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中航(重庆)微电子有限公司

作品数：259 被引量：9H指数：2
相关机构：重庆大学教育部中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理机械工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 251篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 27篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 4篇经济管理
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇农业科学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 64篇半导体
  • 37篇肖特基
  • 34篇外延层
  • 25篇势垒
  • 25篇半导体器件
  • 23篇导电类型
  • 22篇电路
  • 22篇二极管
  • 22篇掺杂
  • 21篇衬底
  • 20篇电阻
  • 20篇击穿电压
  • 17篇封装
  • 16篇元胞
  • 16篇感器
  • 16篇传感
  • 16篇传感器
  • 15篇电荷
  • 14篇芯片
  • 12篇栅极

机构

  • 259篇中航(重庆)...
  • 3篇重庆大学
  • 1篇教育部
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 2篇杜晓晴
  • 1篇李君儒
  • 1篇陈伟民
  • 1篇高杨
  • 1篇童广
  • 1篇罗伟
  • 1篇曾超
  • 1篇鲍俊
  • 1篇陈宏

传媒

  • 1篇中外企业家
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇材料导报
  • 1篇应用光学
  • 1篇行政事业资产...

年份

  • 3篇2019
  • 58篇2018
  • 63篇2017
  • 54篇2016
  • 33篇2015
  • 33篇2014
  • 15篇2013
共 259 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
稳流驱动装置
本发明主要涉及在电源管理装置中控制稳流的系统，更确切地说，涉及一种可应用于管理LED的稳流控制系统。通过在反激变压器的原边对串接在变压器上的控制开关实施控制，产生驱动信号来驱动该控制开关，从而实现在反激变压器的一副边来实...
陈政佑
文献传递
超结PIN器件及制备方法
本发明提供了一种具有超结的PIN器件及制备方法，通过在P区和N区之间的漂移区内额外制备多个掺杂区，可以在获得同等耐压得前提下，可以降低漂移区厚度，同时提高漂移区掺杂浓度，由此获得更低的导通压降，并且间接降低了表面PN结的...
吴多武可瑞思
文献传递
绝缘栅门极晶体管模块
1．本外观设计产品的名称：绝缘栅门极晶体管模块。;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于控制线路的导通和关断。;3．本外观设计产品的设计要点：在于结构，形状。;4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
车湖深徐非夏玉龙
一种多种产品晶圆缺陷的分析方法
本发明提供了一种多种产品晶圆缺陷的分析方法，应用晶圆缺陷分析，其特征在于，具体包括以下步骤：提供一基准晶圆以及多个目标晶圆；通过扫描分别获取基准晶圆的第一缺陷数量以及目标晶圆的第二缺陷数量；获取基准晶圆的第一有效扫描面积...
杜丽杨林曹兴旺
沟槽式功率MOS器件接触孔电阻检测结构
本发明提供一种沟槽式功率MOS器件接触孔电阻检测结构，且本发明为四端的检测结构。本发明在各该检测单元的第一接触孔和第二接触孔之间增加一形成于深沟槽中的深沟槽栅极，深沟槽贯穿位于各该检测单元的第一接触孔和第二接触孔之间的源...
黄晓橹
文献传递
一种现场数据库的优化方法
本发明涉及数据库技术领域，尤其涉及一种现场数据库的优化方法，包括：判断现场数据库中的数据块的大小和使用频率，于所有数据块的大小小于一第一预设值并且数据块的使用频率大于一第二预设值时，对现场数据库进行查询优化；上述的技术方...
朱进义邱世图谭力黄倩
文献传递
三层混合晶向绝缘体上半导体结构及其制作方法
本发明提供一种三层混合晶向绝缘体上半导体结构及其制作方法，包括：基底、第一掩蔽层、第一凹槽、GaN层、第二凹槽、第一侧墙结构、单晶硅层、第三凹槽、第二侧墙结构、以及GeSi层，其中，所述GeSi层、GaN层以及单晶硅层的...
黄晓橹
一种沟槽式肖特基二极管结构及其制备方法
本发明提供一种沟槽式肖特基二极管结构及其制备方法，所述沟槽式肖特基二极管结构至少包括：第一导电类型的衬底；多个沟槽结构，包括形成于所述衬底中的多个沟槽、结合于各该沟槽表面的介质层、以及填充于各该沟槽内的导电材料；其中，相...
黄晓橹沈健陈逸清
文献传递
沟槽肖特基二极管及其制作方法
本发明提供一种沟槽肖特基二极管及其制作方法，包括：于硅基底中形成多个具有第一宽度的第一沟槽以及至少一个位于终端的具有第二宽度的第二沟槽，所述第二宽度大于所述第一宽度；于第一沟槽第二沟槽及硅基底的表面形成介质层；沉积多晶硅...
余强焦伟桑雨果姚鑫张小辛
把握国内经济结构转型机遇发展壮大国功率半导体产业
文章介绍了功率半导体器件产业现状和发展趋势，阐述了中航微电子功率半导体发展情况，并对国家功率半导体器件产业的发展进行了思考。
李锋
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