国家自然科学基金(90301009)
- 作品数：9 被引量：13H指数：2
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- 室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装被引量：1
- 2008年
- 应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像和接触角实验证实,Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒已经自组装到了S i衬底表面,并且表面比较平整,纳米晶粒分布均匀.
- 赵伟明甘新慧戴明徐岭孙萍李卫马懿马忠元吴良才徐骏陈坤基
- 关键词：半导体纳米晶体自组装刻蚀
- 激光干涉结晶法制备一维周期结构的纳米硅阵列
- 2008年
- 利用激光干涉结晶方法,采用周期为400nm的一维(1D)移相光栅掩模调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在不同厚度的超薄氢化非晶硅(a-Si:H)膜内直接制备1D有序纳米硅(nc-Si)阵列.拉曼散射谱表明,样品上呈条状分布的受辐照区域发生晶化.原子力显微镜和透射电子显微镜测试结果表明:1D的nc-Si阵列的周期和移相光栅掩模一样.随着a-Si:H膜厚度从10nm降至4nm,通过控制激光的能量密度,每个周期中nc-Si条状分布区宽度可达到30nm.nc-Si条状分布区的高分辨电子显微镜照片显示出清晰的nc-Si晶格像.
- 姚尧方忠慧周江李伟马忠元徐骏黄信凡陈坤基宫本恭幸小田俊理
- 关键词：纳米硅
- 控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响被引量：3
- 2008年
- 在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,利用逐层淀积非晶硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO2)介质层.电容电压(C-V)和电导电压(G-V)测量结果表明:利用该方法在低温(250℃)条件下制备的SiO2介质层均匀致密,其固定氧化物电荷和界面态密度分别为9×1011cm-2和2×1011cm-2.eV-1,击穿场强达4.6MV/cm,与热氧化形成的SiO2介质层的性质相当.将该SiO2介质层作为控制氧化层应用在双势垒纳米硅(nc-Si)浮栅存储结构中,通过调节控制氧化层的厚度,有效阻止栅电极与nc-Si之间的电荷交换,延长存储时间,使存储性能得到明显改善.
- 丁宏林刘奎王祥方忠慧黄健余林蔚李伟黄信凡陈坤基
- 关键词：二氧化硅纳米硅
- 快速热退火对a_Si:H/SiO_2多层膜光致发光的影响被引量：2
- 2005年
- 采用在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中沉积a_Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a_Si:H/SiO2 多层膜 .用快速热退火对a_Si:H/SiO2 多层膜进行处理 ,制备nc_Si/SiO2 多层膜 ,研究了这种方法对a_Si:H/SiO2 多层膜发光特性的影响 .研究发现对a_Si:H/SiO2 多层膜作快速热退火处理 ,可获得位于绿光和红光两个波段的发光峰 .研究了不同退火条件下发光峰的变化 .通过对样品的TEM、Raman散射谱和红外吸收谱的分析 ,探讨了a_Si:H/SiO2 多层膜在不同退火温度下的光致发光机理 .
- 马忠元韩培高黄信凡隋妍萍陈三钱波李伟徐岭徐骏陈坤基
- 关键词：光致发光快速热退火
- 发光纳米硅/二氧化硅多层膜的特性与氢气氛退火的影响被引量：7
- 2007年
- 利用等离子体增强化学气相沉积法制备了氢化非晶硅/二氧化硅多层膜,通过两步热退火的方法获得了尺寸可控的纳米硅/二氧化硅多层结构,晶粒尺寸约为4nm,在室温下观察到了较强的光致可见发光,其发光峰位于750nm.在此基础上,发现合适的氢气氛退火能有效地提高材料的发光强度.电子顺磁共振实验表明氢气氛退火有效地降低了纳米硅中的非辐射复合中心而导致发光效率的提高.
- 夏正月韩培高韦德远陈德媛徐骏马忠元黄信凡陈坤基
- 关键词：光学性质
- 量子点浮置栅量子线沟道三栅结构单电子场效应管存储特性的数值模拟
- 2008年
- 通过建立二维薛定谔方程和泊松方程数值模型,对基于硅量子点浮置栅和硅量子线沟道三栅结构单电子场效应管(FET)存储特性进行了研究.通过在不同尺寸、栅压和不同写入电荷条件下,对硅量子线沟道中电子浓度的二维有限元自洽数值求解,研究了在纳米尺度下硅量子线沟道中量子限制效应和电荷分布对于器件特性的影响.模拟结果发现,沟道的导通阈值电压随着尺寸的缩小而提高,并随浮置栅内存储的电子数目的增加而明显升高.然而,这样的增加趋势在受到纳米尺度沟道中高电荷密度的影响下将出现非线性饱和趋势.进一步研究发现,当沟道尺寸较小时,沟道内的强量子限制效应能够有效地抑制非线性饱和趋势.另外,由于沟道阈值电压偏移量能灵敏地反映出浮置栅内电子数目的变化,这也为多值存储功能提供了可能.
- 刘奎丁宏林张贤高余林蔚黄信凡陈坤基
- 关键词：量子效应薛定谔方程泊松方程
- 超薄硅基介质膜的制备技术与表征方法研究
- 2008年
- 在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,采用等离子体氧化和等离子体氮化的方法,在单晶硅表面上成功制备厚度小于10nm的超薄硅基介质膜。通过X射线光电子谱(XPS)分析了超薄介质膜的化学结构,利用椭圆偏振仪测量了厚度以及折射率,同时对超薄介质膜进行了电容电压(C-V)和电流电压(I-V)特性的测量,研究其电学性质,探讨了C-V测量模式对超薄介质膜性质表征的影响,最后对两种介质膜的优缺点进行了比较。
- 王久敏陈坤基宋捷余林蔚马忠元李伟黄信凡
- 关键词：等离子体氮化
- 微腔中nc-Si/SiN超晶格的光致发光
- 2006年
- 研究了一维光子晶体微腔结构对nc-Si/a-SiNz超晶格发射的调制.一维光子晶体微腔采用两种具有不同折射率的非化学组分非晶氮化硅的周期调制结构,腔中嵌入采用激光晶化方法制备的硅量子点阵列,从Raman谱和透射电子显微镜分析得到其尺寸约为3～4 nm.从光致发光谱上观察到明显的选模作用、明显变窄的发光峰以及约两个量级的发光强度的增强.微腔对硅量子点阵列发光的调制主要表现在两个方面:共振模式的增强和非共振模式的抑制.硅量子点中位于腔共振模式的辐射跃迁被增强,非共振模式的辐射跃迁被抑制,因此位于腔共振频率处的跃迁通道成为硅量子点中唯一的辐射跃迁通道,导致光致发光谱的窄化和强度的增强.因此,在提高硅材料发光效率方面,光子晶体微腔具有非常大的应用前景.
- 陈三
- 关键词：微腔光子晶体光致发光
- 基于Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜结构电致发光特性研究
- 2009年
- 利用等离子体增强化学气相沉积法制备了富硅氮化硅/富氮氮化硅多层膜,并以此氮化硅基多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下观察到了较强的电致可见发光.在此基础上,研究多层膜结构中作为势垒层的富氮氮化硅层对器件电致发光性质的影响,实验结果表明通过改变势垒层的Si/N组分,调制其势垒高度,器件的电致发光效率可得到显著地提高.
- 黄锐董恒平王旦清陈坤基丁宏林徐骏李伟马忠元
- 关键词：电致发光多层膜
