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吴渊文

作品数：5 被引量：9H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇衬底
  • 2篇单晶
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇气相沉积
  • 2篇钼催化剂
  • 2篇拉曼
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇含碳
  • 2篇反应器
  • 2篇反应温度
  • 2篇层数
  • 2篇催化
  • 2篇催化剂
  • 1篇电学
  • 1篇电学性能
  • 1篇电学性质
  • 1篇修饰
  • 1篇气相

机构

  • 5篇中国科学院
  • 1篇大连理工大学

作者

  • 5篇吴渊文
  • 5篇于广辉
  • 4篇陈志蓥
  • 4篇张燕辉
  • 3篇师小萍
  • 3篇王彬
  • 1篇王斌
  • 1篇王斌
  • 1篇王彬
  • 1篇张浩然

传媒

  • 2篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种修饰石墨烯薄膜的方法
本发明提供一种修饰石墨烯薄膜的方法，先利用在石墨烯薄膜的晶畴边界和缺陷处暴露的金属衬底对金属离子溶液中的金属离子进行还原，生成金属纳米粒子，对石墨烯薄膜实现选择性掺杂修饰；再通过腐蚀和转移工艺对掺杂修饰好的石墨烯薄膜实现...
陈志蓥于广辉王斌张燕辉王彬赵智德吴渊文张浩然
文献传递
Cu上石墨烯的化学气相沉积法生长研究被引量：9
2011年
利用自行搭建的化学气相沉积(CVD)设备在Cu箔衬底上成功的制备出石墨烯薄膜,并利用光学显微镜和拉曼光谱分析等手段对石墨烯薄膜的形貌和结构进行了表征。主要研究了Cu箔的表面处理和沉积过程的气体流量对石墨烯质量的影响,发现氨水处理Cu箔可以腐蚀Cu箔表面的各种杂质提高Cu箔的洁净度从而提高石墨烯的结晶质量,优化CH4和H2的气体流量可以提高石墨烯的单层性和均匀性。并最终在CH4:H2=200:0 sccm条件下,在氨水处理过的Cu箔上获得了面积1.5 cm×1.5 cm的均匀的单层石墨烯。
师小萍于广辉王斌吴渊文
关键词：石墨烯表面处理拉曼
一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法
本发明涉及一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法，包括：将钼催化剂放入无氧反应器中，使催化剂的反应温度达到500-1600℃；向无氧反应器反应器中通入含碳气体，在0.1-760torr下反应0.1-9999min，待炉内温...
吴渊文于广辉师小萍王彬张燕辉陈志蓥
一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法
本发明涉及一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法，包括：将钼催化剂放入无氧反应器中，使催化剂的反应温度达到500-1600℃；向无氧反应器反应器中通入含碳气体，在0.1-760torr下反应0.1-9999min，待炉内温...
吴渊文于广辉师小萍王彬张燕辉陈志蓥
文献传递
石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响
2012年
采用化学气相沉积技术(CVD)在铜箔衬底上实现了石墨烯单晶畴的可控生长,并用两步生长法制备了不同单晶畴尺寸的多晶石墨烯连续膜。利用光学显微镜和拉曼光谱仪对石墨烯的形貌和结构进行了表征。通过对转移到SiO2衬底上石墨烯连续膜的霍尔测试发现,石墨烯晶畴尺寸变化对其连续膜的电学性能影响显著。石墨烯连续膜的晶畴尺寸越大,其方块电阻越小,载流子迁移率越高。
吴渊文张燕辉陈志蓥王彬于广辉
关键词：石墨烯单晶化学气相沉积拉曼电学性质
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