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成都海威华芯科技有限公司

作品数：421 被引量：10H指数：2
相关机构：电子科技大学中国电子科技集团第二十九研究所上海安路信息科技有限公司更多>>
发文基金：国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 408篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 91篇电子电信
  • 33篇自动化与计算...
  • 12篇金属学及工艺
  • 12篇文化科学
  • 8篇化学工程
  • 4篇环境科学与工...
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇矿业工程
  • 3篇电气工程
  • 3篇建筑科学
  • 3篇医药卫生
  • 2篇经济管理
  • 2篇机械工程
  • 1篇天文地球
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 103篇半导体
  • 89篇晶圆
  • 52篇刻蚀
  • 49篇光刻
  • 38篇晶体管
  • 35篇金属
  • 34篇半导体制造
  • 34篇衬底
  • 31篇沟道
  • 27篇势垒
  • 26篇势垒层
  • 25篇芯片
  • 23篇半导体制造技...
  • 21篇迁移率
  • 20篇电路
  • 20篇电子迁移率
  • 20篇化合物半导体
  • 19篇电极
  • 17篇漏极
  • 16篇放大器

机构

  • 420篇成都海威华芯...
  • 8篇电子科技大学
  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇西南交通大学
  • 1篇西南科技大学
  • 1篇上海安路信息...

作者

  • 6篇徐跃杭
  • 3篇陈勇波
  • 2篇孔欣
  • 1篇马珊珊
  • 1篇樊华
  • 1篇周中林
  • 1篇叶星宁
  • 1篇刘文
  • 1篇钟智勇

传媒

  • 2篇太赫兹科学与...
  • 2篇2018年全...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电声技术
  • 1篇现代企业
  • 1篇实验室研究与...
  • 1篇西南科技大学...

年份

  • 19篇2024
  • 54篇2023
  • 56篇2022
  • 13篇2021
  • 28篇2020
  • 43篇2019
  • 73篇2018
  • 98篇2017
  • 36篇2016
共 421 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种微波氮化镓器件物理基大信号模型建立方法及系统
本发明公开一种微波氮化镓器件物理基大信号模型建立方法及系统。该方法包括：获取对同一条工艺线上的各个氮化镓器件在不同输入功率下的测试结果数据；计算在每个输入功率下的测试结果数据的均值；基于该均值建立物理基大信号模型，并设置...
徐跃杭乔世阳毛书漫陈勇波汪昌思高能武徐锐敏延波
文献传递
一种降低晶圆研磨正面损伤的制具
本实用新型涉及一种降低晶圆研磨正面损伤的制具，包括制具体，所述制具体上设置有填充粘接剂放置晶圆用的第一凹槽，所述制具体第一凹槽槽底设置有容纳晶圆有效区域用的第二凹槽。本实用新型在制具体上设置有第一凹槽并在第一凹槽内设置第...
陈一峰
文献传递
一种高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法、T形栅和晶体管
本发明公开了一种高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法、T形栅和晶体管，方法包括以下步骤：在半导体基板上涂布第一层光刻胶进行烘烤、I‑line光刻、显影、清洗形成具有垂直面的下层根部腔体；在下层根部腔体上涂布一层水溶性微缩层...
郭盼盼毛江敏李大龙
一种微波AlGaN/GaN HEMT大功率管芯非线性模型
本文提出了一种AlGaN/GaN HEMT大功率管芯非线性模型的建模方法。该方法在小功率单胞器件非线性模型的基础上,引入大功率多胞器件的热模型和电磁模型,从而准确地模拟GaN大功率管芯的非线性特性。将该方法应用于一款0....
陈勇波汪昌思王凤赵佐蔡抒言
关键词：非线性模型
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非合金欧姆接触的GaN HEMT器件
本实用新型提供了一种非合金欧姆接触的GaN？HEMT器件，其包括由下至上依次层叠的衬底、掺杂GaN缓冲层、非掺杂GaN沟道层和非掺杂AlGaN势垒层，非掺杂GaN沟道层和非掺杂AlGaN势垒层之间形成二维电子气，非掺杂A...
黎明陈汝钦
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一种低损伤GaN/AlGaN HEMT栅槽刻蚀方法
本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种低损伤GaN/AlGaN HEMT栅槽刻蚀方法，包括如下内容：在GaN/AlGaN HEMT外延结构上形成刻蚀阻挡层；对所述刻蚀阻挡层进行图形化，露出预设为栅部分的GaN/AlGa...
闫未霞
文献传递
一种无毛刺的光刻方法
本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种无毛刺的光刻方法，包括以下步骤：S1、对晶圆进行预处理后在晶圆上涂覆一层负型光刻胶，通过光刻版对负型光刻胶进行选择性曝光，光刻机曝光剂量为100mj‑150mj，焦距偏差值小于1...
王世伟
文献传递
一种高功率容量和高线性度的数控衰减结构及衰减器
本实用新型公开了一种高功率容量和高线性度的数控衰减结构及衰减器，属于微波技术领域，数控衰减器是采用硅基SOI工艺，在结构上，晶体管的栅极电阻将用于直流偏置电压和射频信号隔离，在串联的第一支路方向上，并联多个串联的晶体管，...
谭力霍晓石陈阳郭焕熙
一种金属硬掩膜的制作方法和晶圆
本发明公开了一种金属硬掩膜的制作方法和晶圆，方法包括以下步骤：在晶圆衬底表面制作有机物隔离层；在有机物隔离层上沉积金属硬掩膜层；所述金属硬掩膜层用于实现将器件区图形转移至晶圆衬底。本发明在晶圆与金属硬掩膜之间使用有机物做...
冯琪琪
一种双异质结结构的背势垒GaN HEMT结构
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种双异质结结构的背势垒GaN HEMT结构，由下至上依次包括：衬底、SiN/AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN 帽层，能够有效...
黎明
文献传递
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