磷酸系加入酒石酸后通过调整体系组分可以减轻湿法刻蚀工艺中广泛存在的下切效应以及钻蚀现象。
- 田超群魏冬寒刘磊高婷赵博李辉曲轶
- 关键词：湿法刻蚀GASB氢氟酸酒石酸
- 基于AlN膜结构VCSEL热特性的研究(英文)被引量：1
- 2010年
- 本文用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和Si O2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布.目的是证明Al N膜钝化层要比SiO2膜钝化层有具更好的特性,使器件能更稳定的工作,提高器件的特性,经模拟得到基于Al N膜钝化层的VCSEL热阻为3.12℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.77℃/W.经实验测得基于Al N膜钝化层的VCSEL热阻为3.59℃/W而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.82℃/W,模拟结果和实验结果吻合较好.说明AlN膜钝化层要比SiO2膜钝化层具有更好的热特性.
- 马祥柱张斯钰赵博李辉霍晋曲轶
- 关键词：垂直腔面发射激光器SIO2膜
- C-mount封装不同激光器芯片尺寸的热阻分析被引量：10
- 2011年
- 采用波长漂移法对基于C-mount封装类型的不同尺寸芯片的热阻进行测量,得到了使热阻最小的最佳芯片尺寸和铟焊料厚度。测量结果表明,在铟焊料厚度为10μm、输出功率为2 W、条宽为200μm、腔长为2 000μm时,激光器芯片的热阻最小值为2.01℃/W。在铟焊料厚度为5μm和10μm两种条件下,对腔长为2 000μm的不同条宽的激光器芯片的热阻进行了测量,在铟焊料厚度为5μm时,激光器芯片的热阻由原来的2.01℃/W降到了1.85℃/W。
- 马祥柱霍晋曲轶杜石磊王宇
- 关键词：激光二极管
- 高功率905nm InGaAs隧道结串联叠层半导体激光器被引量：4
- 2013年
- 设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构,采用分子束外延进行激光器材料的外延生长,材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射/减反射膜、焊装等工艺,制作成条宽200μm、腔长800μm的半导体激光器。两隧道结激光器在脉冲宽度100ns,重复频率10kHz,30A工作电流下输出功率达到80 W,峰值发射波长为905.6nm,器件的阈值电流为0.8A,水平和垂直方向的发散角分别为7.8°和25°。
- 李辉曲轶张剑家辛德胜刘国军
- 关键词：高功率应变量子阱隧道结半导体激光器
- 基于AlN膜钝化层VCSEL激光器热特性的研究被引量：1
- 2010年
- 用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和SiO2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布。经模拟得到基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.123℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.377℃/W。经实验测得基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.54℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.75℃/W,模拟结果与实验结果吻合较好。
- 马祥柱霍晋曲轶杜石磊
- 关键词：垂直腔面发射半导体激光器SIO2膜ANSYS
- 高性能980nm单模半导体激光器被引量：4
- 2010年
- 采用经过优化的新型大光腔结构,设计出低发散角的980nm半导体激光器,利用分子束外延系统生长出应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,并制作出980nm单模半导体激光器。器件在3μm条宽,750μm腔长时,100mA电流下室温连续输出功率达到70mW以上。激光器的最大斜率效率为0.89W/A.垂直方向远场发散角为28°.器件在250mA工作电流下输出功率达到190mW.器件在70℃温度下仍可以正常工作。
- 李辉曲轶高欣薄报学刘国军
- 关键词：光电子学与激光技术高功率
- 650nm VCSEL-下一代光通信的光源被引量：1
- 2011年
- 由于新型的聚合物塑料光纤(Plastic Optic Fiber,简称POF)的出现,以及其在通信网络领域的应用前景,使得与该种光纤相对应的光源成为极具潜力的光纤通信光源。650nm垂直腔面发射激光器(VCSELs)正是满足这一需要的光电子器件,本文从光纤通信的需求出发,简要介绍了VCSELs的特点。并详尽地说明了现有650nm VCSELs的外延结构以及国内外在该领域的研究现状。同时,针对现有器件的缺点,作者提出了一些技术上的解决方法并阐明了650nm VCSELs的发展方向。
- 李特郝二娟李再金王勇芦鹏曲轶
- 关键词：光通信VCSELS
- 自由空间用半导体激光器抗辐射的研究
- 2011年
- 为了提高半导体激光器的抗辐射性能,满足空间应用的需要,在介绍了空间辐射环境的基础上,对空间辐射在半导体激光器中产生的总剂量效应、单粒子翻转效应和位移效应进行了分析,并探讨了半导体激光器在空间辐射环境中相应的抗辐射防护技术。对980 nm单模半导体激光器采用了端面镀膜、Al2O3绝缘介质层、真空封装等抗辐射的改进措施,有效地提高了半导体激光器的抗辐射能力。
- 杨旭曲轶李辉赵博赵强张斯钰高欣薄报学刘国军
- 关键词：半导体激光器抗辐射
