沈阳华迅真空科技有限公司
- 作品数：17 被引量：20H指数：3
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- 相关机构：东北大学中国科学院金属研究所辽宁装备制造职业技术学院更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程机械工程自然科学总论更多>>
- 射频溅射工艺对WSx薄膜摩擦性能的影响
- 2009年
- 采用射频溅射法以3Cr13马氏体不锈钢为基片制备了硫化钨薄膜。通过物相分析和表面形貌观察,以及测定微区化学成分、结合力和摩擦因数,研究了溅射功率、工作压力和沉积时间等溅射工艺条件对薄膜摩擦性能的影响。结果表明通过射频溅射法可获得非晶态WSx薄膜,薄膜的S/W比一般小于2,并受溅射工艺影响较为明显,随溅射功率的升高逐渐降低,随溅射时间的延长明显升高。薄膜结合力受溅射工艺影响并不显著。通过射频溅射所获得薄膜的摩擦因数在一定范围内与其硫钨比成反比。
- 杜广煜巴德纯王晓光
- 关键词：射频溅射化学成分
- 溅射气压对非晶态纳米硫化钨薄膜摩擦性能的影响
- 本文研究了采用射频溅射法以3Crl3马氏体不锈钢为基片制备硫化钨薄膜时溅射气压对薄膜摩擦系数的影响。实验分别采用了不同工作压力来制备样品。之后对样品分别进行物相分析,表面形貌观察,测定微区化学成分,结合力和摩擦系数。结果...
- 杜广煜巴德纯王晓光惠秀梅
- 关键词：射频溅射化学成分
- 文献传递
- 一种气体离子源装置
- 一种气体离子源装置，其阳极由封闭的正面阳极和背面阳极构成阳极腔体，阴极由封闭的正面阴极和背面阴极构成阴极腔体；阴极腔体置于阳极腔体中，背面阴极与背面阳极构成气体放电离化室；阴极腔体中置有磁场发生装置，磁场发生装置与阴极腔...
- 王晓光
- 一种气体离子源装置
- 一种气体离子源装置，其阳极由封闭的正面阳极和背面阳极构成阳极腔体，阴极由封闭的正面阴极和背面阴极构成阴极腔体；阴极腔体置于阳极腔体中，背面阴极与背面阳极构成气体放电离化室；阴极腔体中置有磁场发生装置，磁场发生装置与阴极腔...
- 王晓光
- 文献传递
- 二硫化钨固体润滑薄膜润滑机理及研究现状
- 本文描述了二硫化钨固体润滑薄膜的润滑机理,对二硫化钨固体润滑薄膜的研究现状做了简要概述,并提出了二硫化钨薄膜的发展前景。
- 杜广煜巴德纯王晓光惠秀梅
- 关键词：固体润滑润滑机理
- 文献传递
- 一种用于生成化合物材料薄膜的源装置
- 一种用于生成化合物材料薄膜的源装置，属于真空技术领域。其结构包括真空法兰、气体活化源及粒子源，气体活化源一端连接有气体活化源用气体管，气体活化源另一端设有粒子源，在粒子源与气体活化源之间沿粒子源轴线设有外延管路。本实用新...
- 王晓光
- 文献传递
- 一种多工位长管材高效磁控溅射镀膜专用装置
- 本发明目的是提供在长管材外表面进行高效、高质量金属膜材的磁控溅射制备专用装置，其中，真空室与真空生成系统和充气系统相连通，真空室内部设有环形靶溅射系统、反溅射清洗系统；伺服传动系统与磁力耦合传动系统相连；磁力耦合传动系统...
- 刘实王晓光王永利熊良银李静崔勇李依依
- 文献传递
- 硫化法在不锈钢基体上制备硫化钨薄膜的研究被引量：2
- 2009年
- 本文研究了采用硫化法以3Cr13马氏体不锈钢为基片制备硫化钨薄膜。实验首先在3Cr13马氏体不锈钢上制备氧化钨薄膜,然后在石英加热炉内加入一定量的硫粉对氧化钨薄膜进行硫化处理。分别采用200℃、400℃、600℃三种硫化温度,保温4h。对三组样品分别进行物相分析,表面形貌观察,测定微区化学成分、结合力和摩擦磨损系数。结果表明:温度对硫化钨薄膜的表面形貌和结晶率有明显的影响,对膜层的化学成分影响不大,薄膜能够有效地改善不锈钢基体的摩擦学性能。实验证明:通过这种方法可以成功地在3Cr13马氏体不锈钢基片制备硫化钨薄膜。
- 杜广煜巴德纯王晓光惠秀梅
- 关键词：硫化物相分析结合力
- 硫化钨薄膜制备方法的研究被引量：9
- 2009年
- 层状物固体润滑薄膜是固体润滑薄膜中最常用的形式,这种薄膜都具有优良的减摩、耐磨、抗擦伤性能。本文介绍了目前主要的硫化钨薄膜的制备方法,并通过射频溅射方法和硫化法制备了硫化钨薄膜,对各种制备方法进行了对比。通过溅射方法获得的硫化钨薄膜的化学成分会随工作压力和溅射功率发生变化,同时薄膜的结晶率不高,而非晶态WS2薄膜的摩擦性能具有不确定性。但目前溅射方法仍是固态硫化钨薄膜最主要的制备方法。而通过硫化WO3薄膜获得的WS2薄膜,可以通过调整硫化温度和保温时间来获得具有较好的结晶性和有利的晶粒取向,从而提高薄膜的摩擦学性能。通过这种方法获得的WS2薄膜的一些其它性能,尚需作进一步研究。
- 巴德纯杜广煜王晓光
- 关键词：磁控溅射射频溅射硫化法
- 射频溅射法制备硫化钨固体润滑薄膜的研究被引量：5
- 2009年
- 本文研究了采用射频溅射法以3Cr13马氏体不锈钢为基片制备硫化钨薄膜。实验分别采用了不同的溅射功率、工作气压和沉积时间来制备样品。之后对三组样品分别进行物相分析、表面形貌观察、测定微区化学成分、结合力和摩擦系数。结果表明:通过射频溅射法可获得非晶态WS2薄膜,薄膜的S/W比一般小于2,并受溅射工艺影响较为明显,随着溅射功率的升高逐渐降低,随着溅射时间的延长明显升高。薄膜结合力受溅射工艺影响并不显著。通过射频溅射所获得薄膜的摩擦系数在一定范围内与其硫钨比成反比。
- 杜广煜巴德纯王晓光惠秀梅
- 关键词：射频溅射化学成分
