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全球变化研究国家重大科学研究计划(2009CB930503)
作品数:
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相关作者:
李娟
蒋民华
胡小波
高玉强
陈秀芳
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相关机构:
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以(10■5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究
2010年
本文以升华法实现了以(10■5)面为籽晶的6H-SiC单晶扩径生长,获得最大直径达33 mm的6H-SiC单晶。采用光学显微镜观察晶体纵切片,发现源于包裹体的沿生长方向延伸的微管发生转弯现象,转向后在(0001)面内延伸,同时籽晶内沿c轴延伸的微管也终止于生长界面。通过光学显微镜观察单晶生长表面形貌,发现(10■n)面生长,随着n的增大层错密度逐渐减小,这与横切片的腐蚀结果相对应;随着微管的终止和层错的减少得到了无微管的高质量单晶区。
高玉强
彭燕
李娟
陈秀芳
胡小波
徐现刚
蒋民华
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SIC单晶
微管
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