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万华化学集团电子材料有限公司

作品数：144 被引量：0H指数：0
相关机构：万华化学集团股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 144篇中文专利

领域

  • 29篇电子电信
  • 27篇金属学及工艺
  • 14篇化学工程
  • 4篇文化科学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 75篇抛光
  • 38篇抛光液
  • 26篇抛光垫
  • 24篇硅片
  • 17篇钨
  • 16篇光层
  • 14篇晶圆
  • 13篇溶胶
  • 13篇腐蚀抑制剂
  • 12篇化学机械抛光
  • 12篇机械抛光
  • 12篇促进剂
  • 11篇硅晶
  • 10篇硅晶圆
  • 10篇硅片表面
  • 9篇单晶
  • 9篇络合剂
  • 8篇研磨剂
  • 8篇异氰酸
  • 8篇化合物

机构

  • 144篇万华化学集团...
  • 53篇万华化学集团...

作者

  • 4篇王凯
  • 1篇王洪武

年份

  • 24篇2024
  • 53篇2023
  • 40篇2022
  • 27篇2021
共 144 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种铜化学机械抛光液及其应用和化学机械抛光方法
本发明公开了一种铜化学机械抛光液及其应用和化学机械抛光方法，该抛光液包含研磨颗粒、腐蚀抑制剂、络合剂、表面活性剂、pH调节剂和氧化剂，余量为水。在铜化学机械抛光过程中，本发明的铜化学机械抛光液能够满足前两步抛光步骤合并成...
卞鹏程崔晓坤王庆伟
一种耐低温型硅抛光组合物及其应用
本发明提供了一种耐低温型硅抛光组合物及其应用，所述耐低温型硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有防冻剂和氨基酸型表面活性剂。本发明的耐低温型硅抛光组合物中同时添加防冻剂和氨基酸型表面活性剂作为耐低温助剂，...
王永东卞鹏程徐贺王瑞芹王庆伟李国庆朱林君张宏源崔晓坤
一种减少凹陷的钨插塞化学机械抛光液及其应用
本发明公开了一种减少凹陷的钨插塞化学机械抛光液及其应用，所述抛光液包含如下质量百分含量的组分：2%‑20%研磨剂、0.5％～5％氧化剂、0.01％～0.5％钨催化剂，0.01%‑0.05%腐蚀抑制剂，其余部分为去离子水。...
崔晓坤卞鹏程王庆伟徐贺李国庆王瑞芹王永东卫旻嵩
一种减少点腐蚀的钨插塞化学机械抛光液及其应用
本发明公开了一种减少点腐蚀的钨插塞化学机械抛光液及其应用，所述抛光液包含如下质量百分含量的组分：2％‑20％研磨剂、0.5％～5％的氧化剂、0.01％～0.5％的钨催化剂，0.01％‑0.05％的点腐蚀抑制剂，其余部分为...
崔晓坤王瑞芹卫旻嵩卞鹏程王庆伟
文献传递
一种铜阻挡层化学机械抛光组合物及其应用
本发明公开了一种铜阻挡层化学机械抛光组合物及其应用，所述抛光组合物包含研磨颗粒、腐蚀抑制剂、络合剂、润湿剂、pH调节剂、氧化剂，余量为水。在铜阻挡层化学机械抛光过程中，本发明的抛光组合物既能够有效的抑制铜的抛光速率，且抛...
卞鹏程卫旻嵩崔晓坤王庆伟王瑞芹李国庆徐贺王永东
晶棒滚圆开槽方法及晶棒滚圆开槽装置
本申请提供了一种晶棒滚圆开槽方法及晶棒滚圆开槽装置。晶棒滚圆开槽方法包括如下步骤：装夹晶棒、采集数据、绘制二维的等值线图，磨削晶棒和加工。晶棒滚圆开槽装置包括第一夹头单元和第二夹头单元，数据采集机构，数据绘制机构，磨削部...
修梓翔刘群代冰胡碧波
一种再生晶圆化学机械抛光液及其制备方法
本发明提供一种再生晶圆化学机械抛光液及其制备方法，其质量百分数组成包括5％～50％的研磨颗粒、0.1％～10％的速率促进剂、0.5％～5％的络合剂、0.1％～2％的pH调节剂、0.001％～1％的非离子表面活性剂和0.0...
徐贺卫旻嵩卞鹏程王庆伟李国庆王永东崔晓坤王瑞芹
文献传递
一种带有优化沟槽的化学机械抛光垫及其应用
本发明公开了一种带有优化沟槽的化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫包括抛光层，其具有环形抛光轨迹区、位于抛光轨迹区内的圆形中间区及抛光轨迹区外部的环形外缘区；以及位于抛光层表面的沟槽，包括圆周向沟槽及径向沟槽，所述径向沟槽...
谢毓王凯田骐源
文献传递
一种多晶硅抛光组合物及其应用
本发明公开了一种多晶硅抛光组合物及其应用，所述多晶硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有聚醇醚类物质和烷基葡糖酰胺类物质作为助剂。本发明的抛光组合物中同时添加聚醇醚类物质和烷基葡糖酰胺类物质作为表面活性剂...
王永东卞鹏程徐贺王庆伟王瑞芹李国庆崔晓坤卫旻嵩
一种半导体单晶硅退火片及其退火工艺
本发明公开了一种半导体单晶硅退火片及其退火工艺，所述单晶硅退火片正表面表层具有无缺陷的洁净层，从洁净层到硅片背表面的硅片基体内具有高密度的氧沉淀体微缺陷。本发明的单晶硅片退火工艺包括：1）第一次退火：在从单晶硅片正表面到...
王洪武代冰胡碧波孙家宽
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