电子科技大学微电子与固体电子学院
- 作品数：2,395 被引量：6,373H指数：29
- 相关作者：王豪才王京梅唐武贾坤杨文君更多>>
- 相关机构：重庆大学化学化工学院四川大学物理科学与技术学院中国工程物理研究院激光聚变研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>
- 芯片设计中的功耗估计与优化技术
- 现代芯片设计中，功耗越来越引起设计者的关注。在本文中，我们首先分析了功耗的组成部分，然后阐述了功耗估算的方法，通过功耗估算可以使设计者在设计初期及时评估设计方案的效率，以便做出最优的选择。最后，重点分析了功耗优化的手段，...
- 于立波
- 关键词：集成电路功耗估计优化设计系统架构
- Al2O3含量和烧结温度对Y-TZP陶瓷机械性能的影响
- 探讨了AlO的含量和烧结温度对YO包覆ZrO的Y—TZP材料的机械性能的影响.以掺有AlO的,YO包覆单斜相ZrO纳米级粉体为原料,在1400～1500℃的真空中热压烧结,可以获得致密化的钇稳定四方相多晶陶瓷(Y—TZP...
- 袁正希
- 关键词：烧结温度机械性能多晶陶瓷
- 文献传递
- 等离子法制备氮化铝粉末原料的研究
- 本文以金属铝粉和氮气为原料通过直流电弧等离子法制备氮化铝粉末,经羧酸与盐酸混酸在常温超声条件化学纯化后,X衍射分析表明:制备出纯度高的氮化铝粉末;样品SEM照片显示:处理后AlN粉末粒度为2～5μm存有少量氮化铝晶须。
- 禹争光扬邦朝
- 关键词：氮化铝粉末
- 文献传递
- W^(6+)离子掺杂对NiCuZn铁氧体的微观结构及电磁性能的影响被引量：5
- 2006年
- 用传统的氧化物法制备了NiZnCu铁氧体,研究了掺杂W6+离子对Ni0.24Zn0.56Cu0.2Fe2O4铁氧体磁性能及微观结构的影响。实验发现,掺杂W6+离子后NiCuZn铁氧体的微观结构有显著变化,晶粒尺寸逐渐减小,晶粒趋于均匀。同时,W6+离子的加入对材料电磁性能也有一定的改善,随着W6+离子的增加,材料截止频率增高,介电常数ε′增大。
- 肖建平钟慧石玉
- 关键词：NICUZN铁氧体微结构电磁性能
- 基于LTCC工艺的DC-DC变换器设计与制作被引量：1
- 2017年
- 基于LTCC技术的DC-DC变换器具有体积小、重量轻、可靠性高、成本低等特点,该文在LTCC工艺基础上,将DC-DC变换器电路中的电感内埋在LTCC基板中,设计了一款输入电压范围3~6 V,输出电压1.8 V,最大负载电流2 A的DC-DC变换器电路。实践表明,LTCC技术能够将无源器件内埋,可以降低生产成本,提高系统的集成度,是一个最具潜力的混合集成方式。
- 叶剑李元勋陈鑫华苏桦张怀武
- 关键词：开关电源DC-DC变换器NIZN铁氧体LTCC技术
- 利用动态法测量相变热释电材料的热释电系数
- 用动态法测量了相变热释电材料(Ba0.65Sr0.35)TiO3薄膜的热释电系数,并对相变热释电系数的计算进行了理论分析。先测量了传统热释电材料LiTaO3单晶薄片的热释电系数,温度信号和热释电电压存在90°相位差,热释...
- 姚金城吴传贵普朝光张万里李言荣朱俊
- 关键词：BST薄膜非制冷红外探测器
- 文献传递
- 石墨烯掺杂研究进展被引量：5
- 2015年
- 石墨烯被认为是在后摩尔时代可能取代硅成为构筑集成电路的主要材料,近年来成为研究热点。然而要使石墨烯在电路中得到实际应用,其稳定、可控的掺杂至关重要。按照不同掺杂机理梳理了近年来关于掺杂石墨烯的研究,分析了表面转移掺杂和替位掺杂两种主流掺杂方法的掺杂机制,比较了不同掺杂方法的优势与劣势,并提出了潜在的应用方向。由于简单表面转移掺杂和替位掺杂方法都使石墨烯掺杂后裸露在外界环境中,很容易受外界吸附物的影响,造成掺杂效果的退化,因此介绍了氮化硅钝化层和金属接触在石墨烯掺杂方面的独特优势,并且认为掺杂后隔绝石墨烯与外界环境是掺杂稳定存在的必要前提。最后,展望了掺杂石墨烯在未来电子器件中的应用。
- 胡荣炎贾昆鹏陈阳战俊粟雅娟
- 关键词：石墨烯掺杂介质金属
- 基于非晶软磁层的巨磁电阻单元性能研究
- 2006年
- 采用剥离工艺制备了单元大小为10μm×18μm的CoNbZr/Co/Cu/Co和N iFe/Co/Cu/Co多层膜结构的3×3自旋阀单元阵列,并测试了自旋阀单元的静态和动态巨磁电阻特性。结果表明CoNbZr层对快速磁场变化具有良好的线性响应特性。与N iFe/Co/Cu/Co自旋阀单元相比,微米尺度的CoNbZr/Co/Cu/Co自旋阀单元具有更良好的自旋电子特性,可以应用到包括MRAM器件在内的自旋电子器件中。
- 张祖刚张万里文岐业唐晓莉张怀武
- 关键词：自旋阀巨磁电阻非晶薄膜
- (FeCo/CoNbZr)_n多层软磁薄膜的结构与磁性能被引量：2
- 2006年
- 利用磁控溅射制备纳米晶单轴各向异性(FeCo/CoNbZr)n多层软磁薄膜,通过CoNbZr层的加入来细化FeCo颗粒。这种组合而成的多层膜矫顽力低,单轴各向异性明显,各向异性等效场Hk高,热稳定性优良,非常适合应用于超高密度磁记录头。
- 曾孝勤蒋向东胡琳张怀武
- 关键词：磁控溅射磁性能微结构
- 一个3位flash ADC核设计被引量：1
- 2008年
- 用CMOS反相器作比较器设计了一个3位的高速低功率flash ADC核。该ADC核可以应用到分级型和流水线型结构的ADC中,实现更高的转换位数。该3位ADC核采用Choudhury等人提出的编码方案,解决了高速ADC的编码电路问题。采用SMIC的0.35μm/3.3CMOS工艺模型,用Candence软件进行仿真,该3位ADC速度高达2Gsps,在该速度下具有0.56mW的低功率。
- 胡蓉彬王继安庞世甫李威朱鹏龚敏
- 关键词：CMOS反相器编码电路
