国家自然科学基金(60976093)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- 相关机构：华东师范大学中国科学院国家研究院更多>>
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- 高迁移率InGaAs／InP量子阱中的有效g因子
- 2012年
- 利用化学束外延法制备了高迁移率的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱样品.在样品的低温磁输运测试中,观察到纵向磁阻的Shubnikov-de Hass(SdH)振荡和零场自旋分裂引起的拍频.本文提出一种解析的方法,即通过同时拟合不同倾斜磁场下SdH振荡的傅里叶变换谱,得到有效g因子的大小.
- 魏来明周远明俞国林高矿红刘新智林铁郭少令戴宁褚君浩Austing David Guy
- 关键词：磁阻
- HgCdTe反型层的磁输运性质被引量：1
- 2012年
- 利用成本低廉的液相外延技术,成功制备了具有金属-绝缘体-半导体结构的HgCdTe场效应管器件.在该器件中,观察到清晰的Shubnikov-de Hass振荡和量子霍尔平台,证明样品具有较高的质量.测量零场附近的磁阻曲线,在HgCdTe-基器件中观察到反弱局域效应,表明样品中存在较强的自旋-轨道耦合作用.利用Iordanskii-Lyanda-Pikus理论,很好地拟合了反弱局域曲线.由拟合得到的自旋分裂能随电子浓度的增大而增大,最大达到9.06 meV根据自旋分裂能得到的自旋-轨道耦合系数同样随电子浓度的增大而增大,与沟道较宽的量子阱中所得到的结果相反.
- 高矿红魏来明俞国林杨睿林铁魏彦锋杨建荣孙雷戴宁褚君浩
- 关键词：二维电子气HGCDTE
