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南开大学泰达应用物理学院: 作品数：172 被引量：560H指数：13; 相关作者：张玲林耀望吴限徐章程邢晓东更多>>; 相关机构：中国科学院半导体研究所山西大学极端光学协同创新中心辽宁石油化工大学化学化工与环境学部更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划长江学者和创新团队发展计划更多>>; 相关领域：理学机械工程电子电信一般工业技术更多>>

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meso-四(4-二茂铁甲酰氧基苯基)卟啉及其锌配合物的线性与非线性光学性质被引量：4: 2014年; 合成了meso-四(4-二茂铁甲酰氧基苯基)卟啉及其锌配合物.采用紫外-可见吸收光谱、稳态和时间分辨荧光光谱以及开孔Z-扫描等实验方法对其线性与非线性光学性质进行研究.结果表明二茂铁的引入对卟啉的吸收几乎未产生影响,但是却使卟啉的荧光发生了强烈的猝灭,荧光寿命缩短.说明在基态二茂铁与卟啉之间未发生作用,而在激发态发生了较强的电子和能量的传递.与相应的meso-四(4-苯甲酰氧基苯基)卟啉及其锌配合物相比,meso-四(4-二茂铁甲酰氧基苯基)卟啉及其锌配合物的反饱和吸收性能降低,但是非线性光学性质仍然优于性能优良的富勒烯C60.; 赵海英顾雪松鄢小卿刘智波陈强边占喜; 关键词：卟啉 Z-扫描

白光的线性和非线性光学效应被引量：2: 2009年; 回顾了本研究组自从2003年以来在白光的线性和非线性光学领域实验和理论方面的研究成果.我们使用白炽钨丝灯作光源,在自散焦光折变晶体中进行有关白光空间光孤子方面的系统研究,包括实验研究白光一维光生伏打暗空间孤子以及由它们感应的波导和定向耦合器,圆形和椭圆形白光暗空间孤子以及由它们制作的相位掩模、二维白光光子晶格和白光暗空间孤子在数字图像传输中的应用,一维和二维白光暗空间孤子之间的相互作用,通过白光束与相干暗空间孤子之间的相互作用增强和改善白光的相干性,一维和二维白光暗空间孤子分别与二维白光光子晶格之间的相互作用.数值模拟了在饱和对数非线性介质中两个及多个部分非相干亮空间孤子和白光亮空间孤子对之间的相互作用,首次在自散焦非线性介质中实验观察到了相干光的调制不稳定性和白光的调制不稳定性等.这些研究取得了一些创新性的成果.; 齐新元刘思敏郭儒陆猗高垣梅刘照红黄春福张小华朱楠许京军; 关键词：白光非线性空间孤子

共轭聚合物中载流子迁移率的变温飞行时间检测被引量：2: 2012年; 载流子迁移率是标定共轭聚合物光电器件性能的重要参数,在数值上其大小远小于传统半导体材料,所以常常用飞行时间方法来测量。利用自行搭建的变温飞行时间检测系统,能够准确地测量聚合物中载流子的迁移率。从原理和实践上,讨论了影响检测结果的限制因素和关键参数,其中包括光生载流子数量、薄膜样品厚度、激发光脉冲宽度、检测外电路的响应时间、载流子在电介质中的弛豫时间和对放大器探测器频率的限制等。只有选取恰当的实验参数才能够获得准确可靠的检测结果。; 张雅婷徐章程姚建铨; 关键词：飞行时间载流子迁移率共轭聚合物

固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析(英文)被引量：1: 2010年; 本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附。所得到的模型与现有实验结果匹配较好。该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系,同时也与实验数据相吻合。该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性。; 曹雪舒永春叶志成皮彪姚江宏邢晓东许京军; 关键词：INGAP GAAS

石墨烯在全内反射结构下的光学性质及其应用: 石墨烯具有着优异的光学性质,在太阳能电池、发光设备、触摸屏、光电探测器、光限制、超快激光等方面具有潜在的应用价值[1,2].然而,这些极富应用潜力的设备在实用过程中却遭遇了石墨烯聚光效率低下这一瓶颈[3].目前,对石墨烯...; 刘智波邢鄢小卿叶青陈旭东田建国

定量近红外光谱分析中应用自适应神经网络法建立校正模型被引量：1: 2009年; 论述了将自适应神经网络，结合内模控制，建立校正模型，应用于定量近红外光谱法测定石油化工产品中各组分的可行性。试验中，以dSPACE硬件平台为基础，以直馏柴油、加氢精制柴油和催化裂解柴油为校正模型的训练样本，对自适应神经网络校正模型作检验。试验结果表明：该方法响应速度快、误差小、鲁棒性强，在近红外长波区（800-2300nm）内，校正样品和验证样品的均方偏差均小于1×10^-6。; 孙国琴钱平张存洲; 关键词：近红外光谱自适应神经网络内模控制

混合非线性光子晶格中的新颖空间带隙孤子: 理论和实验验证了光诱导光子晶格中的鞍形衍射关系和混合非线性相互平衡时产生的一种新颖空间带隙孤子．由于孤子的形成是自聚焦和自散焦共同作用的结果，因此它的相位结构和傅里叶频谱都不同于以往发现的任何带隙孤子。理论和实验结果表明...; 胡毅楼慈波张鹏赵建林许京军陈志刚; 文献传递

基于双折射基片的微纳光纤起偏器研究: 2013年; 给出了一种以双折射晶体为衬底,实现高消光比的微纳光纤起偏器的方法.利用双折射晶体为衬底,研究了在不同折射率和半径的微纳光纤中传播的光波的偏振特性.当采取的微纳光纤的折射率在双折射晶体的寻常光折射率和非寻常光主折射率之间,且光纤和晶体光轴夹角足够大时,可以实现在微纳光纤中起偏.改变微纳光纤半径以及光纤和双折射晶体光轴之间的夹角可以对消光比进行调控,半径越小,消光比越大;角度越大,消光比越大.对于半径为2.1μm微纳光纤,最大的消光比为22.74dB.; 孔凡磊齐继伟孙骞; 关键词：偏振全内反射消光比

名义纯及掺杂铌酸锂晶体内偏置场的实验研究: 2022年; 铌酸锂晶体的内偏置场对铁电应用、电光应用和非线性光学应用等均有直接影响。本工作建立了铌酸锂(LN)晶体内偏置场测试方法,对同成分铌酸锂(CLN)晶体、近化学计量比铌酸锂(nSLN)晶体、掺杂铌酸锂(doped LN)晶体的内偏置场和矫顽场进行测量。结果表明,CLN晶体内偏置场最高(E_(int)=2.53 kV/mm),nSLN晶体的内偏置场大幅降低,其中富锂熔体法生长和气相输运平衡(vapor transport equilibration,VTE)法结合得到的nSLN晶体的内偏置场最小,与CLN晶体相比降低了约两个数量级;掺杂铌酸锂晶体的内偏置场与CLN晶体相比也普遍降低,其中掺6.5%(摩尔分数)Mg的CLN晶体的内偏置场约为CLN晶体的四分之一,掺7%(摩尔分数)Zn的CLN晶体的内偏置场约为CLN晶体的六分之一。最后对组分和掺杂影响内偏置场的因素进行了简要分析。; 吴婧李清连张中正杨金凤杨金凤李佳欣刘士国刘士国孙军; 关键词：铌酸锂晶体掺杂本征缺陷