刘宏伟
- 作品数：107 被引量：132H指数：7
- 供职机构：中国工程物理研究院流体物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金中国工程物理研究院科技发展基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种简化脉冲形成电路及LTD模块
- 本发明公开了一种简化脉冲形成电路及LTD模块，所述电路包括：两个基波电容、两个谐波电容、一个开关，其中，每个基波电容和对应的一个谐波电容并联构成一组电容器，第一组电容器一端接地，第一组电容器另一端与开关的一端连接，开关的...
- 周良骥王勐刘宏伟陈林邹文康
- 文献传递
- 重复频率爆炸发射阴极现状及展望被引量：7
- 2013年
- 重复频率爆炸发射阴极(EEC)是产生高功率重复频率强流电子束的关键。阐述了爆炸发射的尖端场增强和闪络引发机制,分析了影响EEC重复频率运行的因素,综述了EEC研究现状并总结了几种EEC特性,指出实现重复频率发射阴极的方法在于探索新型材料和改进结构。提出采用六硼化镧(LaB6)作为EEC材料和适用于"单焦斑"多幅闪光照相工业冷阴极二极管(IXD)的新型阴极结构——轮辐状金属-铁电陶瓷复合阴极,并对其前景进行展望。
- 马勋邓建军姜苹刘宏伟李洪涛
- 关键词：闪络
- 基于全控开关与自击穿开关的全固态Marx发生器
- 基于全控开关与自击穿开关的全固态Marx发生器，包括多个级联的全控开关级，还包括与级联全控开关级最后一级保持级联关系的至少一个自击穿开关级，所述自击穿开关级与全控开关级的区别在于：全控开关由自击穿开关替换，所述自击穿开关...
- 李洪涛王传伟王凌云姜苹刘金锋刘宏伟袁建强黄宇鹏丁胜赵娟李玺钦
- 文献传递
- 高功率重复频率固态脉冲功率源研究进展
- 高功率微波源发展需求推动了高功率重复频率固态脉冲功率源的发展，其备选电路拓扑结构有基于固体开关和固态脉冲形成器件的层叠Blumlein 线结构、基于固体开关的直线型变压器结构、基于陶瓷电容脉冲形成网络的Marx 结构等....
- 袁建强谢卫平刘宏伟刘金锋马勋李洪涛
- 关键词：光导开关直线型变压器脉冲形成网络
- 文献传递
- 一种脉冲功率放大方法及标准单元
- 本发明公开了一种脉冲功率放大方法及标准单元，其技术方案要点是：本发明采用了晶体介质的受激辐射光放大模式、半导体介质的载流子倍增放大模式以及气体介质的等离子体击穿放大模式共同作用，形成了一种脉冲功率放大方法。首先将电功率进...
- 王凌云袁建强周良骥陈林刘宏伟谢卫平王勐李洪涛谌怡何安付佳斌姜苹李远卫兵何泱冯传均赵越王杰康军军张朝辉
- 一种模拟X射线辐照卫星产生电磁场的系统
- 本发明公开了一种模拟X射线辐照卫星产生电磁场的系统，包括大电流脉冲源、锥形传输线以及卫星太阳能帆板；所述锥形传输线以电容耦合的方式将所述大电流脉冲源输出的脉冲电流信号注入到所述卫星太阳能帆板中。本发明的目的在于提供一种模...
- 栾崇彪刘宏伟何泱袁建强马勋李洪涛肖金水王凌云
- 文献传递
- 一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源
- 本发明实施例提供一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源，通过光导开关的低导通电阻以提高冲激脉冲源的输出功率；包括：在半绝缘GaAs材料表面外延生长一层n<Sup>+</Sup>‑GaAs层；将半绝缘GaAs材...
- 栾崇彪刘宏伟王凌云何泱袁建强马勋李洪涛
- 大功率光导开关研究被引量：8
- 2010年
- 设计了横向结构的半绝缘GaAs光导开关和SiC光导开关。在不同的直流偏置电压下,使用波长为1 064 nm的激光脉冲触发使开关导通,研究了非本征光电导方式下GaAs光导开关和SiC光导开关的光电导特性。实验中获得了GaAs光导开关的暗态伏安曲线和200-1 100 nm波长范围内吸收深度随波长的变化曲线,得到了大功率GaAs光导开关在线性模式和非线性模式下的电流波形,并进行了比较,讨论了非线性模式下大功率GaAs光导开关的奇特光电导现象。对非本征光电导方式下的SiC光导开关进行了初步实验研究,得到了偏置电压3.6 kV下开关的电压和电流波形。
- 袁建强李洪涛刘宏伟刘金锋谢卫平王新新江伟华
- 关键词：大功率光导开关砷化镓碳化硅
- 大功率GaAs光导开关寿命实验研究被引量：4
- 2010年
- 设计并制作了18 mm间隙的半绝缘GaAs光导开关,开关芯片采用标准半导体工艺制作并封装在陶瓷基板上。测试了光导开关在20 kV工作电压、1 kA工作电流时,不同重复频率工作的开关寿命,结果表明,开关寿命4 000次-7 000次,且随着重复频率的提高,开关寿命有所降低。初步分析了导致开关失效的原因为热损伤,包括局部发热导致的连接损伤和材料损伤以及整体发热导致的暗态电阻下降。
- 刘宏伟袁建强刘金锋李洪涛谢卫平江伟华
- 关键词：砷化镓光导开关大功率
- 不同形状的光斑触发砷化镓光导开关被引量：3
- 2010年
- 为研究使用不同形状光斑触发光导开关对光电导特性的影响,研制了12 mm间隙的半绝缘砷化镓光导开关,在不同的偏置电压下,使用波长为1 064 nm的不同能量的激光触发光导开关并进行了光电导测试。使用了不同形状的光斑(包括面状、线状和点状光斑)触发光导开关并进行了光电导特性的比较,讨论了触发光参数对光导开关特性的影响。对处于开关电极间不同位置的线状光斑触发特性进行了比较,结果显示,本征光电导和非本征光电导情况下光斑位置对光电流的影响正好相反。
- 袁建强刘宏伟刘金锋李洪涛谢卫平王新新江伟华
- 关键词：光导开关砷化镓
