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文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 4篇化学机械抛光
  • 4篇机械抛光
  • 2篇抛光
  • 1篇选择性
  • 1篇压力控制
  • 1篇氧化铈
  • 1篇有机物
  • 1篇正交
  • 1篇正交试验
  • 1篇蠕动泵
  • 1篇抛光机
  • 1篇抛光液
  • 1篇浅沟道隔离
  • 1篇去除率
  • 1篇温度
  • 1篇温度控制
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇沟道
  • 1篇二氧化铈

机构

  • 7篇中国电子科技...

作者

  • 7篇刘涛
  • 3篇高慧莹
  • 3篇费玖海
  • 3篇孙振杰
  • 1篇周国安
  • 1篇陈学森
  • 1篇罗杨
  • 1篇于高洋
  • 1篇张领强

传媒

  • 7篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
化学机械抛光压力控制技术研究被引量:6
2010年
概述了化学机械抛光技术的发展现状,讨论分析了主要工艺参数对抛光机理的影响。重点论述了化学机械抛光工艺中不同压力控制方法及其技术特点,提出了一种新的压力控制方案,并通过实验验证了该控制技术的先进性。
刘涛高慧莹张领强陈学森
关键词:化学机械抛光压力控制
PG-510型单面抛光机的研制被引量:4
2010年
介绍了针对蓝宝石衬底表面纳米级抛光工艺而研制的PG-510单面抛光机的主要结构及其性能特点,简要论述了抛光过程中各工艺参数的控制方案,并通过实验验证了设备的主要性能指标,能够满足蓝宝石衬底表面纳米级抛光的工艺要求。
刘涛高慧莹罗杨费玖海
关键词:蓝宝石CMP工艺
化学机械抛光(CMP)过程中抛光盘温度控制的分析研究被引量:5
2011年
在化学机械抛光(CMP)过程中,温度是影响晶片最终抛光效果的主要因素之一,采用合理的温度控制方法,把温度控制在一定的范围内才能满足化学机械抛光的工艺要求。通过化学机械抛光机理分析阐述了抛光过程中热量产生的根源,介绍了一种温度控制系统的设计原理,并通过抛光实验验证并说明了温度控制的必要性。
孙振杰刘涛费玖海
关键词:温度控制
选择性抛光液的研究被引量:4
2009年
抛光液是化学机械平坦化的关键耗材,而针对STI和铜线的抛光,通常使用选择性抛光液。采用二氧化铈作为研磨颗粒的第二代抛光液,具有自动停止的特点,配合粗抛和精抛,能够十分有效解决目前STI存在的工艺缺点。而针对铜线的抛光,介绍了有机物作为研磨颗粒的抛光液,具备十分卓越的选择比,高产出和低缺陷,将是今后重点发展的产品类型之一。
刘涛于高洋周国安
关键词:化学机械抛光浅沟道隔离抛光液二氧化铈有机物
蓝宝石抛光去除率试验的正交设计方法
2012年
影响蓝宝石抛光去除率的因子有很多,为了得到最佳工艺流程和工艺参数组合,实际工作中需要在诸多影响因素中找出对去除率影响最显著的因子,并以拟合方程的形式来建立数学模型。探讨了运用正交试验的方法,通过MINITAB软件对试验数据进行分析,从而了解各抛光参数对抛光去除率的影响,最终确定一组最优的工艺参数。
孙振杰费玖海刘涛
关键词:正交试验去除率
蠕动泵原理及在化学机械抛光过程中的应用被引量:10
2010年
主要分析了蠕动泵的组成和工作原理,描述了蠕动泵在化学机械抛光过程中的应用特点和优势。详细介绍了蠕动泵在应用过程中的控制方法和选用注意事项。
高慧莹刘涛孙振杰
关键词:蠕动泵化学机械抛光泵头
SoC芯片测试设备现状被引量:4
2009年
随着SoC应用的日益普及,对SoC测试技术提出了越来越高的要求,掌握新的测试理念、新的测试流程、方法和技术,是应对SoC应用对测试技术提出的挑战,适应测试发展趋势的必然要求。介绍了应对SoC测试技术挑战的基本方法和设备结构及几家设备公司SoC芯片测试设备概况。
刘涛张崇巍
关键词:测试设备
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