严光明
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析被引量：2
- 2013年
- 金属与Ge材料接触时界面处存在着强烈的费米钉扎效应,尤其与n型Ge形成的欧姆接触的比接触电阻率高,是制约Si基Ge器件性能的关键因素之一.本文对比了分别采用金属Al和Ni与Si衬底上外延生长的p型Ge和n型Ge材料的接触特性.发现在相同的较高掺杂条件下,NiGe与n型Ge可形成良好的欧姆接触,其比接触电阻率较Al接触降低了一个数量级,掺P浓度为2×1019cm-3时达到1.43×10-5·cm2.NiGe与p型Ge接触和Al接触的比接触电阻率相当,掺B浓度为4.2×1018cm-3时达到1.68×10-5·cm2.NiGe与n型Ge接触和Al电极相比较,在形成NiGe过程中,P杂质在界面处的偏析是其接触电阻率降低的主要原因.采用NiGe作为Ge的接触电极在目前是合适的选择.
- 严光明李成汤梦饶黄诗浩王尘卢卫芳黄巍赖虹凯陈松岩
- 关键词：比接触电阻率
- 采用Al/TaN叠层电极提高Si基Ge PIN光电探测器的性能被引量：4
- 2012年
- 金属与Ge材料接触由于存在强烈的费米钉扎效应,导致金属电极与n型Ge接触引入较大的接触电阻,限制了Si基Ge探测器响应带宽.本文报道了在SOI衬底上外延Ge单晶薄膜并制备了不同台面尺度的Ge PIN光电探测器.对比了电极分别为金属Al和Al/TaN叠层的具有相同器件结构的SOI基Ge PIN光电探测器的暗电流、响应度以及响应带宽等参数.发现在Al与Ge之间增加一薄层TaN可有效减小n型Ge的接触电阻,将台面直径为24μm的探测器在1.55μm的波长和-1 V偏压下的3 dB响应带宽提高了4倍.同时,器件暗电流减小一个数量级,而响应度提高了2倍.结果表明,采用TaN薄层制作金属与Ge接触电极,可有效钝化金属与Ge界面,减轻费米钉扎效应,降低金属与n-Ge接触的势垒高度,因而减小接触电阻和界面复合电流,提高探测器的光电性能.
- 吴政王尘严光明刘冠洲李成黄巍赖虹凯陈松岩
- 关键词：接触电阻PIN光电探测器高频特性
- 金属Al与半导体Ge欧姆接触的制备和表征被引量：1
- 2017年
- 基于圆形传输线模型,通过测试样品的比接触电阻率和电流-电压(I-V)特性曲线,分析对比了Al与Si基上外延生长的p型Ge、n型Ge和n型Si的接触特性。实验结果发现,由于金属与Ge材料接触存在强烈的费米钉效应,导致金属与n型Ge接触有高的接触电阻,难实现低的比接触电阻率;而Al与p型Ge在掺杂浓度为4.2×10^(18) cm^(-3)时,并且经过退火,比接触电阻率能达到4.0×10^(-7)Ω·cm^2;Al与n型Ge和n型Si接触电极相比,后者可形成良好的欧姆接触,其比接触电阻率较n型Ge接触降低了1个量级,经合金化处理后的Al/n+Si接触电阻率能达到5.21×10^(-5)Ω·cm^2,达到了制作高性能Ge光电器件的要求。
- 陈荔群蔡志猛严光明
- 关键词：欧姆接触比接触电阻率
- Si基GePIN光电探测器的设计与制备
- Si基Ge材料因其优异的光电性能，被广泛应用于Si基光电集成和微电子等领域。Si基Ge长波长光电探测器成为Si基光电集成领域重要的研究课题之一。通过计算发现，少子扩散对探测器高频特性有着不可忽视的影响，而由于金属/n-G...
- 严光明
- 关键词：光电探测器欧姆接触超高真空化学气相沉积
