您的位置: 专家智库 > >

浙江求是半导体设备有限公司

作品数:321 被引量:2H指数:1
相关机构:浙江晶盛机电股份有限公司内蒙古晶环电子材料有限公司浙江晶鸿精密机械制造有限公司更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信电气工程文化科学更多>>

文献类型

  • 319篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 61篇自动化与计算...
  • 25篇电子电信
  • 21篇电气工程
  • 17篇文化科学
  • 13篇理学
  • 11篇化学工程
  • 11篇金属学及工艺
  • 8篇经济管理
  • 6篇机械工程
  • 3篇矿业工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇环境科学与工...
  • 2篇医药卫生
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇水利工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 48篇组件
  • 46篇抛光
  • 34篇硅片
  • 33篇晶圆
  • 30篇半导体
  • 29篇图像
  • 26篇抛光垫
  • 25篇电池
  • 21篇单晶
  • 21篇晶片
  • 21篇计算机
  • 21篇计算机设备
  • 19篇存储介质
  • 17篇抛光设备
  • 16篇单晶硅
  • 14篇晶体
  • 13篇导电
  • 13篇转运
  • 13篇坩埚
  • 10篇装载

机构

  • 321篇浙江求是半导...
  • 157篇浙江晶盛机电...
  • 6篇内蒙古晶环电...
  • 3篇浙江晶鸿精密...

传媒

  • 1篇市场周刊·理...
  • 1篇电子技术与软...

年份

  • 157篇2024
  • 115篇2023
  • 27篇2022
  • 3篇2021
  • 6篇2020
  • 13篇2019
321 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
晶圆上下料装置和外延生长设备
本实用新型公开了一种晶圆上下料装置,此装置包括底板、晶圆周转盒、晶圆校准器以及移载组件。其中,晶圆周转盒设置于底板上,用于放置待加工晶圆和加工后晶圆;晶圆校准器设置于底板上,用于对传输至晶圆校准器的待加工晶圆进行定位校准...
曹建伟傅林坚朱亮吴正闪周建灿刘毅
一种P型硅的太阳能电池
本实用新型实施例提供了一种P型硅的太阳能电池,属于硅片电池技术领域,包括:衬底层,所述衬底层具体为一P型硅衬底;扩散层,所述扩散层为一由磷扩散工艺制备的N型硅层;所述扩散层设置在衬底层的下端面,且所述扩散层和衬底层构建成...
王树林曹建伟
一种背接触电池及其制备方法
本发明提供了一种背接触电池及其制备方法。所述背接触电池中,第一钝化接触结构处于N型区域,第二钝化接触结构处于P型区域,两者在横向上不存在交错叠置;同时绝缘层的存在又可以从纵向上间隔开第一钝化接触结构和第二钝化接触结构;并...
曹建伟王树林李鹏飞王英杰
一种晶体生长炉复投送料装置
本发明公开了一种晶体生长炉复投送料装置,送料装置包括:第一料仓,用于盛放硅料;送料机构,用于将硅料输送至晶体生长炉中;驱动机构,用于驱动送料机构;晶体生长炉包括坩埚,坩埚用于接收送料机构输送的硅料,硅料能够在坩埚中形成硅...
曹建伟朱亮傅林坚张俊叶钢飞倪军夫李玉刚
一种用于反应室的晶片传动装置和传动方法
本发明涉及半导体制造设备技术领域,尤其涉及外延生长设备的一种用于反应室的晶片传动装置和传动方法。装置包括均为内部中空的方形腔体结构的反应室与搬运室,二者之间通过闸阀连通,反应室内设有晶片支撑部件,搬运室内设有机械传送部件...
沈文杰朱亮董医芳祝广辉汤承伟俞城麻鹏达周航章杰峰
文献传递
放肩控制方法、装置、计算机设备和存储介质
本申请涉及一种放肩控制方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括:基于预设时间范围内的时序监测数据,得到预测直径值;将目标放肩角度和所述预测直径值输入至长短期记忆机制模型,得到目标拉速值;基于所述目标拉速值,控制目标...
傅林坚刘华熊世剑
单晶硅制备装置及其控制方法
本申请提供一种单晶硅制备装置,包括:晶体生长炉;坩埚;加热机构;升降机构;晶体生长炉的底部设置有第一炉底板,第一炉底板上方的至少部分区域铺设有防漏保护机构,当坩埚发生漏硅时,防漏保护机构承接并冷却漏硅熔体,使漏硅熔体在防...
曹建伟朱亮叶钢飞高宇王小飞李玉刚
晶片表面处理机构及晶片表面处理设备
本发明提供一种晶片表面处理机构及晶片表面处理设备,晶片表面处理机构包括供水系统、刷辊支架和至少两个转动安装于刷辊支架的刷辊,至少一个刷辊的外周沿轴向依次设有至少两个刷套,位于所述刷辊的至少两个刷套具有不同的热膨胀系数,供...
朱亮李阳健陈道光罗洪吉夏希林
引晶功率的确定方法及装置
本发明提出一种引晶功率的确定方法及装置,涉及单晶硅生产技术领域,方法包括:获取单晶硅生产过程中的历史数据样本,其中,历史数据样本包括与引晶功率相关的工况特征向量,以及不同工况特征向量对应的引晶功率;基于工况特征向量与引晶...
曹建伟傅林坚刘华钟坚童佳妮
传片系统和外延工艺设备
本实用新型公开了一种传片系统和应用该传片系统的外延工艺设备。所述传片系统包括装载腔室、中转腔室、反应腔室、吹扫管路和抽气管路,所述装载腔室适于装载晶圆,所述中转腔室连接在所述装载腔室和所述反应腔室之间以供晶圆在所述装载腔...
傅林坚曹建伟朱亮刘毅周建灿曹辰熙
共33页<12345678910>
聚类工具0