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15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
LTCC生瓷带流延工艺研究被引量:1
2015年
通过合理调配材料成分,有效充分地球磨混料,精确控制工艺参数,成功流延加工出一种硼硅酸盐玻璃/氧化铝陶瓷复合材料体系的低温共烧陶瓷(LTCC)生瓷带。通过对LTCC生瓷带进行热解质量(TG)分析,确定了LTCC基板的烧结温度曲线,对比测试了试制LTCC生瓷带与DuPont 951PT生瓷带及其烧成LTCC基板的性能,考核了试制生瓷带的LTCC加工工艺适应性。结果表明,试制LTCC生瓷带与951PT生瓷带相比,外观质量、厚度、未烧与烧成体密度及烧成LTCC基板的热学性能基本相当,介电常数和介电损耗略有差异,机械强度略大,工艺适应性满足LTCC基板加工实用要求。
何中伟周洪庆王会李冉
关键词:LTCC
MCM-C实用先进组装封装工艺制造技术研究
本文以华东光电集成器件研究所的现有工艺条件为依托,结合作者的实际科研工作,针对LTCC(低温共烧陶瓷)型多芯片组件(MCM-C,陶瓷多芯片组件)的先进组装封装工艺制造技术,进行工程实用化研究。 在综述MCM-C...
何中伟
关键词:封装工艺倒装焊
文献传递
平面零收缩LTCC基板制作工艺研究被引量:8
2013年
LTCC基板的共烧收缩均匀性受到材料和加工工艺的影响较大,使烧成基板的平面尺寸难以精确控制,成为LTCC基板实现高性能应用的一大障碍,需要重点突破。文章在简要介绍了常见平面零收缩LTCC基板制作工艺技术的基础上,通过精选LTCC生瓷带并设计10层和20层LTCC互连实验基板,提出评价指标,根据自有条件开展了自约束烧结平面零收缩LTCC基板的制作工艺研究,重点突破了层压与共烧工艺,将LTCC基板平面尺寸的烧结收缩率不均匀度由通常的±0.3%~±0.4%减小到小于±0.04%,可以较好地满足高密度高频MCM研制的需要。
何中伟高鹏
关键词:LTCC层压
光纤陀螺信号处理电路MCM-C的版图与工艺设计
2006年
介绍一种光纤陀螺信号处理电路MCM-C的版图设计与工艺设计,15层LTCC基板、效率达31.91%的高密度组装、基板与外壳的一体化封装。
何中伟王守政江胜
关键词:版图设计LTCC基板
光纤陀螺信号处理电路MCM-C的版图与工艺设计
2006年
介绍一种光纤陀螺信号处理电路MCM-C的版图设计与工艺设计,15层LTCC基板、效率达31.91%的高密度组装、基板与外壳的一体化封装。
何中伟王守政江胜
关键词:版图设计LTCC基板
多级台阶空腔LTCC一体化BGA封装外壳的试制
2013年
为适应封装超多引出端(400线)的高密度复杂MCM及超大尺寸VLSI芯片的需要,设计并试制了一种30层生瓷、5级台阶空腔LTCC基板的一体化BGA封装外壳,外形尺寸32mm×32mm×5.7mm,400个BGA焊球引出端,直径0.76mm,节距1.5mm×1.5mm,焊接空洞率、焊球剪切力、封装气密性均能达到国军标要求,工艺质量可以满足LTCC一体化BGA封装的应用需求。
何中伟李寿胜杜松
关键词:LTCC基板空腔焊球BGA一体化封装
LTCC生瓷带基本性能检测方法研究被引量:2
2021年
在梳理归集LTCC生瓷带烧结前与烧结后的主要性能指标的基础上,总结了LTCC生瓷带产品的性能要求。说明了性能检测的条件。研究提出了LTCC生瓷带的表面质量及几何、力学、电学、热学相关的外形尺寸、表面粗糙度、平整度、尺寸稳定性、剥离强度、抗拉强度、抗弯强度、杨氏模量、密度、介电常数、损耗因子、体电阻率、热导率、热膨胀系数等重点性能指标检测的样品制备与方法步骤。所论述的检测方法具有很强的实用性和一定的平台关联性。
何中伟王晓卫李冉高亮
关键词:LTCC基板性能指标
我国LTCC多层基板制造技术标准现状及需求研究被引量:10
2012年
介绍了我国LTCC(低温共烧陶瓷)技术的应用情况,以及国内外LTCC多层基板制造的设计、工艺、材料、设备、组装、检测等技术标准的现状,论述了LTCC制造业与技术标准的关系,分析了我国LTCC制造业对相关技术标准的需求。
晁宇晴王贵平吕琴红刘瑞霞何中伟
关键词:技术标准
LTCC基板与封装的一体化制造
介绍LTCC一体化基板/外壳封装的设计、制作与性能检测.
何中伟王守政
关键词:钎焊PGA低温共烧陶瓷
文献传递
MCM-C组装封装基本工艺流程研究
在简要介绍我所现有的低温共烧陶瓷(LTCC)型陶瓷多芯片组件(MCM-C)主要组装工艺技术和常用封装型式的基础上,重点进行MCM-C组装封装基本工艺流程的设计研究。
何中伟杜松李寿胜
关键词:MCM-CLTCC基板封装
文献传递
共2页<12>
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