河北科技师范学院数理系凝聚态物理研究所
- 作品数：16 被引量：15H指数：3
- 相关机构：内蒙古民族大学物理与电子信息学院中国石油大学（北京）理学院华中科技大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家重点实验室开放基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 量子盘量子比特中电子的概率密度分布的电磁场依赖性
- 2017年
- 基于Lee-Low-Pines幺正变换,采用Pekar型变分法研究了计及厚度下量子点中强耦合极化子的基态和第一激发态能量本征值和本征函数,在此基础上,以极化子的二能级结构为载体构造了量子点量子比特。数值结果表明:量子比特的概率密度Ψ(ρ,z,t)2分别随磁场的回旋频率ωc、电声子耦合强度α以及量子盘厚度L的增加而减小;概率密度Ψ(ρ,z,t)2随量子盘有效半径R0的增加而增大并呈现近似"Γ型"曲线;概率密度Ψ(ρ,z,t)2随电子横向坐标ρ的变化呈现"正态分布",其形状受到量子盘有效半径R0或厚度L的影响显著;Ψ(ρ,z,t)2随纵向坐标z、时间t和角坐标φ作周期性振荡变化。
- 尹洪武苏都额尔敦朝鲁
- 关键词：极化子量子比特
- 磁场中量子点内弱耦合磁极化子基态束缚能的温度依赖性被引量：1
- 2009年
- 用线性组合算符法、LLP变换法和量子统计的方法,研究了温度对磁场中抛物量子点内弱耦合磁极化子的影响,得到了磁极化子基态能量和基态束缚能量与量子点的受限强度、回旋频率和温度的依赖关系。数值计算结果表明,磁极化子的基态束缚能量|Eb|随回旋频率ωc的增加而增大,随温度参量γ的增加而减小,|Eb|随γ的增加而减小的幅度,不仅与γ的取值范围有关,而且还与ωc有显著关系,|Eb|显著变化的γ范围随ωc的增加而减小。
- 乌云其木格刘宝海额尔敦朝鲁
- 关键词：抛物量子点弱耦合磁极化子温度依赖
- 引入基态施主能级分裂的SiC基MOS电容模型
- 2010年
- 基态施主能级分裂因素被引入了SiC基MOS电容模型。考虑到能级分裂后,电容C-V特性曲线平带附近的Kink效应,得到有效减弱;并且能级分裂对C-V特性的影响,随掺杂浓度的增加和温度的降低而增强,同时也与杂质能级深度相关。对于耗尽区和弱积累区,由于能级分裂的影响,电容的表面电荷面密度将分别有所增加和降低。
- 戴振清杨瑞霞
- 关键词：碳化硅电容-电压特性表面电荷
- 准二维强耦合激子有效质量的温度依赖性被引量：4
- 2009年
- 采用Tokuda改变的线性组合算符法和改进的Lee-Low—Pines变换法，研究了温度对量子阱中电子（空穴）与界面光学（IO）声子强耦合又与体纵光学（LO）声子弱耦合激子的有效质量的影响。结果表明，由电子（空穴）一体纵光学声子弱耦合所产生的激子有效质量（Mex^＊-LO）随量子阱宽N的增加而增大、随电子与李穴间相对距离ρ的增加而先增大后缓慢减小再趋于稳定，温度T对Mex^＊-LO及其随N和ρ变化的规律产生显著影响，同时，Mex^＊-LO随T的变化也强烈的受到量子尺寸效应的影响；由电子（空穴）-界面光学声子强耦合所产生的激子有效质量Mex^＊-LO.随N的增加而减小、随T的升高而增大、随ρ的增加而先增大后缓慢减小再趋于稳定，但T对Mex^＊-LO和ρ变化的规律无明显影响。
- 额尔敦朝鲁于若蒙
- 关键词：激子温度依赖性
- 量子棒中强耦合磁极化子基态能量的磁场和温度依赖性被引量：1
- 2010年
- 基于Huybrechts-Lee-Low-Pines变分法,研究量子棒中强耦合磁极化子基态能量的磁场和温度依赖性。结果表明:磁极化子基态能量的绝对值随温度参数的增加而增大,随电子-声子耦合强度的增加而增大,随磁场的回旋频率的增加而减小,随量子棒受限强度的增加而减小;磁极化子的基态能量随量子棒纵横比的变化规律呈'√'型曲线,并受到温度的显著影响。
- 额尔敦朝鲁乌云其木格宝日玛
- 关键词：磁极化子基态能量
- 量子棒中极化子声子平均数的温度依赖性
- 2010年
