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真芯(北京)半导体有限责任公司

作品数：812 被引量：0H指数：0
相关机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 812篇中文专利

领域

  • 219篇电子电信
  • 98篇自动化与计算...
  • 64篇经济管理
  • 38篇文化科学
  • 33篇金属学及工艺
  • 32篇电气工程
  • 17篇化学工程
  • 9篇理学
  • 8篇建筑科学
  • 7篇石油与天然气...
  • 7篇轻工技术与工...
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇机械工程
  • 5篇动力工程及工...
  • 5篇交通运输工程
  • 5篇环境科学与工...
  • 3篇矿业工程
  • 3篇医药卫生
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 493篇半导体
  • 180篇晶圆
  • 151篇半导体器件
  • 99篇半导体制造
  • 97篇导体
  • 96篇刻蚀
  • 95篇半导体结构
  • 94篇光刻
  • 71篇电子设备
  • 59篇电容
  • 57篇半导体制造技...
  • 53篇存储器
  • 51篇掩模
  • 51篇光刻胶
  • 48篇源区
  • 47篇电容器
  • 45篇图案
  • 40篇电极
  • 39篇侧墙
  • 37篇基底

机构

  • 812篇真芯(北京)...
  • 811篇中国科学院微...

作者

  • 4篇叶甜春

年份

  • 3篇2024
  • 87篇2023
  • 566篇2022
  • 51篇2021
  • 105篇2020
共 812 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
等离子增强原子层沉积法及沟槽/孔的表面成膜方法
本发明涉及一种改进的等离子增强原子层沉积法及沟槽/孔的表面成膜方法。一种改进的等离子增强原子层沉积法，包括：在一个沉积循环中，在前驱体脉冲关闭或者反应物脉冲关闭后至少进行一次真空吹扫。一种沟槽/孔的表面成膜方法包括：提供...
崔锺武金成基项金娟李亭亭刘青
半导体研磨垫及制备方法
本发明提供一种半导体研磨垫，包括：研磨垫主体；第一孔结构，均匀分布在所述研磨垫主体内；第二孔结构，环绕在第一孔结构外，所述第一孔结构与所述第二孔结构之间具有分隔界面。还提供一种半导体研磨垫制备方法，在制备预聚物的过程中，...
李善雄杨涛张月田光辉
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一种可调狭缝装置、光刻机和调节狭缝的方法
本发明涉及一种可调狭缝装置、光刻机和调节狭缝的方法，包括：控制器、多个移动杆和多个调光窗；所述多个调光窗中的每两个在第一方向上相对布置，形成一对调光窗，每一对调光窗在垂直于第一方向的第二方向上呈依次排列；所述多个移动杆中...
刘智龙权炳仁李大烨贺晓彬丁明正刘强
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一种半导体器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体器件技术领域，用于使得目标掩膜图案的尺寸满足刻蚀要求，确保在目标刻蚀结构上形成的图案轮廓与刻蚀要求的轮廓相一致，提高半导体器件的良率。所述半导体器件的制造方法包括：提供一基...
黄元泰李焕珪李俊杰周娜李琳王佳
一种半导体工艺设备、隔离阀及控制方法
本发明公开了一种半导体工艺设备、隔离阀及控制方法，设备包括：第一舱室和第二舱室；所述第一舱室和所述第二舱室之间设置有隔离阀；所述隔离阀包括：阀板、过滤模块、抽气模块和控制模块；所述控制模块与所述阀板连接，以带动所述阀板往...
崔珍善李俊杰李琳王佳
一种管线连接组件、管线组件及连接方法、半导体设备
本发明公开了一种管线连接组件、管线组件及连接方法、半导体设备，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中管线之间连接结构复杂、费时费力或多根管线整体长度较长的问题。上述管线连接组件包括与管线一端套合的定心件以及设于定心件...
金大镇周娜王佳李琳李俊杰
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半导体结构的制造方法
本发明提供的一种半导体结构的制造方法，涉及半导体制造技术领域，包括：提供已完成阱注入的衬底；进行双栅极氧化物沉积；进行氮化硅沉积；在沉积有氮化硅膜的衬底正面、侧面和至少一部分背面形成疏水层。在上述技术方案中，通过在晶圆(...
金在植张成根林锺吉贺晓彬丁明正杨涛李俊峰王文武
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一种立式化学气相沉积炉及其应用
本发明涉及一种立式化学气相沉积炉及其应用。一种立式化学气相沉积炉，包括：炉管，所述炉管内设有晶舟和喷嘴部件，所述喷嘴部件在所述晶舟的一侧沿所述晶舟的轴向分布；所述炉管内还设有一个内管，所述内管将所述晶舟和所述喷嘴部件嵌套...
安重镒金成基李亭亭项金娟杨涛李俊峰王文武
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CMP后清洗过程的干燥装置及方法、CMP后清洗装置及方法
本发明涉及一种CMP后清洗过程的干燥装置及方法、CMP后清洗装置及方法，属于半导体元器件制造技术领域，解决了现有技术中CMP后清洗过程中顶升装置与晶圆接触的部位异丙醇无法彻底干燥、产生聚集的问题。本发明的CMP后清洗过程...
具滋贤杨涛张月张琦辉
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半导体检测方法
本发明提供一种半导体检测方法，包括：提供一待形成栅极金属线的晶圆；对所述晶圆表面的氧化层进行第一次湿法刻蚀，以去除所述晶圆表面的氧化物并获取刻蚀后的第一液体；对所述晶圆表面的硅进行第二次湿法刻蚀，以获取刻蚀后的第二液体；...
安胜璟胡艳鹏卢一泓
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