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关东化学株式会社

作品数：157 被引量：0H指数：0
相关机构：恩益禧电子股份有限公司株式会社东芝三洋电机株式会社更多>>
相关领域：电子电信医药卫生环境科学与工程文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 157篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇环境科学与工...
  • 2篇医药卫生
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 81篇组合物
  • 56篇蚀刻
  • 50篇蚀刻液
  • 33篇化合物
  • 23篇金属
  • 23篇抗蚀剂
  • 19篇光致
  • 19篇半导体
  • 18篇基板
  • 18篇光致抗蚀剂
  • 14篇洗涤
  • 14篇氟化
  • 14篇残渣
  • 13篇氟化合物
  • 12篇洗涤液
  • 11篇离子
  • 11篇合金
  • 10篇电路
  • 10篇电路元件
  • 10篇元件

机构

  • 157篇关东化学株式...
  • 14篇恩益禧电子股...
  • 6篇株式会社东芝
  • 4篇日本电气株式...
  • 4篇索尼株式会社
  • 4篇独立行政法人...
  • 4篇三洋电机株式...
  • 2篇鹤见曹达株式...
  • 2篇夏普公司
  • 2篇学校法人早稻...
  • 2篇国立大学法人...
  • 2篇夏普株式会社
  • 2篇奥博特瑞克斯...
  • 2篇工程株式会社
  • 1篇三洋半导体制...
  • 1篇喜开理株式会...
  • 1篇出光兴产株式...
  • 1篇公立大学法人...
  • 1篇国立大学法人...
  • 1篇中外制药株式...

年份

  • 4篇2024
  • 6篇2023
  • 4篇2022
  • 6篇2021
  • 9篇2020
  • 8篇2019
  • 2篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 6篇2015
  • 5篇2014
  • 10篇2013
  • 8篇2012
  • 5篇2011
  • 10篇2010
  • 11篇2009
  • 4篇2008
  • 13篇2007
  • 9篇2006
  • 10篇2005
共 157 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
铜、钼金属层叠膜蚀刻液组合物、使用该组合物的蚀刻方法及延长该组合物的寿命的方法
本发明提供能够对包括由铜或以铜为主要成分的合金形成的层和由钼或以钼为主要成分的合金形成的层的金属层叠膜进行一次性蚀刻，且可防止钼层的底切，剖面形状的控制和根据剖面对组成浓度的调整容易的具有稳定性的蚀刻液组合物，还提供使用...
高桥秀树廖本男李盈壕
文献传递
清洗液组合物
本发明的目的是提供半导体元件等电子器件的制造工序中，对实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗有用的清洗液组合物。本发明涉及用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或...
守田菊惠堀家千代子深谷启介大和田拓央
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透明导电膜用腐蚀液组合物
本发明是有关于一种透明导电膜用腐蚀液组合物，其在液晶显示器等使用的ITO膜等的透明导电膜用腐蚀处理中草酸铟析出是很少的。通过含有草酸和、碱性化合物(其中三乙醇胺除外)的透明导电膜用腐蚀液组合物，在透明导电膜腐蚀工序中即使...
村上豊石川典夫
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正型光致抗蚀剂剥离液组合物
本发明提供一种不需要紫外线照射的前处理、在室温下可以剥离正型抗蚀剂的剥离液，其可以在装置内快速地消泡，而且对环境的影响小。本发明的光致抗蚀剂剥离液组合物剥离以苯醌二叠氮化物为感光性物质的正型光致抗蚀剂，该组合物含有下述成...
池上薰石川典夫
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由多能干细胞向肝细胞的分化诱导方法
本发明以制作在许多方面与原代培养肝细胞类似的成熟的肝细胞为目的，提供由多能干细胞制作肝细胞或能够分化成肝细胞的细胞的方法，其特征在于，包括以下工序(1)～(4)：(1)用包含激活蛋白受体样激酶‑4,7的激活剂的培养基培养...
粂昭苑白木伸明山口宏之井上智彰中川俊人清川顺平
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钨金属去除液以及使用了该去除液的钨金属的去除方法
本发明提供一种用于去除在半导体基板上成膜或者附着的不需要的钨金属的稳定的酸性去除液以及使用了该去除液的钨金属的去除方法。本发明所述的去除液含有原高碘酸以及水。
清水寿和渡边香青木秀充
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蚀刻液组合物及蚀刻方法
本发明的课题在于提供能够在对Qz基板不造成破坏的情况下对MoSi膜进行选择性的蚀刻的蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。一种用于对MoSi膜进行蚀刻处理的蚀刻液组合物，其中，包含少于3.5重量％的氟化合物、水和含...
清水寿和大和田拓央
氮化硅蚀刻液组成物
本发明的课题在于提供一种于自3D非挥发性记忆单元等的制造为首的，以对于氧化硅的实用的蚀刻比率对氮化硅进行选择性蚀刻的步骤中，能够抑制氧化硅的再生长，并且不产生脱离醇的氮化硅蚀刻液组成物。本发明解决问题的技术手段为一种用于...
大和田拓央吉田勇喜持田耕平仓本蕗人
金－钴类无定形合金镀膜、电镀液及电镀方法
本发明提供一种金－钴类无定形合金镀膜。利用使用了含有以金基准表示为0.01～0.1mol/dm<Sup>3</Sup>的浓度的氰化金盐、以钴基准表示为0.02～0.2mol/dm<Sup>3</Sup>的浓度的钴盐及以钨...
千田一敬加藤胜逢坂哲弥冲中裕
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2-取代芴化合物、含该化合物的空穴传输材料及空穴传输层中含该化合物的有机电子器件
本发明将可用作空穴的注入或传输性能、电子阻挡性能、光稳定性、电气稳定性和热稳定性良好的空穴传输材料的化合物的提供以及提供含有上述化合物的空穴传输材料及包括具备含上述化合物的空穴传输层的有机EL元件或有机光电转换元件的有机...
西尾太一吉广大佑佐藤辉幸岩井新新内聡畅
文献传递
全选 清除 导出
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