- 采用Huybrechts线性组合算符和Lee-Low-Pines变分法,研究了温度对量子棒中强耦合极化子平均声子数和振动频率的影响。结果表明,量子棒中强耦合极化子的平均声子数N-和振动频率λ随量子棒纵横比e′、温度T的增加而减小,随电子-声子耦合强度α和受限强度Ω∥的增加而增大。温度对平均声子数N-和振动频率λ的影响只是在温度较高(γ<1.0)时较显著,而在温度较低(γ>1.0)下并不显著。
- 乌云其木格王晓昱额尔敦朝鲁
- 关键词：强耦合极化子平均声子数温度依赖性
- 磁场对二维量子点两电子系统自旋极化态能级的影响
- 2014年
- 采用少体物理方法,研究了磁场对二维量子点两电子系统自旋极化态能级的影响。以GaAs半导体量子点为例,对体系基态能级E0、第一激发态自旋单态能级E1(A)和自旋三重态能级E1(S)随量子点有效半径l0和磁场B的变化进行了数值计算。结果表明,E0随B的增加而增大,随l0的增加而减小;在磁场中第一激发态自旋单态能级E1(A)分裂为E1+1(A)、E1-1(A)两条,第一激发态自旋三重态能级E1(S)分裂为EMS1+1(S)、EMS1-1(S)(MS=1,0,-1)两组,每组中有三条"精细结构";各能级(组)均随l0的增加而减小,而它们随B的变化情况差异较大,能级E1+1(A)和EMS1+1(S)随B的增加而显著增大,而能级E1-1(A)和EMS1-1(S)随B的变化相对缓慢;各能级(组)的分裂度均与磁场B的一次方成正比。
- 乌云其木格辛伟额尔敦朝鲁
- 关键词：量子点电子-电子相互作用
- 量子棒中弱耦合极化子有效质量的温度依赖性被引量：1
- 2011年
- 基于Tokuda-Lee-Low-Pines变分法研究了温度对非均匀抛物限制势下量子棒中弱耦合极化子有效质量的影响,推导出量子棒中弱耦合极化子的有效质量m*随量子棒纵横比e′、电子-声子耦合强度α和温度参数γ的变化规律。数值计算结果表明,量子棒中弱耦合极化子的横向有效质量m‖*和纵向有效质量mz*均随电子-声子耦合强度α的增加而增大,随温度T的升高而减小;量子棒中极化子的横向有效质量m‖*随量子棒纵横比e′的增加而增大,纵向有效质量mz*随e′的增加而减小。
- 额尔敦朝鲁乌云其木格韩超
- 关键词：极化子温度依赖性
- 抛物量子点中强耦合双极化子的有效势被引量：2
- 2010年
- 基于Lee-Low-Pines-Huybrechts变分方法研究了抛物量子点中强耦合双极化子的基态性质,并推导出了量子点中强耦合双极化子有效势Veff随电子-声子耦合强度α、两电子相对距离r和量子点半径R0的变化规律。结果表明,有效势Veff由库仑势Vcoul、量子点的限定势Vconf和诱生势Ve-LO三部分组成;其中诱生势Ve-LO总是小于零,其绝对值Ve-LO随电子-声子耦合强度α的增加而增大,随电子间相对距离r和量子点半径R0的减小而增大。双极化子有效势的绝对值Veff随电子-声子耦合强度α的增加而增大,随电子间相对距离r的减小而增大。耦合强度α和电子间相对距离r是影响有效势Veff的主要因素,而量子点半径R0和介电常数比η对有效势Veff的影响较小。
- 额尔敦朝鲁乌云其木格王鸿雁
- 关键词：量子点双极化子有效势
- 不同锌源对ZnGa_2O_4发光性能的影响
- 2015年
- 采用不同锌源(氧化锌及碱式碳酸锌)利用高温固相法在相同烧结温度下制备了ZnGa_2O_4。通过XRD、激发光谱、发射光谱、余辉发射光谱、余辉衰减曲线等实验手段对不同锌源生成的ZnGa_2O_4样品进行表征。实验结果表明,不同锌源的ZnGa_2O_4荧光性质不同。以氧化锌为锌源制备的ZnGa_2O_4,其发射峰由3个峰组成,峰值分别位于362,504和700 nm。而以碱式碳酸锌为锌源制备的ZnGa_2O_4其发射峰由2个峰组成,峰值分别位于504,700 nm。其发射峰不同是由于不同锌源的挥发性不同,氧化锌挥发性大于碱式碳酸锌,因此,由氧化锌为锌源制备的ZnGa_2O_4中含有大量的Zn空位及氧空位。而碱式碳酸锌制备的ZnGa_2O_4空位相对少。当Ga3+占据Zn空位形成八面体扭曲程度不同,d轨道劈裂不同,因而造成ZnGa_2O_4荧光性质不同。不同锌源制备的ZnGa_2O_4余辉发射光谱相同,但余辉亮度及衰减时间却存在很大差异。其原因也是由于不同锌源挥发性不同,造成陷阱深度及浓度不同,从而导致余辉性能差别较大。
- 钟瑞霞龚文丽齐建全刘自然张晓燕
- 关键词：ZN长余辉绿色荧光
