大连交通大学材料科学与工程学院光电材料与器件研究所
- 作品数：7 被引量：24H指数：3
- 相关机构：大连理工大学材料科学与工程学院大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：大连市科技计划项目国家自然科学基金辽宁省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>
- Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响被引量：12
- 2008年
- 利用直流脉冲磁控溅射方法在玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜。通过台阶仪、四探针电阻仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等研究了Ar气压强对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明,在低的Ar气压强下制备的Mo薄膜晶粒尺寸较大,薄膜结晶质量好,薄膜具有优良的光电性能,Ar气压强的增加将导致薄膜的晶粒尺寸减小,薄膜结晶质量差,结构疏松,从而降低薄膜的光电性能。Ar气压强为0.4 Pa时制备薄膜的晶粒尺寸为21.02 nm,电阻率最低,为14μΩ.cm,波长190 nm^850 nm范围内的平均反射率可达到66.94%。
- 朱继国丁万昱王华林张树旺张粲张俊计柴卫平
- 关键词：MO薄膜晶粒尺寸光电性能
- 纳米ZnO粉体的制备及紫外-可见光吸收性能研究被引量：4
- 2009年
- 采用直接沉淀法,以ZnSO·47H2O为锌源,以Na2CO3为沉淀剂制得纳米ZnO的前驱体,在不同的热处理温度条件下制备了不同晶粒尺寸的纳米ZnO粉体。用X-射线衍射仪,透射电子显微镜和紫外-可见分光光度计对粉体的晶体结构,显微形貌和紫外-可见光吸收性能进行了表征,并重点探讨了煅烧温度对纳米ZnO粉体在紫外-可见光波段吸收性能的影响。结果表明,前驱体为Zn5(OH)6(CO3)2,300℃以上的煅烧温度下为六方晶系的球形纳米ZnO。合成的粉体在可见光区有很好的透过性,而在紫外光区具有很宽的吸收频段和优异的吸收性能,且随煅烧温度的不同而出现变化。
- 汪亚辉刘世民姜薇薇曲福明柴卫平
- 关键词：纳米ZNO直接沉淀法
- 薄膜厚度对直流脉冲磁控溅射Mo薄膜光电性能的影响被引量：9
- 2008年
- 采用直流脉冲磁控溅射方法在SLG衬底上沉积CIGS太阳电池背接触Mo薄膜，研究了薄膜的光学和电学性能随厚度的变化关系。结果表明，随着薄膜厚度的增加，薄膜的电阻率先降低后增加，在厚度284．3nm处电阻率最低，为7．3×10^-4Ω·cm。不同厚度的Mo薄膜在各个波长处（200～840nm）反射率都随波长的增加而增大。随着薄膜厚度的增加，平均反射率总的呈下降趋势，在薄膜厚度284．3nm时出现一反射率高峰，其在200-840nm波长范围内的平均反射率达43．33％。
- 朱继国柴卫平王华林张树旺刘世民张粲汪亚辉
- 关键词：MO薄膜电阻率反射率
- 纳米ZnO粉体的制备及紫外-可见光吸收性能研究
- 采用直接沉淀法,以ZnSO4·7H2O为锌源,以Na2CO3为沉淀剂制得纳米ZnO的前驱体,在不同的热处理温度条件下制备了不同晶粒尺寸的纳米ZnO粉体.用X-射线衍射仪,透射电子显微镜和紫外-可见分光光度计对粉体的晶体结...
- 汪亚辉刘世民姜薇薇曲福明柴卫平
- 关键词：粉体制备紫外线屏蔽剂直接沉淀法吸收性能煅烧温度
- 文献传递
- 纳米ZnO粉体的制备及紫外-可见光吸收性能研究
- 采用直接沉淀法,以ZnSO·7HO为锌源,以NaCO为沉淀剂制得纳米ZnO的前驱体,在不同的热处理温度条件下制备了不同晶粒尺寸的纳米ZnO粉体。用X-射线衍射仪,透射电子显微镜和紫外-可见分光光度计对粉体的晶体结构,显微...
- 汪亚辉刘世民姜薇薇曲福明柴卫平
- 关键词：纳米ZNO直接沉淀法
- 文献传递
- 基片温度对SiNx薄膜结晶状态及机械性能的影响被引量：2
- 2008年
- 利用微波电子回旋共振增强磁控反应溅射法在不同基片温度下制备无氢SiNx薄膜.通过傅里叶变换红外光谱、透射电子显微镜、台阶仪、纳米硬度仪等表征技术,研究了基片温度对SiNx薄膜结晶状态、晶粒尺寸、晶体取向等结晶性能以及薄膜的生长速率、硬度等机械性能的影响,并探讨了薄膜结晶性能与机械性能之间的关系.研究结果表明,在基片温度低于300℃时制备的SiNx薄膜以非晶状态存在,硬度值仅为18 GPa左右;基片温度在320—620℃范围内,SiNx薄膜中出现纳米晶粒,且晶粒尺寸随沉积温度的增加而增加,在沉积温度为620℃时达到最大,为20±1.5nm;当沉积温度为700℃时,SiNx薄膜的晶粒尺寸突然减小,但由于此时晶粒密度为最大,因此薄膜硬度达到最大值(36.7 GPa).
- 丁万昱徐军陆文琪邓新绿董闯
- 关键词：SINX磁控溅射微观结构
- 织构化BaTiO_(3)压电陶瓷材料的制备研究进展
- 2022年
- BaTiO_(3)陶瓷作为一种无铅压电陶瓷有着广泛的应用前景,但常规方法制备的该类陶瓷压电性能通常不如铅基压电陶瓷。织构化是在不改变材料组分的前提下,提高压电陶瓷材料性能的重要手段。制备织构化的BaTiO_(3)压电陶瓷来取代铅基压电陶瓷,成为该领域近些年的研究热点之一。本文总结了BaTiO_(3)基压电陶瓷织构化制备技术的进展,其中除一些常见的制备技术外,还有近几年重新发展起来的电泳辅助技术以及新发展起来的电泳与强磁场辅助技术,主要介绍了这些制备技术制备织构化的BaTiO_(3)陶瓷的优劣,并对该领域的发展趋势进行了展望。
- 赵升顺李金阁王楠马玉林刘超前
- 关键词：压电性能电泳技术
