福州大学光电显示技术研究所
- 作品数：31 被引量：53H指数：4
- 相关作者：郭碧辉王宗贤王灵捷杨开宇更多>>
- 相关机构：福建工程学院电子信息与电气工程系福建工程学院材料科学与工程系北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 氧化锡纳米线在场致发射显示器中的应用研究
- 2010年
- 采用改进的热蒸发法制备了大量的一维氧化锡纳米线,利用丝网印刷工艺将制备的氧化锡纳米线印刷在玻璃基板银电极上作为场发射阴极材料,研究了阴极的场致发射特性,实现了原型显示器件的均匀点亮,实验结果表明,该方法制备的氧化锡纳米线作为阴极材料具有低的阈值电场(6.67 V/μm)、高的发射电流密度(205μA/cm2)和好的场发射稳定性(发射电流涨落幅度在10%以内)。
- 马立安郭太良蔡曙光
- 关键词：纳米材料场致发射平板显示器
- 不同温度制备AZ0薄膜及光电性能研究
- 采用射频磁控溅射技术，在不同的沉积温度条件下，以掺2wt%Al2O3的ZnO陶瓷靶作为靶材，在石英玻璃上制备ZnO：Al(AZO)透明导电薄膜。本文通过测试不同沉积温度下制备薄膜的XRD图，透过率曲线，以及薄膜电阻率，载...
- 林之晓李福山陈景水郭太良
- 关键词：AZO薄膜射频磁控溅射法光电性能
- 文献传递
- 不同转移法对碳纳米管场发射特性的影响被引量：3
- 2012年
- 通过印刷法、喷涂法和电泳沉积法转移经过处理的碳纳米管(CNT)原料到ITO电极上,高温烧结制备CNT阴极阵列,并对CNT的表面形貌和场发射性能进行测试分析。结果表明,不同转移方法对CNT阴极场发射性能的影响不同,印刷法、喷涂法及电泳沉积法3种方法制备CNT阴极场发射的开启电场分别为2.21、1.62和1.85 V/μm;当电场为2.3 V/μm时,喷涂法制备的CNT阴极场发射性能最佳,电泳沉积法制备CNT阴极次之,印刷法制备的CNT阴极最差,并根据金属半导体理论分析其原因。
- 林金阳王灵婕张永爱郭太良
- 关键词：喷涂法场发射
- 有机溶剂对氧化铋纳米结构形貌和场发射性能的影响
- 2014年
- 为了研究有机溶剂对化学合成法中生成的氧化铋纳米材料结构及场发射性能的影响,反应过程中,分别添加三个不同剂量的有机溶剂,获得三种产物。利用扫描电镜对其结构进行分析,并进行场发射性能测试,结果表明,线状的氧化铋纳米材料阴极阵列,开启电场最小,为2.6 V/μm,场增强因子最大,为2160,场发射性能最佳,手状结构的氧化铋纳米材料阴极阵列场发射次之,类手状结构最差,最后对有机溶剂对不同形貌产生的原因进行了分析。
- 林金阳张永爱杨尊先郭太良
- 关键词：氧化铋场发射化学合成有机溶剂
- 具有金属栅的四角状氧化锌纳米针电子场发射特性被引量：4
- 2010年
- 以高纯锌粉为原料,采用气相反应法制备了四角状氧化锌纳米针。利用丝网印刷技术结合光刻工艺组装金属网前栅三极结构场致发射显示器件。场发射测试结果表明,器件具有明显的栅控特性。器件的开启栅压为270V,当栅极电压为600V时,阳极电流高达2.75mA,栅极漏流仅为0.43mA,测量的峰值亮度为2300cd/m2。
- 马立安胡利勤郭太良
- 关键词：场发射金属网
- 气相法控制生长四脚状氧化锌纳米针的研究被引量：1
- 2010年
- 以H2O2陈化处理的锌粉为原料,采用化学气相沉积法通过控制载气中氧的含量、反应时间、沉积温度等参数条件,实现了四角状氧化锌纳米针的控制生长.借助于扫描电镜、X线衍射和X线能谱仪对不同实验条件下制备的样品进行形貌和结构的细致表征.实验结果表明,在高温气相反应中,锌蒸气的超饱和是控制四角氧化锌纳米结构初始形核孕育和形貌尺寸长大的关键因素.在此基础上,对氧化锌纳米结构的生长机理进行了探讨.
- 马立安胡利勤蔡曙光
- 关键词：晶体生长氧化锌
- 基于多阶段决策的机器人全局路径规划算法被引量：12
- 2016年
- 针对移动机器人路径规划过程中单一算法不易协调多种要求的问题,提出一种基于多阶段决策思想的全局路径规划算法。根据不同功能将规划过程划分为多个阶段,每一阶段的决策均依赖于上一阶段的决策结果。利用改进的位置码四叉树模型构建规划环境的模型,使用A*算法在前一步构建的基础上规划出最优路径存在的区域,称为路径区域,应用改进粒子滤波算法得到路径点,将路径点作为关键点利用分段B样条插值得到规划结果。实验结果表明,与A*算法和粒子滤波算法相比,该算法的规划时间、路径点数量、规划结果评价值等指标均有所提高,通过加入参数自动化选取,减弱了人为因素对规划结果的影响。
- 张启飞郭太良
- 关键词：机器人路径规划粒子滤波
- 碳纳米管制备蓝光石墨烯量子点及其在柔性有机存储器上的应用被引量：5
- 2014年
- 通过化学裁剪法打开碳纳米管获得了粒径一致、性能稳定、具有蓝色荧光的石墨烯量子点。该方法属于化学溶液法,具有成本低廉、工艺简单、条件易控等优势。将该样品与半导体聚合物按一定比例混溶,通过旋涂技术形成基于石墨烯量子点掺杂的聚合物复合薄膜,进而制成柔性存储器。该柔性可弯曲存储器具有低驱动电压、接近103的ON/OFF比率、较好的循环次数,较好的重复性和稳定性。该研究结果为柔性有机存储器领域的研究展开了新的方向。
- 寇丽杰李福山郭太良
- 磁场后处理增强碳纳米管场发射特性的研究被引量：4
- 2014年
- 采用磁场后处理法改变碳纳米管的表面结构,增强了碳纳米管场发射性能。采用SEM对样品的处理前后的形貌进行了表征,场发射的数据显示,相对于,未经过任何处理的碳纳米管阴极,磁场后处理过的碳纳米管冷阴极的开启电场(电流密度为0.1 mA/cm2时的电场)由1.05降低到0.73 V/μm,场增强因子从1656增加到2045,场发射的亮度及均匀度均得到改善。相对其它后处理方法,磁场后处理法是一种简单、经济且有效的增强碳纳米管的场发射特性的方法。
- 林金阳张永爱杨尊先郭太良
- 关键词：碳纳米管场致发射
- 平栅型双层膜阴极的脉冲电压处理及场致发射性能研究
- 2014年
- 采用脉冲电压法对平栅双层膜阴极进行处理,进一步提高其场致发射性能。采用磁控溅射法在平行栅电极上溅射氧化铋薄膜和氧化锡薄膜,并对薄膜进行AFM分析,通过场致发射测试结果表明,经过脉冲电压法处理后的平行栅双层膜阴极的发射性能,如亮度、均匀度等有了很大的提高,阳压为3 000 V,栅压为190 V,其腔体亮度可达462 cd/m2。平行栅双层膜阴极的脉冲电压处理可以有效改善阴极的场发射性能,为改善SED阴极结构及材料提供了一条有效的实验方法。
- 林金阳张永爱杨尊先郭太良
- 关键词：场发射
