司伟民
- 作品数：7 被引量：6H指数：1
- 供职机构：清华大学电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 单模光纤模场直径测试仪的研制
- 司伟民
- 分布反馈式半导体激光器研究的历史回顾与最新进展被引量：1
- 1995年
- 1 历史与现状 随着激光唱盘、视盘进入人们的生活,激光打印机等进入办公领域,半导体激光器(以下简称为LD)已越来越被人们所熟悉。LD较其它类型的激光器具有显著优点,例如体积小、效率高、寿命长,使其在更为广泛的领域有着诱人的应用前景。
- 罗毅司伟民张盛忠陈镝王健华
- 关键词：激光器半导体激光器增益耦合
- Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱光调制器被引量：1
- 1992年
- 利用Ⅲ-V族化合物半导体量子阱材料的量子限制Stark效应制作的电吸收型光调制器具有调制电压低,调制速度快、器件尺寸小、结构简单并易于同半导体激光器集成等优点,适于进行高性能、高速度的信息编码和处理,在光通信、光计算和光互联中具有广泛的应用前景。本文以光通信为主要应用背景,论述了量子阱调制器的开关比和调制电压、插入损耗、调制带宽、频率啁啾等各项技术指标,指出了量子阱调制器存在的工作波长范围窄和饱和吸收等主要问题并讨论了可能的解决途径,最后讨论了量子阱调制器在光电子集成,主要是半导体激光器和量子阱调制器单片集成方面的应用、发展情况和存在问题。
- 司伟民李德杰王健华彭吉虎张克潜
- 关键词：半导体光调制器
- 基于MBE的GaAlAs／GaAs分布反馈式半导体激光器的制作新工艺
- 1994年
- 利用分子束外延（ＭＢＥ）对ＧａＡＩＡｓ和ＧａＡｓ的选择性热蚀特性进行光栅上的二次外延生长，既能获得清洁的外延界面，又能精确控制光栅的形状．采用这种方法，我们在国际上首次成功地制作了完全ＭＢＥ生长的内含吸收光栅的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱增益耦合型分布反馈式（ＤＦＢ）半导体激光器．并实现了激光器在室温下的脉冲激射，、器件表现出了ＤＦＢ模式的单模工作特性．
- 罗毅张盛忠司伟民陈镝王健华
- 关键词：半导体激光器分子束外延砷化镓
- 完全 MBE 生长的内含吸收型光栅 GaAlAs／GaAs 多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器被引量：4
- 1994年
- 我们首次完全采用ＭＢＥ技术成功地制作了内含吸收型光栅的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓ量子阶增益耦合型分布反馈式半导体激光器．激光器在室温下的激射波长为８６０ｕｍ，单模单端输出光脉冲峰值功率超过２０ｍＷ．器件在至少０℃到８０℃的范围内始终保持单纵模激射．作为初步结果，条宽为５～６μｍ的氧化物条形结构器件的脉冲工作阈值电流约为７００ｍＡ．
- 罗毅司伟民张盛忠陈镝王健华蒲锐
- 关键词：半导体激光器GAALAS/GAAS
- 多量子阱增益耦合型分布反馈激光器/电吸收型调制器单片集成光源研究
- 司伟民
- 分布反馈半导体激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件静态特性解析
- 司伟民罗毅
- 关键词：半导体激光器调制器静态特性
