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无锡英诺赛思科技有限公司

作品数：40 被引量：0H指数：0
相关机构：清华大学江南大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 40篇中文专利

领域

  • 11篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 15篇电路
  • 10篇氮化镓
  • 10篇半导体
  • 7篇集成电路
  • 6篇电容
  • 6篇瞬态
  • 6篇瞬态抑制
  • 6篇高压电容
  • 5篇产生电路
  • 4篇电源
  • 4篇贴片
  • 4篇贴片机
  • 4篇芯片
  • 4篇壳体
  • 3篇氮化镓器件
  • 3篇信号
  • 3篇胶接
  • 3篇高压集成电路
  • 3篇半导体器件
  • 2篇单晶

机构

  • 40篇无锡英诺赛思...
  • 31篇清华大学
  • 1篇江南大学

年份

  • 2篇2024
  • 9篇2023
  • 16篇2022
  • 11篇2021
  • 2篇2020
共 40 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高精度模数转换器转换速度提升电路
本发明属于集成电路技术领域，具体为一种高精度模数转换器转换速度提升电路，该电路包括：信号输入电路、高精度ADC内核、高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路、数据求和电路以及数字校准电路。本发明所述高精度模数转换器...
周德金陈珍海徐宏吴振华龚桦黄伟
文献传递
一种高精度半导体材料性能测试方法
本发明公开了一种高精度半导体材料性能测试方法，属于半导体测试技术领域，包括如下步骤：S1：通过半导体测试设备实时采集高精度半导体材料的电信号，且对实时采集的电信号进行放大、滤波、调制、解调、均衡及识别，确定出基于高精度半...
周德金刘君缪智勇
带自启动功能的带隙基准电压产生电路
本发明公开了一种带自启动功能的带隙基准电压产生电路结构。所提供的带自启动功能的带隙基准电压产生电路，一方面采用二极管代替传统的三极管，减小了芯片版图面积；另外一方面采用了高可靠低延时启动电路，不使用电阻和电容等无源器件，...
周德金徐宏廖忠青葛荣
一种用于半导体贴片机的高效直线抓取系统
本发明公开了一种用于半导体贴片机的高效直线抓取系统，具体涉及直线抓取设备技术领域，包括主板、固定杆、壳体和吸筒，所述主板的底端设置有壳体，且壳体与主板之间固定连接有固定杆，所述壳体的内部设置有四组吸筒，且吸筒的顶端设置有...
周德金 徐宏 马君健 韩婷婷 于理科 刘宗伟
文献传递
一种用于失效分析的样品的处理装置
本发明提供一种用于失效分析的样品的处理装置，包括梯形工作台，防滑橡胶垫，带孔IC座，塑料支架，弯折观察架结构，吸尘补光架结构，电动马达，侧面支撑架，燕尾型限位滑槽，燕尾型移动滑块，锁紧螺栓，升降减速架结构，燕尾型升降板，...
钟磊 徐宏 廖忠青 周德金
超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路
本发明涉及一种超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路，包括输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧输出驱动电路、低侧栅压钳位电路、调制发送电路、高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电...
周德金徐宏黄伟陈珍海马君健李亮
高精度欠压保护电路
本发明公开了一种高精度欠压保护电路结构。所提供的高精度欠压保护电路，本发明的针对上电复位过程欠压保护输出状态进行了保护，采用上电复位电路控制整体欠压保护电路的状态；另外欠压保护输出电压采用专用电源VDD2，与欠压保护电路...
周德金杨烨钟磊濮旦晨
一种半导体高低温耐受性测试方法
本发明公开了一种半导体高低温耐受性测试方法，涉及半导体技术领域，为了解决半导体耐受性检测不便捷以及检测数据不准确的问题。本发明将高温检测数据记录和低温检测数据记录进行聚类处理，可以有效的将高温和低温检测时的不同性能的数据...
周德金缪智勇钟磊
一种半导体测试机校准装置及其测试校准方法
本发明公开了一种半导体测试机校准装置及其测试校准方法，涉及半导体测试机技术领域。其包括测试台，测试台的侧面安装有控制机箱，测试台表面的边缘处设置有测试仪，测试台的内部设置有校准机构，测试台表面的中间位置设有底座，校准机构...
周德金潘彦宏雷春晔
一种氮化镓器件位移损伤等级测试系统及方法
本发明公开了一种氮化镓器件位移损伤等级测试系统及方法，属于氮化镓器件测试技术领域。本发明解决了现有氮化镓器件经中子辐照后产生位移损伤影响性能的问题，通过对未质子辐照的氮化镓器件进行电学性能测试，再将氮化镓器件连接在PCB...
周德金钟磊
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