您的位置: 专家智库 > >

浙江大学物理系现代光学仪器国家重点实验室

作品数:7 被引量:13H指数:2
相关作者:何展王迅更多>>
相关机构:浙江工业大学之江学院理学系中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金浙江省自然科学基金浙江省教育厅科研计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 2篇光纤
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶光纤
  • 1篇导体
  • 1篇电流
  • 1篇电流传感器
  • 1篇电学性能
  • 1篇新型光纤
  • 1篇氧化物
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光增强
  • 1篇荧光增强效应
  • 1篇声子
  • 1篇探测器
  • 1篇气泡
  • 1篇迁移率
  • 1篇相互作用
  • 1篇金属
  • 1篇金属氧化物
  • 1篇晶体管

机构

  • 7篇浙江大学
  • 2篇浙江工业大学...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇浙江商业职业...

作者

  • 4篇吴惠桢
  • 2篇徐天宁
  • 2篇原子健
  • 2篇沈剑威
  • 2篇朱夏明
  • 1篇何展
  • 1篇张莹莹
  • 1篇沈永行
  • 1篇斯剑霄
  • 1篇方维政
  • 1篇戴宁
  • 1篇傅志辉
  • 1篇王雄
  • 1篇蔡春锋
  • 1篇隋成华
  • 1篇卢忠
  • 1篇张永刚
  • 1篇王其良
  • 1篇魏晓东
  • 1篇王迅

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2006
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
极性分子的激光冷却及囚禁技术被引量:2
2019年
分子由于其不同于原子的特殊性质,在原子、分子和光物理研究中有其独特的地位.冷分子研究已经开展了二三十年,取得了很多重大的进展.但是以斯塔克减速器为代表的传统冷却方案遇到瓶颈,很难进一步提高分子的相空间密度.将原子中成熟的激光冷却技术拓展到极性分子中是本领域近年来的重大突破,使得冷却和囚禁分子的范围得以大大扩展,分子的相空间密度也得以提高.本文对国内外激光冷却极性分子的最新成果进行综述,并以BaF分子为例介绍激光冷却极性分子的相关理论和技术,包括分子能级结构分析及精密光谱测量,采用缓冲气体冷却进行态制备和预冷却,以及通过冷分子束研究激光与BaF分子间的相互作用.这些为后续开展激光冷却与囚禁实验研究奠定了基础,也为开展其他新的分子冷却实验提供了参考.
陈涛颜波
关键词:激光冷却
LHPG法生长单晶光纤中熔区生长界面对消除气泡的影响被引量:6
2008年
采用激光加热基座法(LHPG法)生长的单晶光纤一般具有较好的表面光学质量,但单晶光纤在生长过程中常产生包裹气泡。该类气泡的存在将严重劣化光纤的性能。由于其产生原因复杂,多年来一直没有有效的消除方法。本文采用LHPG法生长Nd3+:YAG单晶光纤,深入分析了熔区生长界面对消除气泡的影响。实验结果表明,相比于其它熔区,凹形熔区稳定性能较好,是最佳的熔区形状,采用此熔区生长出的单晶光纤没有气泡,具有极好的光学品质。
沈剑威王迅沈永行
关键词:单晶光纤气泡
分子束外延PbTe薄膜中的红外光电导探测器被引量:1
2010年
中红外探测器在诸多领域具有重要的应用,目前,我国在PbTe、PbSe中红外探测器方面研制较少,通过分子束外延技术、以CdZnTe(111)为衬底生长PbTe外延薄膜,XRD表征表明:PbTe外延薄膜是单晶薄膜,且与衬底具有相同(111)取向,光吸收光谱测量得到外延薄膜的光学吸收边位于3.875μm,光致发光谱显示发光波长位于3.66μm,蓝移是红外激光泵浦导致PbTe温升所致。以PbTe为有源区材料、ZnS薄膜作为钝化和绝缘材料,用AuPtTi合金作为欧姆接触电极,研制了PbTe光电导中红外探测器原型器件,探测器在78K温度下的光电导响应在红外波段的1.5~5.5μm,探测率约为2×109cm·Hz1/2·W-1。最后,对影响探测器工作的因素和改进方法进行了讨论。
何展魏晓东蔡春锋斯剑霄吴惠桢张永刚方维政戴宁
关键词:PBTE
In_2O_3透明薄膜晶体管的制备及其电学性能的研究被引量:2
2010年
采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜.该薄膜具有(111)晶面择优取向,晶粒尺寸达到33nm.利用光刻工艺制作了以In2O3晶体薄膜为沟道层的底栅式薄膜晶体管.In2O3薄膜晶体管具有良好的栅压调制特性,场效应迁移率达到6.3cm2/(V·s),开关电流比为3×103,阈值电压为-0.9V.结果表明,In2O3薄膜晶体管在新型平板显示领域具有潜在的应用前景.
徐天宁吴惠桢张莹莹王雄朱夏明原子健
关键词:磁控溅射薄膜晶体管场效应迁移率
基于Ga:YIG晶体的新型光纤电流传感器被引量:3
2006年
基于磁致旋光介质的法拉第磁光效应,设计了一种光纤电流传感器。核心部件采用了Ga:YIG磁光晶体。通过实验测试,得到其在室温下的维尔德系数为550rad.T-1.m-1,是普通YIG晶体的50多倍。预期通过进一步的完善,该装置能够用于电力系统中大电流的实时测量。
沈剑威傅志辉王其良
关键词:GA传感器
Al/ZnO:Al薄膜结构的荧光增强效应的研究
利用物理气相沉积设备制备了Al/ZnO∶Al薄膜结构,研究了该结构的发光特性。结果表明,在ZnO:Al薄膜表面镀一层Al岛薄膜可以增强其带边荧光,同时在475 nm附近产生蓝光峰。通过在Al岛薄膜和ZnO∶Al薄膜之间引...
徐天宁卢忠隋成华吴惠桢
关键词:半导体薄膜金属氧化物荧光增强效应
文献传递
掺氮ZnO的多声子共振Raman散射光谱研究
我们详细研究了掺氮ZnO薄膜中的多声子共振Raman散射过程,在室温下观察到高达六阶的纵光学(LO)声子峰,而且掺氮后ZnO的共振Raman散射强度显著增强。掺氮ZnO第一阶LO声子的Raman散射强度比未掺杂ZnO样品...
朱夏明吴惠桢原子健孔晋芳沈文忠
共1页<1>
聚类工具0