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江苏第三代半导体研究院有限公司

作品数：377 被引量：1H指数：1
相关机构：苏州大学中国科学院国家纳米科学中心更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 373篇专利
  • 2篇标准
  • 1篇期刊文章

领域

  • 119篇电子电信
  • 49篇自动化与计算...
  • 44篇文化科学
  • 39篇金属学及工艺
  • 10篇理学
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇经济管理
  • 3篇建筑科学
  • 3篇交通运输工程
  • 3篇医药卫生
  • 2篇机械工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 93篇发光
  • 90篇外延片
  • 85篇半导体
  • 63篇氮化
  • 61篇氮化物
  • 55篇化物
  • 49篇光效
  • 47篇光效率
  • 41篇衬底
  • 38篇外延层
  • 34篇发光层
  • 33篇半导体器件
  • 31篇刻蚀
  • 27篇晶格
  • 25篇位错
  • 25篇二极管
  • 25篇发光效率
  • 23篇势垒
  • 22篇空穴
  • 22篇缓冲层

机构

  • 376篇江苏第三代半...
  • 4篇苏州大学
  • 3篇中国科学院
  • 2篇北京大学
  • 2篇苏州科技大学
  • 2篇国家纳米科学...
  • 2篇东莞市中镓半...
  • 2篇山东浪潮华光...
  • 2篇苏州纳维科技...
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 2篇曾雄辉
  • 2篇苏敏
  • 2篇王建峰
  • 1篇徐科
  • 1篇王淼

传媒

  • 1篇光学学报

年份

  • 8篇2025
  • 104篇2024
  • 88篇2023
  • 152篇2022
  • 21篇2021
  • 3篇2020
共 377 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
传输机构及气相沉积系统
本实用新型涉及外延片生产技术领域，具体公开了一种传输机构及气相沉积系统，该传输机构中，传输本体内部具有传输腔，传输本体设有连通传输腔的第一连通口，传输腔内设置有机械手；隔挡件穿设于第一连通口，且能在第一位置和第二位置之间...
闫其昂王国斌
P型氮化物外延结构的制备方法、外延结构及半导体器件
本发明公开了一种P型氮化物外延结构的制备方法、外延结构及半导体器件，所述方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底上依次生长U型氮化物层、轻掺P型氮化物层和采用delta掺杂法生长的高掺P型氮化物层；在腔内进行退火；其中，所述高...
周溯沅闫其昂王国斌
一种GaN基HEMT器件的制备方法
本发明公开了一种GaN基HEMT器件的制备方法。所述制备方法包括：提供外延结构，在外延结构的第二半导体层上形成光阻层；利用第一掩膜版将光阻层的第一区域去除，从而使与所述第一区域对应的第二半导体层的表面暴露出，之后以剩余光...
李利哲王国斌
文献传递
LED芯片
本实用新型涉及一种LED芯片，包括：衬底；外延结构，位于所述衬底的表面，所述外延结构包括发光层；氮化物限制层，位于所述外延结构背离所述衬底的表面，所述氮化物限制层中设置有开口，以暴露出部分所述外延结构背离所述衬底的表面；...
闫其昂王国斌
一种同质外延结构，其制备方法及剥离方法
本发明公开了一种同质外延结构，包括单晶衬底、生长于所述单晶衬底上的成核层以及生长于所述成核层上的插入层，所述插入层上具有与单晶衬底材料相同的外延层；其中，所述成核层和插入层材料相同，且所述成核层和插入层材料的禁带宽度小于...
王国斌李增林
文献传递
缺陷诊断方法、电子设备、存储介质及程序产品
本申请提供了缺陷诊断方法、电子设备、存储介质及程序产品，用于对外延片的缺陷进行诊断，所述方法包括：在所述外延片的制备过程中，分别在每个制备工序完成后对所述外延片进行第一检测，得到每个制备工序的第一检测数据；当制备完成的所...
韩娜李梦亚
一种用于半导体检测的样品承载装置和半导体检测设备
本实用新型公开了一种用于半导体检测的样品承载装置和半导体检测设备，样品承载装置包括承载组件和探针组件。承载组件包括承载台，承载台用于承载待测试半导体样品。探针组件包括探针，探针组件设置在承载组件上，探针组件沿承载台的周向...
周梦凡
基于图形化衬底的发光二极管芯片及其制备方法
本发明公开了一种基于图形化衬底的发光二极管芯片及其制备方法。所述制备方法包括：提供图形化衬底，具有多个第一图形区域单元和多个第二图形区域单元，每一第一图形区域单元围绕分布于第二图形区域单元的外部，第一图形区域单元具有规则...
闫其昂王国斌
半导体衬底及其制备方法、半导体器件及其制备方法
本申请涉及一种半导体衬底及其制备方法、半导体器件及其制备方法。其中，半导体衬底及其制备方法包括：提供半导体基础衬底；将半导体基础衬底放入刻蚀腔室内；对半导体基础衬底的材料表面进行化学分解，以形成凸起结构；以第一刻蚀功率对...
王国斌闫其昂刘宗亮
文献传递
半导体外延生长的前驱体封装容器及半导体外延生长系统
本实用新型公开了一种半导体外延生长的前驱体封装容器及半导体外延生长系统。所述前驱体封装容器包括：第一容置体，形成第一容置腔室；其内的第二容置体，形成第二容置腔室；进气通道，与第二容置腔室相连通；出气通道与第一容置腔室相连...
闫其昂王国斌周溯沅
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