峨嵋半导体材料厂
- 作品数：83 被引量：101H指数：7
- 相关作者：王炎何秀坤丁国江徐远林何兰英更多>>
- 相关机构：北京有色金属研究总院清华大学武警四川总队医院更多>>
- 相关领域：语言文字电子电信经济管理化学工程更多>>
- 企业会计内部控制的作用被引量：7
- 2003年
- 周光俊
- 关键词：企业会计内部控制以人为本会计监督财务管理
- 无衰减硅单晶的研制
- 针对P型掺硼硅单晶电池的光致衰减问题，分析了光致衰减产生的原因及消除机理，提出了几种解决方案;分析了几种方案的可行性，选择了最经济、最方便的方案——用镓元素取代硼作为P型太阳能硅单晶的掺杂剂的拉晶方法，通过实验研制出4支...
- 谢江帆
- 关键词：太阳能电池硅单晶
- 文献传递
- 输卵管结扎术后异位妊娠破裂被引量：5
- 2005年
- 唐水平
- 关键词：误诊输尿管结石
- 三氯氢硅和四氯化硅混合比对多晶硅生产的影响被引量：9
- 1998年
- 传统现点认为:将三氯氢硅和四氯化硅按一定比例混合进入还原炉进行多晶硅还原生产,可降低消耗,提高效益.本文通过实验研究,得出在现有工艺条件下,将四氯化硅加入三氯氢硅同时进入还原炉进行多晶硅生产,并不能起到预期的效果.经改进后的工艺在实际生产应用中,取得了较好成果.
- 丁国江
- 关键词：混合比三氯氢硅氢还原四氯化硅多晶硅
- 在国产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶
- 1998年
- 高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大.大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件.目前国内生产φ101mm.区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现.我们通过设备技术改造和工艺条件摸索,成功实现了在国产设备上拉制φ101mm.区熔硅单晶.填补了空白,节约了外汇,打破了迷信,为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心.
- 魏斌王炎
- 关键词：区熔硅单晶区熔炉半导体硅
- 直拉硅单晶中微缺陷漩涡浅见
- 1998年
- 本文阐述了硅单晶中微缺陷漩涡产生的条件及形成原因,认为微缺陷漩涡与制备硅单晶时的热历程有关,杂质是微缺陷的成核中心,自间隙原子及杂质的络合产生微缺陷漩涡.解决方法是:建立合适的热场和工艺条件,如提高热场高度和晶速度、适当增大保护气体的流通量,达到减少微区回熔和杂质污染的目的。
- 丁浩
- 关键词：硅单晶半导体硅
- 硅单晶化学腐蚀检测工艺研究
- 1998年
- 本文对硅单晶化学腐蚀检测工艺进行了研究,结合生产实际分析了传统工艺的不足并提出改进方向,通过实验,获得了一套简洁准确、高效的腐蚀检测工艺并成功地用于实际检测.
- 吴道荣
- 关键词：硅单晶化学腐蚀半导体
- 食用酒精加苯共沸塔板精馏制取试剂级无水乙醇被引量：1
- 1998年
- 本文从分析苯-水-乙醇三元恒沸混合物及苯-水-乙醇三元恒沸混合物脱水除苯工艺原理及间歇共沸精馏分离杂质原理出发,进行了设备选型,工艺试验,并进行了原料配比、最适宜回流比及杂质分离效果、低馏份回收处理等工艺条件试验.根据试验结果,确定各工序操作曲线及条件.本工艺稳定、安金、经济,取得了良好的应用效果和经济效益.
- 覃锐兵
- 关键词：无水乙醇共沸精馏法苯乙醇
- 高纯锡
- 硅多晶真空区熔基硼检验方法
- 本标准适用于三氯氢硅及四氯化硅氢还原在细硅芯上沉积硅多晶所生长出来的硅多晶棒。
- 关键词：硅晶体缺陷
- 文献传递
