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江阴新顺微电子有限公司

作品数：92 被引量：13H指数：2
相关机构：吉林大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 80篇专利
  • 10篇期刊文章

领域

  • 18篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇经济管理
  • 1篇天文地球
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 43篇芯片
  • 21篇半导体
  • 19篇二极管
  • 14篇半导体芯片
  • 13篇分立器件
  • 13篇掺杂
  • 10篇器件芯片
  • 10篇硅片
  • 8篇淀积
  • 8篇氧化层
  • 8篇肖特基
  • 8篇金属化
  • 8篇管芯
  • 8篇二极管芯片
  • 7篇三极管
  • 6篇圆片
  • 6篇势垒
  • 6篇外延层
  • 6篇划片
  • 6篇共晶

机构

  • 90篇江阴新顺微电...
  • 1篇吉林大学

作者

  • 1篇冯晶
  • 1篇刘式墉
  • 1篇张丹丹
  • 1篇陈路
  • 1篇王海

传媒

  • 2篇电子制作
  • 1篇中国仪器仪表
  • 1篇发光学报
  • 1篇电子与封装
  • 1篇时代经贸
  • 1篇人力资源管理
  • 1篇消费电子
  • 1篇科技创新导报
  • 1篇黑龙江科学

年份

  • 14篇2020
  • 7篇2019
  • 10篇2018
  • 11篇2017
  • 6篇2016
  • 2篇2015
  • 9篇2014
  • 10篇2013
  • 8篇2012
  • 7篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2007
共 92 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
适用于共晶封装的半导体芯片背面金属化方法
本发明涉及一种适用于共晶封装的半导体芯片背面金属化方法，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、在硅片背面衬底的表面，先采用蒸发或溅射的方式镀上非贵金属铝或钛、铝或铬、铝，然后在300℃...
王新潮冯东明叶新民王文源袁昌发
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一种可调恒流源集成芯片及制造方法
本发明涉及一种可调恒流源集成芯片及制造方法，它包括作为N<Sup>-</Sup>掺杂区的单晶硅N<Sup>-</Sup>型抛光片，在所述N<Sup>-</Sup>掺杂区的背面设置有N<Sup>+</Sup>重掺杂区，在所...
叶新民朱瑞沈晓东李建立冯东明王新潮
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适用于备件清洗的化剂重复利用装置
本实用新型涉及一种适用于备件清洗的化剂重复利用装置，包括腐蚀备件用的腐蚀槽，储酸用的储酸槽，淀颗粒用的沉淀池以及将酸液真空回吸的虹吸装置，所述腐蚀槽通过排放管道并设置阀门后与储酸槽连通，所述腐蚀槽通过排放管道并设置阀门后...
尤力李望达姜佳斌李天鹏
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适用于共晶封装的半导体芯片背面金属化结构
本实用新型涉及一种适用于共晶封装的半导体芯片背面金属化结构，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。包括硅片背面衬底（4），在硅片背面衬底（4）的表面，形成有粘附层（3），在粘附层（3）的表面形成有阻挡层（2），在阻挡层...
王新潮冯东明叶新民王文源袁昌发
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一种无铝下CVD肖特基二极管芯片及制造工艺
本发明涉及一种新型的无铝下CVD肖特基二极管芯片及制造工艺，应用在集成电路或分立器件制造技术领域。其纵向结构(从下至上)包括了阴极金属、半导体硅片N<Sup>+</Sup>衬底层、N<Sup>‑</Sup>外延层、P<S...
翟鹏飞叶新民朱瑞陈烨许烨东
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检测半导体芯片背面金属层分离的方法
本发明涉及一种检测半导体芯片背面金属层分离的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一、在待检测芯片背面金属化层上粘贴一层薄膜：将芯片放在洁净、无颗粒的平台上，将薄膜均匀地粘贴在芯片背面金属化层上；步骤二、对贴有薄膜的...
袁昌发吕邦贵袁浩李建立叶新民顾中平
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一种阻尼二极管
本发明涉及一种阻尼二极管，它包括框架和NPN双极晶体管，在所述框架的一侧依次设置有阳极、中引脚和阴极，所述NPN双极晶体管安装于框架上，所述NPN双极晶体管的发射极和基极分别通过金属线连接至框架上的阳极上，使得发射极与基...
王金富徐初惠王伟张艳许柏松
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半导体芯片二重基区扩散结构
本实用新型涉及一种半导体芯片二重基区扩散结构，应用在集成电路或分立器件制造技术领域。它包括一种半导体芯片二重基区扩散结构，包括N型硅材料(3)，在N型硅材料(3)的表面设置有P型基区(2)，在P型基区(2)表面设置有P<...
王新潮冯东明叶新民王文源俞韬
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一种适用于超薄圆片背面金属化的固定装置
本实用新型涉及一种适用于超薄圆片背面金属化的固定装置，它包括圆盘基座（1）和盘簧（2），所述圆盘基座（1）由中心向四周开设有凹槽（1.1），边缘为台阶面（1.2），在所述圆盘基座（1）的边缘开设有三个等分的卡槽（1.3）...
丁军陈坤伍李建立王友铸陶勇潘伟吕伟
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双层硅外延片结构肖特基二极管芯片
本实用新型涉及一种双层硅外延片结构肖特基二极管芯片，用于各种高压肖特基二极管产品上。包括硅片衬底（1），在硅片衬底（1）表面依次设置有过渡外延层（2）和外延层（7），在外延层（7）表面设置有肖特基势垒（5）、P型掺杂的保...
王新潮冯东明叶新民朱瑞
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